Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (2261) > Сторінка 4 з 38
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AS4C128M8D3LC-12BCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C128M8D3LC-12BCN - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 800 MHz, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR3 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C128M8D3LC-12BCNTR | Alliance Memory |
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Commercial Temp, T&R, C Die |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C128M8D3LC-12BIN | Alliance Memory |
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (C-die), Industrial Temp - Tray |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C128M8D3LC-12BINTR | Alliance Memory |
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Industrial Temp, T&R, C Die |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D1-5BCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Operating voltage: 2.5V Kind of memory: DDR1; SDRAM Mounting: SMD Access time: 15ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16D1-5BCN | Alliance Memory |
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16D1-5BCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1-5BCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TFBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 256Mbit Versorgungsspannung, nom.: 2.5V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16D1-5BCNTR | Alliance Memory |
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tape & Reel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D1-5BCNTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Operating voltage: 2.5V Kind of memory: DDR1; SDRAM Mounting: SMD Access time: 15ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||
| AS4C16M16D1-5BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; -40÷85°C Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Operating voltage: 2.5V Kind of memory: DDR1; SDRAM Mounting: SMD Access time: 15ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16D1-5BIN | Alliance Memory |
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, BGA, 200 MHz, Industrial Temp - Tray |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D1-5BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; -40÷85°C Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Operating voltage: 2.5V Kind of memory: DDR1; SDRAM Mounting: SMD Access time: 15ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16D1-5BINTR | Alliance Memory |
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D1A-5TAN | Alliance Memory |
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| AS4C16M16D1A-5TANTR | Alliance Memory |
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16D1A-5TCN | Alliance Memory |
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A) |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16D1A-5TCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit Versorgungsspannung, nom.: 2.5V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 66Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D1A-5TCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP66 II Operating voltage: 2.5V Kind of memory: DDR1; SDRAM Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн. | |||
| AS4C16M16D1A-5TCNTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP66 II Operating voltage: 2.5V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16D1A-5TCNTR | Alliance Memory |
DRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16D1A-5TIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TIN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 2.5V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 66Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16D1A-5TIN | Alliance Memory |
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D1A-5TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP66 II Operating voltage: 2.5V Kind of memory: DDR1; SDRAM Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн. | |||
| AS4C16M16D1A-5TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 200MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP66 II Operating voltage: 2.5V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16D1A-5TINTR | Alliance Memory |
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A), T&R |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16D2-25BCN | Alliance Memory |
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D2-25BCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84 Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...85°C Clock frequency: 400MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA84 Operating voltage: 1.8V Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Access time: 12.5ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 209 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16D2-25BCNTR | Alliance Memory |
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D2-25BCNTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84 Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...85°C Clock frequency: 400MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA84 Operating voltage: 1.8V Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Access time: 12.5ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||
| AS4C16M16D2-25BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84 Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 400MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA84 Operating voltage: 1.8V Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Access time: 12.5ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 209 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16D2-25BIN | Alliance Memory |
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16D2-25BINTR | Alliance Memory |
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16D2-25BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84 Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 400MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA84 Operating voltage: 1.8V Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Access time: 12.5ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16MD1-6BCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16MD1-6BCN - DRAM, LPDDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FPBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: LPDDR1 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16MD1-6BCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.7÷1.95V; 166MHz; 6.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -30...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: FPBGA60 Operating voltage: 1.7...1.95V Kind of memory: DDR1; SDRAM Mounting: SMD Access time: 6.5ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16MD1-6BCN | Alliance Memory |
DRAM LPDDR1, 256M, 16 x 16, 1.8V, 60ball VFBGA - Tray |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16MD1-6BCNTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 166MHz; FBGA60; reel Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -30...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA60 Operating voltage: 1.8V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16MD1-6BCNTR | Alliance Memory |
DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16M x 16 Mobile DDR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16MD1A-6BIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16MD1A-6BIN - DRAM, Mobile DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FPBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile DDR1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16MSA-6BIN | Alliance Memory |
DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16MSA-6BIN | Alliance Memory |
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,95, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 166 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-54 Од. вкількість в упаковці: 348 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16MSA-6BINTR | Alliance Memory |
DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16MSB-6BIN | Alliance Memory |
DRAM LPSDRAM, 256M, 16M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 16 X 16MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 319 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16MSB-6BINTR | Alliance Memory |
DRAM LPSDRAM, 256M, 16M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 16 X 16MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16S-6BIN | Alliance Memory |
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16S-6TAN | Alliance Memory |
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16S-6TCN | Alliance Memory |
DRAM 256M SDRAM 16M X 16 166MHz |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16S-6TIN | Alliance Memory |
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16S-6TIN | Alliance Memory |
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шткількість в упаковці: 108 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||
|
AS4C16M16S-6TINTR | Alliance Memory |
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16S-7TCN | Alliance Memory |
DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 16M x 16 SDRAM |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16SA-6BAN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54 Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA54 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5.4ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
AS4C16M16SA-6BAN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16SA-6BAN | Alliance Memory |
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp - Tray |
на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16SA-6BAN | Alliance Memory |
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: шткількість в упаковці: 348 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||
|
AS4C16M16SA-6BANTR | Alliance Memory |
DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16SA-6BIN | Alliance Memory |
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AS4C16M16SA-6BIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TFBGA, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AS4C16M16SA-6BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3÷3.6V; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: TFBGA54 Operating voltage: 3...3.6V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 6ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | |||
| AS4C16M16SA-6BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54 Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA54 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5.4ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| AS4C128M8D3LC-12BCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C128M8D3LC-12BCN - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 800 MHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C128M8D3LC-12BCN - DRAM, DDR3, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 800 MHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR3
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 800MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C128M8D3LC-12BCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Commercial Temp, T&R, C Die
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Commercial Temp, T&R, C Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C128M8D3LC-12BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (C-die), Industrial Temp - Tray
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (C-die), Industrial Temp - Tray
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C128M8D3LC-12BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Industrial Temp, T&R, C Die
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Industrial Temp, T&R, C Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1-5BCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1-5BCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16D1-5BCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1-5BCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1-5BCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C16M16D1-5BCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tape & Reel
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tape & Reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1-5BCNTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1-5BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; -40÷85°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; -40÷85°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1-5BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, BGA, 200 MHz, Industrial Temp - Tray
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, BGA, 200 MHz, Industrial Temp - Tray
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16D1-5BINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; -40÷85°C
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; -40÷85°C
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1-5BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1A-5TAN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1A-5TANTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16M x 16 DDR1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1A-5TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A)
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16D1A-5TCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 66Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 66Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C16M16D1A-5TCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP66 II
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP66 II
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1A-5TCNTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP66 II
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP66 II
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1A-5TCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM
DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1A-5TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TIN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 66Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1A-5TIN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 66Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C16M16D1A-5TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A)
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16D1A-5TIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP66 II
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP66 II
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1A-5TINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP66 II
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP66 II
Operating voltage: 2.5V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D1A-5TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A), T&R
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A), T&R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16D2-25BCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16D2-25BCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA84
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 12.5ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA84
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 12.5ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D2-25BCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D2-25BCNTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA84
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 12.5ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA84
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 12.5ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D2-25BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA84
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 12.5ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA84
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 12.5ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D2-25BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16D2-25BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
DRAM DDR2, 256M, 16M X 16, 1.8V, 84-BALL BGA, 400MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16D2-25BINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA84
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 12.5ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA84
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 12.5ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16MD1-6BCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16MD1-6BCN - DRAM, LPDDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FPBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: LPDDR1
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16MD1-6BCN - DRAM, LPDDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FPBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: LPDDR1
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C16M16MD1-6BCN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.7÷1.95V; 166MHz; 6.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -30...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FPBGA60
Operating voltage: 1.7...1.95V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 6.5ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.7÷1.95V; 166MHz; 6.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -30...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FPBGA60
Operating voltage: 1.7...1.95V
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 6.5ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16MD1-6BCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPDDR1, 256M, 16 x 16, 1.8V, 60ball VFBGA - Tray
DRAM LPDDR1, 256M, 16 x 16, 1.8V, 60ball VFBGA - Tray
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16MD1-6BCNTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 166MHz; FBGA60; reel
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -30...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA60
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 1.8V; 166MHz; FBGA60; reel
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -30...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA60
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16MD1-6BCNTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16M x 16 Mobile DDR
DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16M x 16 Mobile DDR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16MD1A-6BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16MD1A-6BIN - DRAM, Mobile DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FPBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16MD1A-6BIN - DRAM, Mobile DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FPBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C16M16MSA-6BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16MSA-6BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,95, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 166 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-54 Од. в
кількість в упаковці: 348 шт
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,7...1,95, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 166 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-54 Од. в
кількість в упаковці: 348 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16MSA-6BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16MSB-6BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPSDRAM, 256M, 16M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 16 X 16MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die
DRAM LPSDRAM, 256M, 16M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 16 X 16MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16MSB-6BINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPSDRAM, 256M, 16M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 16 X 16MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die
DRAM LPSDRAM, 256M, 16M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 16 X 16MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16S-6BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16S-6TAN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16S-6TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256M SDRAM 16M X 16 166MHz
DRAM 256M SDRAM 16M X 16 166MHz
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16S-6TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16S-6TIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 108 шт
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 108 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 108+ | 164.39 грн |
| AS4C16M16S-6TINTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16S-7TCN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 16M x 16 SDRAM
DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 16M x 16 SDRAM
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16SA-6BAN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...105°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA54
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...105°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA54
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16SA-6BAN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C16M16SA-6BAN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp - Tray
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp - Tray
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16SA-6BAN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 348 шт
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 348 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 348+ | 433.84 грн |
| AS4C16M16SA-6BANTR |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16SA-6BIN |
![]() |
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AS4C16M16SA-6BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AS4C16M16SA-6BIN |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3÷3.6V; 166MHz; 6ns; TFBGA54
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TFBGA54
Operating voltage: 3...3.6V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 6ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3÷3.6V; 166MHz; 6ns; TFBGA54
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TFBGA54
Operating voltage: 3...3.6V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 6ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AS4C16M16SA-6BINTR |
![]() |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA54
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA54
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.


















