Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (350267) > Сторінка 863 з 5838

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 583 858 859 860 861 862 863 864 865 866 867 868 1166 1749 2332 2915 3498 4081 4664 5247 5830 5838  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU110PBF VISHAY sihfu110.pdf IRFU110PBF THT N channel transistors
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.03 грн
39+27.05 грн
107+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY IRFR120.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.18 грн
10+60.17 грн
28+38.23 грн
76+36.14 грн
2025+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBF VISHAY sihfr210.pdf IRFU210PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBF VISHAY sihfr214.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.28 грн
8+37.63 грн
25+32.20 грн
38+28.07 грн
103+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY IRFU310PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.78 грн
36+29.42 грн
99+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF VISHAY sihfr420.pdf IRFU420APBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.97 грн
36+29.60 грн
99+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF VISHAY sihfr430.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.91 грн
10+43.97 грн
39+27.36 грн
105+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020PBF VISHAY sihfr902.pdf IRFU9020PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY IRFU9024PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.44 грн
10+62.69 грн
45+23.86 грн
122+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFU9110PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY IRFx9120.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.03 грн
38+27.74 грн
104+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBF VISHAY sihfr921.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214PBF VISHAY sihfr921.pdf IRFU9214PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBF VISHAY sihfr922.pdf IRFU9220PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF VISHAY sihfr931.pdf IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+73.71 грн
31+34.98 грн
84+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF VISHAY sihfrc20.pdf description IRFUC20PBF THT N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.38 грн
26+40.36 грн
72+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBF VISHAY irfz10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY IRFZ14.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.46 грн
10+67.63 грн
25+52.65 грн
37+29.15 грн
101+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF VISHAY tf-irfz20pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.58 грн
29+39.12 грн
79+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF VISHAY irl620.pdf IRFZ34PBF THT N channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.30 грн
30+35.70 грн
81+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY IRFZ44.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.48 грн
10+92.22 грн
15+70.86 грн
42+67.28 грн
1000+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44RPBF VISHAY irfz44r.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44STRLPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48PBF VISHAY irfz48.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY IRFZ48RPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.09 грн
11+105.26 грн
29+95.98 грн
2000+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBF VISHAY sihfz48rs.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY IRL510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.92 грн
36+31.02 грн
97+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBF IRL520PBF VISHAY IRL520.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+73.42 грн
10+63.90 грн
31+34.98 грн
84+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF IRL530PBF VISHAY IRL530%2CSiHL530.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.23 грн
10+78.99 грн
23+46.29 грн
63+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBF VISHAY sihl530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF VISHAY irl620.pdf IRL540PBF THT N channel transistors
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.92 грн
21+50.77 грн
57+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBF VISHAY irl620.pdf IRL620PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBF VISHAY sihl620s.pdf IRL620SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620STRLPBF VISHAY sihl620s.pdf IRL620STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630PBF VISHAY irf520.pdf IRL630PBF THT N channel transistors
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.69 грн
21+50.23 грн
58+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630SPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRLPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRRPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF IRL640PBF VISHAY IRL640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.81 грн
10+127.62 грн
15+74.45 грн
40+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.46 грн
10+109.92 грн
12+89.70 грн
33+84.32 грн
250+83.42 грн
500+81.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF VISHAY IRL640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.40 грн
10+133.20 грн
15+75.35 грн
40+70.86 грн
500+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBF VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBF VISHAY sihld014.pdf IRLD014PBF THT N channel transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.49 грн
34+31.66 грн
92+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBF IRLD024PBF VISHAY IRLD024PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Mounting: THT
Case: DIP4
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.98 грн
10+55.61 грн
28+38.48 грн
76+36.42 грн
500+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF VISHAY IRLD110PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 760mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.53 грн
10+68.09 грн
39+28.17 грн
105+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF VISHAY IRLD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.10 грн
10+70.05 грн
36+29.51 грн
98+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GPBF VISHAY 90397.pdf IRLI520GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU110PBF sihfu110.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU110PBF THT N channel transistors
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.03 грн
39+27.05 грн
107+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF description IRFR120.pdf
IRFU120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.18 грн
10+60.17 грн
28+38.23 грн
76+36.14 грн
2025+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU210PBF sihfr210.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU210PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU214PBF sihfr214.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.28 грн
8+37.63 грн
25+32.20 грн
38+28.07 грн
103+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU310PBF IRFU310PBF.pdf
IRFU310PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.78 грн
36+29.42 грн
99+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420APBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU420APBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.97 грн
36+29.60 грн
99+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU430APBF description sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBF IRFx9014.pdf
IRFU9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.91 грн
10+43.97 грн
39+27.36 грн
105+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9020PBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9020PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF IRFU9024PBF.pdf
IRFU9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.44 грн
10+62.69 грн
45+23.86 грн
122+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9110PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF IRFx9120.pdf
IRFU9120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.63 грн
10+58.03 грн
38+27.74 грн
104+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9214PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9220PBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+73.71 грн
31+34.98 грн
84+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFUC20PBF THT N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.38 грн
26+40.36 грн
72+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBF irfz10.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+100.46 грн
10+67.63 грн
25+52.65 грн
37+29.15 грн
101+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF tf-irfz20pbf.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.58 грн
29+39.12 грн
79+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF irl620.pdf
Виробник: VISHAY
IRFZ34PBF THT N channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.30 грн
30+35.70 грн
81+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF irfz40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF description IRFZ44.pdf
IRFZ44PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.48 грн
10+92.22 грн
15+70.86 грн
42+67.28 грн
1000+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44RPBF irfz44r.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44STRLPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48PBF irfz48.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF.pdf
IRFZ48RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.09 грн
11+105.26 грн
29+95.98 грн
2000+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBF sihfz48rs.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510.pdf
IRL510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.92 грн
36+31.02 грн
97+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBF IRL520.pdf
IRL520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+73.42 грн
10+63.90 грн
31+34.98 грн
84+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF IRL530%2CSiHL530.pdf
IRL530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.23 грн
10+78.99 грн
23+46.29 грн
63+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBF sihl530s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF irl620.pdf
Виробник: VISHAY
IRL540PBF THT N channel transistors
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.92 грн
21+50.77 грн
57+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBF irl620.pdf
Виробник: VISHAY
IRL620PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBF sihl620s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL620SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620STRLPBF sihl620s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL620STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630PBF irf520.pdf
Виробник: VISHAY
IRL630PBF THT N channel transistors
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.69 грн
21+50.23 грн
58+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630SPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL630SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRLPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL630STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRRPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL630STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF IRL640PBF.pdf
IRL640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.81 грн
10+127.62 грн
15+74.45 грн
40+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF sihl640s.pdf
IRL640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.46 грн
10+109.92 грн
12+89.70 грн
33+84.32 грн
250+83.42 грн
500+81.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF IRL640S.pdf
IRL640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.40 грн
10+133.20 грн
15+75.35 грн
40+70.86 грн
500+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBF sihl640s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBF sihld014.pdf
Виробник: VISHAY
IRLD014PBF THT N channel transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.49 грн
34+31.66 грн
92+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBF IRLD024PBF.pdf
IRLD024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Mounting: THT
Case: DIP4
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.98 грн
10+55.61 грн
28+38.48 грн
76+36.42 грн
500+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF.pdf
IRLD110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 760mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.53 грн
10+68.09 грн
39+28.17 грн
105+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF.pdf
IRLD120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.10 грн
10+70.05 грн
36+29.51 грн
98+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GPBF 90397.pdf
Виробник: VISHAY
IRLI520GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 583 858 859 860 861 862 863 864 865 866 867 868 1166 1749 2332 2915 3498 4081 4664 5247 5830 5838  [ Наступна Сторінка >> ]