Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357553) > Сторінка 5960 з 5960

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 596 1192 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5955 5956 5957 5958 5959 5960
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRS25000C1803FCT00 MRS25000C1803FCT00 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9EAE4FD04845C0C4&compId=MRS25.pdf?ci_sign=72b1a8dc376371581084ec59692fbe78626fa278 Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; THT; 180kΩ; 600mW; ±1%; Ø0.6x28mm; Ø2.5x6.5mm
Type of resistor: thin film
Resistance: 180kΩ
Power: 0.6W
Tolerance: ±1%
Max. operating voltage: 350V
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø2.5x6.5mm
Leads dimensions: Ø0.6x28mm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MAL219632104E3 VISHAY 196dlc.pdf Category: Supercapacitors
Description: Supercapacitor
Type of capacitor: supercapacitor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7FA5A9380469&compId=SI4835DDY-T1-E3.pdf?ci_sign=6582884098186cc6279293267068a76a5b99aeb9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.51 грн
10+62.69 грн
25+35.94 грн
69+33.95 грн
2500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.83 грн
25+38.24 грн
30+30.65 грн
81+28.97 грн
500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-GE3 VISHAY si4800bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY si4850bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4864DY-T1-E3 VISHAY 71449.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 VISHAY Si4874BDY.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 VISHAY si4890dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11A; Idm: 50A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 VISHAY 71300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3 VISHAY 71300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C1803FCT00 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9EAE4FD04845C0C4&compId=MRS25.pdf?ci_sign=72b1a8dc376371581084ec59692fbe78626fa278
MRS25000C1803FCT00
Виробник: VISHAY
Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; THT; 180kΩ; 600mW; ±1%; Ø0.6x28mm; Ø2.5x6.5mm
Type of resistor: thin film
Resistance: 180kΩ
Power: 0.6W
Tolerance: ±1%
Max. operating voltage: 350V
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø2.5x6.5mm
Leads dimensions: Ø0.6x28mm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MAL219632104E3 196dlc.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Supercapacitors
Description: Supercapacitor
Type of capacitor: supercapacitor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7FA5A9380469&compId=SI4835DDY-T1-E3.pdf?ci_sign=6582884098186cc6279293267068a76a5b99aeb9
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.51 грн
10+62.69 грн
25+35.94 грн
69+33.95 грн
2500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.7A; Idm: -50A
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+51.83 грн
25+38.24 грн
30+30.65 грн
81+28.97 грн
500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-GE3 si4800bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 50nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850BDY-T1-GE3 si4850bdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 4.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-GE3 71146.pdf
SI4850EY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4864DY-T1-E3 71449.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3 Si4874BDY.PDF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4890DY-T1-E3 si4890dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11A; Idm: 50A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-E3 71300.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3 71300.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 596 1192 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5955 5956 5957 5958 5959 5960