| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR9014PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9024PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W Kind of package: tube Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -35A Drain current: -5.6A Gate charge: 19nC On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 42W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 920 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9110PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 802 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9220PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.3A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 143 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9220TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.3A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9310PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 685 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9310TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFRC20PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 181 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS9N60APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263 Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Gate charge: 49nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 170W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFSL11N50APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 190W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 459 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU024PBF | VISHAY |
IRFU024PBF THT N channel transistors |
на замовлення 65 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU120PBF | VISHAY |
IRFU120PBF THT N channel transistors |
на замовлення 919 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU220PBF | VISHAY |
IRFU220PBF THT N channel transistors |
на замовлення 104 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU310PBF | VISHAY |
IRFU310PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU320PBF | VISHAY |
IRFU320PBF THT N channel transistors |
на замовлення 593 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU420PBF | VISHAY |
IRFU420PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU9014PBF | VISHAY |
IRFU9014PBF THT P channel transistors |
на замовлення 838 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Kind of package: tube Case: IPAK; TO251 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Gate charge: 19nC On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 42W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 673 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU9120PBF | VISHAY |
IRFU9120PBF THT P channel transistors |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU9310PBF | VISHAY |
IRFU9310PBF THT P channel transistors |
на замовлення 2068 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFUC20PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ14PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 939 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ24PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 467 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48RPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 291A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRL510PBF | VISHAY |
IRL510PBF THT N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRL640PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 158 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL640STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 779 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLI640GPBF | VISHAY |
IRLI640GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 358 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLIZ44GPBF | VISHAY |
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLL110TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 760mΩ Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2551 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLR110PBF | VISHAY |
IRLR110PBF SMD N channel transistors |
на замовлення 548 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLR120TRPBF | VISHAY |
IRLR120TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 992 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLU014PBF | VISHAY |
IRLU014PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLU110PBF | VISHAY |
IRLU110PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Kind of package: tube Gate charge: 66nC On-state resistance: 28mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K10X7RF5UH5 | VISHAY |
Category: Ceramic capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Mounting: THT Tolerance: ±10% Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm Dielectric: X7R кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K10X7RF5UL2 | VISHAY |
Category: Ceramic capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Mounting: THT Tolerance: ±10% Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 2.5mm Dielectric: X7R кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14213 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K15X7RF5TH5 | VISHAY |
Category: MLCC THT capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Dielectric: X7R Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| KBL02-E4/51 | VISHAY |
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBL04-E4/51 | VISHAY |
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBL08-E4/51 | VISHAY |
KBL08-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 105 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4D-E4/51 | VISHAY |
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 204 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4G-E4/51 | VISHAY |
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 133 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4K-E4/51 | VISHAY |
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 166 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU6M-E4/51 | VISHAY |
KBU6M-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 278 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU8D-E4/51 | VISHAY |
KBU8D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 66 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KBU8G-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8J-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8K-E4/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 174 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KBU8M-M3/P | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 0.3kA Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 0.98V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KMKP 900-2,2IA | VISHAY |
Category: THT Film CapacitorsDescription: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10% Type of capacitor: polypropylene Capacitance: 2.2µF Operating voltage: 900V AC Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø35x72mm Diameter: 35mm Height: 72mm Max. operating current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LH1540AT | VISHAY |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Switched voltage: max. 350V Relay variant: 1-phase Manufacturer series: LH Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Release time: 50µs Operate time: 130µs Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA On-state resistance: 22Ω Case: DIP6 Insulation voltage: 5.3kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LL101A-GS08 | VISHAY |
LL101A-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 13924 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL101C-GS08 | VISHAY |
LL101C-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL103A-GS08 | VISHAY |
LL103A-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 16285 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL103B-GS08 | VISHAY |
LL103B-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL103C-GS08 | VISHAY |
LL103C-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 5285 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IRFR9014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.98 грн |
| 50+ | 42.51 грн |
| 75+ | 39.45 грн |
| 150+ | 36.29 грн |
| 525+ | 32.33 грн |
| IRFR9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -5.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -5.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.71 грн |
| 5+ | 92.00 грн |
| 10+ | 72.48 грн |
| 25+ | 49.93 грн |
| 50+ | 33.42 грн |
| 75+ | 33.32 грн |
| IRFR9110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 802 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 75+ | 42.20 грн |
| 24000+ | 37.57 грн |
| IRFR9220PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 10+ | 79.37 грн |
| 50+ | 60.02 грн |
| 75+ | 55.27 грн |
| 525+ | 48.55 грн |
| IRFR9220TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.06 грн |
| 250+ | 69.62 грн |
| 500+ | 61.40 грн |
| 1000+ | 54.48 грн |
| 2000+ | 46.57 грн |
| 4000+ | 38.17 грн |
| 6000+ | 33.12 грн |
| IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.07 грн |
| 10+ | 57.19 грн |
| 75+ | 37.97 грн |
| 1050+ | 35.50 грн |
| IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.56 грн |
| 5+ | 104.32 грн |
| 10+ | 88.49 грн |
| 100+ | 59.33 грн |
| 500+ | 47.46 грн |
| 1000+ | 43.01 грн |
| 2000+ | 38.36 грн |
| IRFRC20PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.78 грн |
| 10+ | 51.13 грн |
| 75+ | 34.90 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.13 грн |
| 5+ | 183.80 грн |
| 10+ | 161.17 грн |
| 50+ | 133.48 грн |
| IRFS9N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 170W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 170W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.82 грн |
| 50+ | 128.35 грн |
| IRFSL11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 459 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.63 грн |
| 3+ | 151.97 грн |
| 10+ | 130.52 грн |
| 50+ | 116.67 грн |
| 250+ | 108.76 грн |
| IRFU024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU024PBF THT N channel transistors
IRFU024PBF THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.58 грн |
| 32+ | 36.68 грн |
| 88+ | 34.71 грн |
| IRFU120PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU120PBF THT N channel transistors
IRFU120PBF THT N channel transistors
на замовлення 919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.90 грн |
| 28+ | 42.12 грн |
| 77+ | 39.75 грн |
| IRFU220PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU220PBF THT N channel transistors
IRFU220PBF THT N channel transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.45 грн |
| 38+ | 31.44 грн |
| 103+ | 29.76 грн |
| IRFU310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU310PBF THT N channel transistors
IRFU310PBF THT N channel transistors
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.41 грн |
| 41+ | 29.17 грн |
| 111+ | 27.59 грн |
| IRFU320PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 593 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.53 грн |
| 36+ | 32.73 грн |
| 99+ | 30.95 грн |
| IRFU420PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU420PBF THT N channel transistors
IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.15 грн |
| 37+ | 32.43 грн |
| 100+ | 30.65 грн |
| IRFU9014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9014PBF THT P channel transistors
IRFU9014PBF THT P channel transistors
на замовлення 838 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.19 грн |
| 43+ | 27.49 грн |
| 118+ | 25.91 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 673 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.19 грн |
| 75+ | 57.40 грн |
| 9000+ | 44.10 грн |
| IRFU9120PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9120PBF THT P channel transistors
IRFU9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.53 грн |
| 38+ | 31.15 грн |
| 104+ | 29.47 грн |
| IRFU9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9310PBF THT P channel transistors
IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.33 грн |
| 31+ | 37.97 грн |
| 85+ | 35.89 грн |
| IRFUC20PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.02 грн |
| 2025+ | 47.85 грн |
| 3000+ | 44.89 грн |
| IRFZ14PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.21 грн |
| 50+ | 38.92 грн |
| 1000+ | 30.75 грн |
| IRFZ24PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 467 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.20 грн |
| 10+ | 68.90 грн |
| 50+ | 55.37 грн |
| 100+ | 51.51 грн |
| 250+ | 46.97 грн |
| 500+ | 43.90 грн |
| 1000+ | 41.23 грн |
| IRFZ44PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.24 грн |
| 5+ | 121.16 грн |
| 10+ | 88.00 грн |
| 25+ | 66.25 грн |
| 50+ | 65.26 грн |
| IRFZ48RPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.56 грн |
| 10+ | 156.07 грн |
| 50+ | 130.52 грн |
| 100+ | 122.61 грн |
| 500+ | 103.82 грн |
| 1000+ | 101.84 грн |
| IRL510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRL510PBF THT N channel transistors
IRL510PBF THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.39 грн |
| 36+ | 32.83 грн |
| 99+ | 31.05 грн |
| IRL640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.08 грн |
| 10+ | 82.14 грн |
| 50+ | 73.17 грн |
| IRL640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.57 грн |
| 10+ | 134.51 грн |
| 50+ | 87.01 грн |
| IRL640STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.78 грн |
| 10+ | 105.76 грн |
| 800+ | 78.11 грн |
| IRLI640GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLI640GPBF THT N channel transistors
IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 358 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 278.98 грн |
| 16+ | 77.12 грн |
| 42+ | 73.17 грн |
| IRLIZ44GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.25 грн |
| 11+ | 114.70 грн |
| 29+ | 107.78 грн |
| IRLL110TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 760mΩ
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 760mΩ
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.86 грн |
| 10+ | 48.46 грн |
| 50+ | 36.49 грн |
| 100+ | 34.51 грн |
| 500+ | 32.53 грн |
| 1000+ | 28.67 грн |
| 2500+ | 24.62 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLR110PBF SMD N channel transistors
IRLR110PBF SMD N channel transistors
на замовлення 548 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.79 грн |
| 45+ | 26.50 грн |
| 122+ | 25.02 грн |
| IRLR120TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLR120TRPBF SMD N channel transistors
IRLR120TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 992 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.74 грн |
| 39+ | 30.81 грн |
| 105+ | 29.13 грн |
| IRLU014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLU014PBF THT N channel transistors
IRLU014PBF THT N channel transistors
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.64 грн |
| 40+ | 29.86 грн |
| 108+ | 28.18 грн |
| IRLU110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLU110PBF THT N channel transistors
IRLU110PBF THT N channel transistors
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.88 грн |
| 46+ | 25.81 грн |
| 125+ | 24.42 грн |
| IRLZ44PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.80 грн |
| 10+ | 109.87 грн |
| 50+ | 99.87 грн |
| 100+ | 96.90 грн |
| 250+ | 88.00 грн |
| 500+ | 82.07 грн |
| 750+ | 77.12 грн |
| K104K10X7RF5UH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.88 грн |
| 21+ | 14.89 грн |
| 50+ | 7.15 грн |
| 100+ | 5.86 грн |
| 250+ | 4.74 грн |
| 500+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 4.23 грн |
| K104K10X7RF5UL2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5mm
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5mm
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.57 грн |
| 29+ | 10.83 грн |
| 50+ | 7.65 грн |
| 100+ | 6.71 грн |
| 500+ | 5.15 грн |
| 1000+ | 4.68 грн |
| 2500+ | 4.20 грн |
| K104K15X7RF5TH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.84 грн |
| 35+ | 8.83 грн |
| 54+ | 5.60 грн |
| 100+ | 4.75 грн |
| 250+ | 3.96 грн |
| 500+ | 3.57 грн |
| 1000+ | 3.45 грн |
| KBL02-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.46 грн |
| 8+ | 154.25 грн |
| 21+ | 146.34 грн |
| KBL04-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.99 грн |
| 8+ | 149.30 грн |
| 22+ | 141.39 грн |
| KBL08-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL08-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL08-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.20 грн |
| 9+ | 135.46 грн |
| 24+ | 128.54 грн |
| KBU4D-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 204 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 367.36 грн |
| 8+ | 166.11 грн |
| 20+ | 157.21 грн |
| KBU4G-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 133 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.53 грн |
| 7+ | 185.89 грн |
| 18+ | 176.00 грн |
| KBU4K-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 346.07 грн |
| 8+ | 165.12 грн |
| 20+ | 156.22 грн |
| KBU6M-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU6M-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU6M-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 278 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.15 грн |
| 6+ | 217.53 грн |
| 15+ | 204.67 грн |
| KBU8D-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU8D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU8D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 66 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 432.32 грн |
| 5+ | 234.34 грн |
| 14+ | 222.47 грн |
| KBU8G-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 298.15 грн |
| 5+ | 258.75 грн |
| 10+ | 246.20 грн |
| KBU8J-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 341.81 грн |
| 10+ | 279.29 грн |
| 25+ | 246.20 грн |
| 100+ | 213.57 грн |
| 250+ | 191.82 грн |
| 500+ | 180.94 грн |
| KBU8K-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 300A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 303.47 грн |
| 5+ | 264.91 грн |
| 10+ | 238.29 грн |
| 25+ | 213.57 грн |
| KBU8M-M3/P |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.98V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 300A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: flat
Case: KBU
Electrical mounting: THT
Leads: round pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.98V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.44 грн |
| 10+ | 202.28 грн |
| 100+ | 165.12 грн |
| 200+ | 154.25 грн |
| 500+ | 146.34 грн |
| 1200+ | 137.44 грн |
| 2400+ | 126.56 грн |
| KMKP 900-2,2IA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10%
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 2.2µF
Operating voltage: 900V AC
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø35x72mm
Diameter: 35mm
Height: 72mm
Max. operating current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10%
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 2.2µF
Operating voltage: 900V AC
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø35x72mm
Diameter: 35mm
Height: 72mm
Max. operating current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5058.98 грн |
| 5+ | 4494.28 грн |
| 10+ | 4076.68 грн |
| 20+ | 3942.20 грн |
| 50+ | 3862.11 грн |
| LH1540AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: max. 350V
Relay variant: 1-phase
Manufacturer series: LH
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 50µs
Operate time: 130µs
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 22Ω
Case: DIP6
Insulation voltage: 5.3kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: max. 350V
Relay variant: 1-phase
Manufacturer series: LH
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 50µs
Operate time: 130µs
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 22Ω
Case: DIP6
Insulation voltage: 5.3kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 212.96 грн |
| 10+ | 188.93 грн |
| 50+ | 158.20 грн |
| 100+ | 134.47 грн |
| 500+ | 111.73 грн |
| LL101A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL101A-GS08 SMD Schottky diodes
LL101A-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 13924 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.51 грн |
| 380+ | 3.08 грн |
| 1046+ | 2.92 грн |
| LL101C-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL101C-GS08 SMD Schottky diodes
LL101C-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 6.22 грн |
| 307+ | 3.82 грн |
| 844+ | 3.61 грн |
| LL103A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL103A-GS08 SMD Schottky diodes
LL103A-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 16285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.69 грн |
| 398+ | 2.95 грн |
| 1093+ | 2.79 грн |
| LL103B-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL103B-GS08 SMD Schottky diodes
LL103B-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.11 грн |
| 395+ | 2.98 грн |
| 1084+ | 2.81 грн |
| LL103C-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL103C-GS08 SMD Schottky diodes
LL103C-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 5285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.11 грн |
| 384+ | 3.06 грн |
| 1056+ | 2.89 грн |


















