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ICTE5-E3/54 ICTE5-E3/54 VISHAY 2045927.pdf Description: VISHAY - ICTE5-E3/54 - TVS-Diode, TRANSZORB, Unidirektional, 5 V, 7.5 V, DO-201, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201
Durchbruchspannung, min.: 6
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: -
Sperrspannung: 5
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: TRANSZORB
Klemmspannung, max.: 7.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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RSSD10X50A10R0JS06 RSSD10X50A10R0JS06 VISHAY 2050712.pdf Description: VISHAY - RSSD10X50A10R0JS06 - Widerstand, Lötfahne, 10 ohm, RSSD, 25 W, ± 5%, Lötfahne
Produkthöhe: -
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
Widerstandsmontage: Panelmontage
Qualifikation: -
Nennleistung: 25
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Widerstandsanschlüsse: Lötfahne
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 50
Produktpalette: RSSD
Nennspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 450
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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DTO025C10R00JTE3 DTO025C10R00JTE3 VISHAY VISH-S-A0013891890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - DTO025C10R00JTE3 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 10 ohm, ± 5%, 25 W, TO-252 (DPAK)
Bauform/Gehäuse des Widerstands: TO-252 (DPAK)
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 25
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 8.2
Produktpalette: DTO25
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktbreite: 7.3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
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VY2101K29Y5SS63V0 VY2101K29Y5SS63V0 VISHAY vy2series.pdf Description: VISHAY - VY2101K29Y5SS63V0 - Funkentstörkondensator (Keramik), 100 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VY2221K29Y5SS63V7 VY2221K29Y5SS63V7 VISHAY VISH-S-A0014510944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VY2221K29Y5SS63V7 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibe, 220 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Kapazität: 220pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 26101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BY206GP-E3/54 BY206GP-E3/54 VISHAY 2313398.pdf Description: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 350V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BFC233860563 BFC233860563 VISHAY VISH-S-A0014180312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC233860563 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.065 µF, ± 20%, Y2
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: Y2
Nennspannung Y: 300VAC
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 65000pF
Produktpalette: MKP338 6 Series
Nennspannung X: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AC05000002000JAC00 AC05000002000JAC00 VISHAY VISH-S-A0019859725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - AC05000002000JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 200 ohm, AC Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 200ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 75556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 75556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001109467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SI5448DU-T1-GE3 SI5448DU-T1-GE3 VISHAY si5448du.pdf Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 VISHAY VISHS96242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000149476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
на замовлення 9015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR402DP-T1-E3 SIR402DP-T1-E3 VISHAY Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 6000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR404DP-T1-GE3 SIR404DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 24489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 VISHAY sir414dp.pdf Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 VISHAY sir401dp.pdf Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001798713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY sir416dp.pdf Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000695573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR4604LDP-T1-GE3 SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY sir4604ldp.pdf Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 8900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CPF215R000FKE14 CPF215R000FKE14 VISHAY 2045686.pdf Description: VISHAY - CPF215R000FKE14 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 15ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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PR02000201509JR500 PR02000201509JR500 VISHAY 2049118.pdf Description: VISHAY - PR02000201509JR500 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2 W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 2
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 15
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/K
Produktlänge: 12
Produktpalette: PR02 Series
Produktdurchmesser: 3.9
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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BYV26E-TR BYV26E-TR VISHAY VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BYV26C-TR BYV26C-TR VISHAY VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SFR16S0005609JA500 SFR16S0005609JA500 VISHAY VISH-S-A0002471251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SFR16S0005609JA500 - Widerstand für Durchsteckmontage, 56 ohm, SFR16S Series, 500 mW, ± 5%, Axial bedrahtet, 200 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 4.1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SFR16S Series
productTraceability: No
Nennspannung: 200V
Produktdurchmesser: 1.9mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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DG604EEQ-T1-GE4 DG604EEQ-T1-GE4 VISHAY dg604e.pdf Description: VISHAY - DG604EEQ-T1-GE4 - Analoger Multiplexer/Demultiplexer, 2 Schaltungen, 1:1, 101 Ohm, 3V-16V, ± 3V bis ± 8V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, max.: 101ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 64ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 1:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 101ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY 3750963.pdf Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY 3750963.pdf Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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597D156X9050E2T 597D156X9050E2T VISHAY VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Qualifikation: -
Rippelstrom: 900
Ausfallrate: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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597D156X9050E2T 597D156X9050E2T VISHAY VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Produkthöhe: 4
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343]
Baugröße: 2917
Ausfallrate: -
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3
Produktlänge: 7.3
Kapazität: 15
Spannung (DC): 50
Rippelstrom: 900
Produktpalette: 597D
Hersteller-Größencode: E
Name der Serie: 597D
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktbreite: 4.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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1.5KE6.8CA-E3/54 1.5KE6.8CA-E3/54 VISHAY 2045671.pdf Description: VISHAY - 1.5KE6.8CA-E3/54 - TVS DIODE, 1.5KW, 6.8V, 1.5KE
tariffCode: 85363030
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 235 шт
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SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 VISHAY sihg24n6.pdf Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHG80N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY sihg70n60aef.pdf Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 VISHAY sihg065n60e.pdf Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 VISHAY sihg17n80ae.pdf Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG44N65EF-GE3 SIHG44N65EF-GE3 VISHAY sihg44n65ef.pdf Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.073 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG21N65EF-GE3 SIHG21N65EF-GE3 VISHAY sihg21n65ef.pdf Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 VISHAY tf-sihg039n60ef-ge3.pdf Description: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0011831067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG15N80AEF-GE3 SIHG15N80AEF-GE3 VISHAY vs-30wq06fn.pdf Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VS-E5PH6012LHN3 VS-E5PH6012LHN3 VISHAY vs-e5ph6012lhn3.pdf Description: VISHAY - VS-E5PH6012LHN3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Einfach, 2.3 V, 100 ns, 460 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 460A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.3V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt G5 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQJQ142E-T1_GE3 SQJQ142E-T1_GE3 VISHAY 3164656.pdf Description: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 1240 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQ4401CEY-T1_GE3 SQ4401CEY-T1_GE3 VISHAY sq4401cey.pdf Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQ4401CEY-T1_GE3 SQ4401CEY-T1_GE3 VISHAY sq4401cey.pdf Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VJ0805Y105KXARW1BC VJ0805Y105KXARW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0805Y105KXARW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1 µF, 50 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 16890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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SIUD401ED-T1-GE3 SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIUD401ED-T1-GE3 SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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ICTE5-E3/54 2045927.pdf
ICTE5-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ICTE5-E3/54 - TVS-Diode, TRANSZORB, Unidirektional, 5 V, 7.5 V, DO-201, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201
Durchbruchspannung, min.: 6
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: -
Sperrspannung: 5
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: TRANSZORB
Klemmspannung, max.: 7.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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RSSD10X50A10R0JS06 2050712.pdf
RSSD10X50A10R0JS06
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RSSD10X50A10R0JS06 - Widerstand, Lötfahne, 10 ohm, RSSD, 25 W, ± 5%, Lötfahne
Produkthöhe: -
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
Widerstandsmontage: Panelmontage
Qualifikation: -
Nennleistung: 25
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Widerstandsanschlüsse: Lötfahne
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 50
Produktpalette: RSSD
Nennspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 450
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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DTO025C10R00JTE3 VISH-S-A0013891890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTO025C10R00JTE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DTO025C10R00JTE3 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 10 ohm, ± 5%, 25 W, TO-252 (DPAK)
Bauform/Gehäuse des Widerstands: TO-252 (DPAK)
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 25
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 8.2
Produktpalette: DTO25
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktbreite: 7.3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
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VY2101K29Y5SS63V0 vy2series.pdf
VY2101K29Y5SS63V0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY2101K29Y5SS63V0 - Funkentstörkondensator (Keramik), 100 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VY2221K29Y5SS63V7 VISH-S-A0014510944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VY2221K29Y5SS63V7
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY2221K29Y5SS63V7 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibe, 220 pF, ± 10%, X1 / Y2, 440 V, 300 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y2
Nennspannung Y: 300V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Kapazität: 220pF
Produktpalette: VY2 Series
Nennspannung X: 440V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 26101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BY206GP-E3/54 2313398.pdf
BY206GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 350V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BFC233860563 VISH-S-A0014180312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC233860563
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC233860563 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.065 µF, ± 20%, Y2
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: Y2
Nennspannung Y: 300VAC
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 65000pF
Produktpalette: MKP338 6 Series
Nennspannung X: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AC05000002000JAC00 VISH-S-A0019859725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AC05000002000JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC05000002000JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 200 ohm, AC Series, 5 W, ± 5%, Axial bedrahtet
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 5W
Widerstandstyp: Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 200ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 18mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: -
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI5419DU-T1-GE3 VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI5457DC-T1-GE3 VISH-S-A0001142018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5457DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 75556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI5457DC-T1-GE3 VISH-S-A0001142018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5457DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.036 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 75556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SI5471DC-T1-GE3 VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5471DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI5403DC-T1-GE3 VISH-S-A0001109467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5403DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SI5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
SI5448DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI5476DU-T1-GE3 VISHS96242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5476DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SI5471DC-T1-GE3 VISH-S-A0001110087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5471DC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR426DP-T1-GE3 VISH-S-A0000149476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR426DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
на замовлення 9015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR402DP-T1-E3
SIR402DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 6000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR404DP-T1-GE3 VISH-S-A0000184319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR404DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 24489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR414DP-T1-GE3 sir414dp.pdf
SIR414DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
SIR401DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR424DP-T1-GE3 VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR424DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SIR466DP-T1-GE3 VISH-S-A0001798713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIR424DP-T1-GE3 VISH-S-A0000184326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR424DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR401DP-T1-GE3 VISH-S-A0000695573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR401DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIR4604LDP-T1-GE3 sir4604ldp.pdf
SIR4604LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 8900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF740SPBF VISH-S-A0013329289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CPF215R000FKE14 2045686.pdf
CPF215R000FKE14
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CPF215R000FKE14 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 15ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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PR02000201509JR500 2049118.pdf
PR02000201509JR500
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PR02000201509JR500 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2 W, 5%
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 2
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 15
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/K
Produktlänge: 12
Produktpalette: PR02 Series
Produktdurchmesser: 3.9
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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BYV26E-TR VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYV26E-TR
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BYV26C-TR description VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYV26C-TR
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SFR16S0005609JA500 VISH-S-A0002471251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SFR16S0005609JA500
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SFR16S0005609JA500 - Widerstand für Durchsteckmontage, 56 ohm, SFR16S Series, 500 mW, ± 5%, Axial bedrahtet, 200 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 4.1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SFR16S Series
productTraceability: No
Nennspannung: 200V
Produktdurchmesser: 1.9mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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DG604EEQ-T1-GE4 dg604e.pdf
DG604EEQ-T1-GE4
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG604EEQ-T1-GE4 - Analoger Multiplexer/Demultiplexer, 2 Schaltungen, 1:1, 101 Ohm, 3V-16V, ± 3V bis ± 8V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V
Einschaltwiderstand, max.: 101ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 64ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 1:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 101ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQJQ186E-T1_GE3 3750963.pdf
SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQJQ186E-T1_GE3 3750963.pdf
SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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597D156X9050E2T VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
597D156X9050E2T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Qualifikation: -
Rippelstrom: 900
Ausfallrate: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
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597D156X9050E2T VISH-S-A0013856978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
597D156X9050E2T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10%
Produkthöhe: 4
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343]
Baugröße: 2917
Ausfallrate: -
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3
Produktlänge: 7.3
Kapazität: 15
Spannung (DC): 50
Rippelstrom: 900
Produktpalette: 597D
Hersteller-Größencode: E
Name der Serie: 597D
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktbreite: 4.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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1.5KE6.8CA-E3/54 2045671.pdf
1.5KE6.8CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1.5KE6.8CA-E3/54 - TVS DIODE, 1.5KW, 6.8V, 1.5KE
tariffCode: 85363030
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 235 шт
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SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG018N60E-GE3 VISH-S-A0011299567-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG018N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 524W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
SIHG80N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG80N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG70N60AEF-GE3 sihg70n60aef.pdf
SIHG70N60AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.065 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
SIHG17N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
SIHG44N65EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.073 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG21N65EF-GE3 sihg21n65ef.pdf
SIHG21N65EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG039N60EF-GE3 tf-sihg039n60ef-ge3.pdf
SIHG039N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG068N60EF-GE3 VISH-S-A0011299547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG186N60EF-GE3 VISH-S-A0011831067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG186N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIHG15N80AEF-GE3 vs-30wq06fn.pdf
SIHG15N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VS-E5PH6012LHN3 vs-e5ph6012lhn3.pdf
VS-E5PH6012LHN3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-E5PH6012LHN3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Einfach, 2.3 V, 100 ns, 460 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 460A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.3V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: FRED Pt G5 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQJQ142E-T1_GE3 3164656.pdf
SQJQ142E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 1240 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQ4401CEY-T1_GE3 sq4401cey.pdf
SQ4401CEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQ4401CEY-T1_GE3 sq4401cey.pdf
SQ4401CEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.014 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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VJ0805Y105KXARW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0805Y105KXARW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0805Y105KXARW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1 µF, 50 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 2.01mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 16890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
SIUD401ED-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
SIUD401ED-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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