Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (2261) > Сторінка 5 з 38

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AS4C16M16SA-6BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA54
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TAN AS4C16M16SA-6TAN ALLIANCE MEMORY 256M-AS4C16M16SA-Automotive_v2.0_March-2015.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TAN AS4C16M16SA-6TAN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
Access time: 5.4ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1261.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TAN AS4C16M16SA-6TAN Alliance Memory 256M-AS4C16M16SA-Automotive_v2.0_March 2015-1265404.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp - Tray
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TANTR AS4C16M16SA-6TANTR Alliance Memory 256M-AS4C16M16SA-Automotive_v2.0_March 2015-1265404.pdf DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCN AS4C16M16SA-6TCN ALLIANCE MEMORY as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
Access time: 5.4ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+897.04 грн
2+696.68 грн
10+640.81 грн
25+616.26 грн
50+594.25 грн
108+580.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCN AS4C16M16SA-6TCN Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, Commercial Temp - Tray
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCN AS4C16M16SA-6TCN ALLIANCE MEMORY 3999938.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCNTR AS4C16M16SA-6TCNTR ALLIANCE MEMORY as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCNTR AS4C16M16SA-6TCNTR Alliance Memory 256Mb_AS4C16M16SA_CI_V3.0_March_2015.pdf DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, Commercial Temp Tape and Reel, A Die
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TIN ALLIANCE MEMORY as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; in-tray
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TIN Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TIN ALLIANCE MEMORY 3999938.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TINTR AS4C16M16SA-6TINTR Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, A Die
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7BCN AS4C16M16SA-7BCN Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7BCN AS4C16M16SA-7BCN ALLIANCE MEMORY 3999938.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7BCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7BCNTR AS4C16M16SA-7BCNTR Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp(.63) Tape and Reel, A Die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCN AS4C16M16SA-7TCN Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray
на замовлення 11277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCN AS4C16M16SA-7TCN ALLIANCE MEMORY as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 143MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCN AS4C16M16SA-7TCN ALLIANCE MEMORY 3999938.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7TCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCNTR AS4C16M16SA-7TCNTR Alliance Memory 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, A Die
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCNTR AS4C16M16SA-7TCNTR ALLIANCE MEMORY as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Operating voltage: 3.3V
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6BIN AS4C16M16SB-6BIN ALLIANCE MEMORY 3999940.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SB-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6BIN AS4C16M16SB-6BIN Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TINTCN_25June2021_Rev2.0.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6BINTR AS4C16M16SB-6BINTR Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp(.63) Tape and Reel, B Die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TIN AS4C16M16SB-6TIN ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB-xBIN_TINTCN_25June2021_Rev2.0.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TIN AS4C16M16SB-6TIN Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TIN AS4C16M16SB-6TIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TINTR AS4C16M16SB-6TINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TINTR AS4C16M16SB-6TINTR Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, B Die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-7TCN AS4C16M16SB-7TCN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 143MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-7TCN AS4C16M16SB-7TCN Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TINTCN_25June2021_Rev2.0.pdf DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-7TCNTR AS4C16M16SB-7TCNTR Alliance Memory AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TINTCN_25June2021_Rev2.0.pdf DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, B Die
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCN AS4C16M32MD1-5BCN Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCN AS4C16M32MD1-5BCN ALLIANCE MEMORY 3999967.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M32MD1-5BCN - DRAM, LPDDR1, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, FBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: LPDDR1
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCNTR AS4C16M32MD1-5BCNTR Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCNTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -25...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Case: FBGA90
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BIN AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Case: FBGA90
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BINTR Alliance Memory 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Case: FBGA90
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1B-5BIN AS4C16M32MD1B-5BIN ALLIANCE MEMORY Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M32MD1B-5BIN - DRAM, 512MBIT, 200MHZ, FPBGA-90
tariffCode: 0
DRAM-Ausführung: Mobile DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32bit
directShipCharge: 25
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MS-6BIN AS4C16M32MS-6BIN Alliance Memory 512M%20-%20LOW%20POWER%20SDRAM_AS4C32M16MS-7BCN__AS4C32M16-1265324.pdf DRAM 512M 1.8V 166MHz 16Mx16 LP MSDR
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MS-7BCN AS4C16M32MS-7BCN Alliance Memory 512M%20-%20LOW%20POWER%20SDRAM_AS4C32M16MS-7BCN__AS4C32M16-1265324.pdf DRAM 512M 1.8V 133MHz 16Mx16 LP MSDR
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MSA-6BIN AS4C16M32MSA-6BIN Alliance Memory 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA_-3680841.pdf DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MSA-6BINTR AS4C16M32MSA-6BINTR Alliance Memory 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA--1282129.pdf DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MSB-6BIN AS4C16M32MSB-6BIN Alliance Memory AllianceMemory_512M_LPSDRAM_Bdie_AS4C16M32MSB_6BINTR_rev1.0_17Aug2021.pdf DRAM LPSDRAM, 512M, 16M X 32, 1.8V, 90 BALL, BGA 8X13MM, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP, B Die
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MSB-6BINTR AS4C16M32MSB-6BINTR Alliance Memory AllianceMemory_512M_LPSDRAM_Bdie_AS4C16M32MSB-6BINTR_rev1.0_17Aug2021.pdf DRAM LPSDRAM, 512M, 16M X 32, 1.8V, 90 BALL, BGA 8X13MM, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SB-6BCN Alliance Memory AllianceMemory_512Mb_AS4C16M32SB_6BxN_Datasheet_16Feb2023_ver1.0.pdf DRAM SDR, 512Mb, 16M x 32, 3.3v, 54-ball FBGA, 166MHz. Commercial Temp, B Die
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SB-6BCNTR Alliance Memory AllianceMemory_512Mb_AS4C16M32SB_6BxN_Datasheet_16-3600255.pdf DRAM SDR, 512Mb, 16M x 32, 3.3v, 54-ball FBGA, 166MHz. Commercial Temp,T&R- B Die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC-7TIN Alliance Memory AllianceMemory_512M_SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC_AS4C32M-2301376.pdf DRAM SDR, 512MB, 16M x 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC-7TIN ALLIANCE MEMORY AS4C16M32SC.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Case: TSOP86 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3...3.6V
Access time: 5.4ns
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1803.20 грн
5+1506.79 грн
25+1383.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SC-7TINTR AS4C16M32SC-7TINTR Alliance Memory AllianceMemory_512M_SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC_AS4C32M-2301376.pdf DRAM 512Mb 16Mx32 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4-062BCN AS4C1G16D4-062BCN ALLIANCE MEMORY ALLM-S-A0017317104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C1G16D4-062BCN - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4-062BCN AS4C1G16D4-062BCN Alliance Memory AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4-062BCN_BIN_Ver2.0_Aug2024.pdf DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2V, 96-Ball FBGA SDRAM, Commercial Temp - Tray
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4-062BIN Alliance Memory AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4_062BCN_BIN_Ver2.0_Aug2024.pdf DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2v, 96-ball FBGA, 1600MHz, Industrial
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4A-62BCN AS4C1G16D4A-62BCN ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_AS4C1G16D4A_AS4C2G8D4A_16Gb_DDR4_Datasheet_Rev1.0_Aug2024.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C1G16D4A-62BCN - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4A-62BCN Alliance Memory AllianceMemory_AS4C1G16D4A_AS4C2G8D4A_16Gb_DDR4_Da-3600271.pdf DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2v, 96-ball FBGA, 1600MHz, Commercial, RevA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16MD4VA-046BIN AS4C1G16MD4VA-046BIN ALLIANCE MEMORY 4632289.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C1G16MD4VA-046BIN - DRAM, LPDDR4X, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: LPDDR4X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16MD4VA-046BIN AS4C1G16MD4VA-046BIN ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_8Gb_16Gb_x16_x32_LPDDR4X_RevA_Datasheet_Rev1.1_Mar-2026.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C1G16MD4VA-046BIN - DRAM, 16GBIT, 2.133GHZ, FBGA-200
tariffCode: 0
DRAM-Ausführung: LPDDR4X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16bit
directShipCharge: 25
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: FBGA54
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TAN 256M-AS4C16M16SA-Automotive_v2.0_March-2015.pdf
AS4C16M16SA-6TAN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TAN Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SA-6TAN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
Access time: 5.4ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1261.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TAN 256M-AS4C16M16SA-Automotive_v2.0_March 2015-1265404.pdf
AS4C16M16SA-6TAN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp - Tray
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TANTR 256M-AS4C16M16SA-Automotive_v2.0_March 2015-1265404.pdf
AS4C16M16SA-6TANTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCN as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SA-6TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 166MHz
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3.3V
Access time: 5.4ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+897.04 грн
2+696.68 грн
10+640.81 грн
25+616.26 грн
50+594.25 грн
108+580.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCN 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-6TCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, Commercial Temp - Tray
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCN 3999938.pdf
AS4C16M16SA-6TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCNTR as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SA-6TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TCNTR 256Mb_AS4C16M16SA_CI_V3.0_March_2015.pdf
AS4C16M16SA-6TCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, Commercial Temp Tape and Reel, A Die
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TIN as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SA-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; in-tray
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TIN 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-6TIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TIN 3999938.pdf
AS4C16M16SA-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-6TINTR 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-6TINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, A Die
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7BCN 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-7BCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7BCN 3999938.pdf
AS4C16M16SA-7BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7BCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7BCNTR 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-7BCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp(.63) Tape and Reel, A Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCN 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-7TCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray
на замовлення 11277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCN as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SA-7TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 143MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCN 3999938.pdf
AS4C16M16SA-7TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7TCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 143MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCNTR 256Mb-AS4C16M16SA-C_I_V3.0_March 2015-1265232.pdf
AS4C16M16SA-7TCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, A Die
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SA-7TCNTR as4c16m16sa.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SA-7TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 143MHz
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
Operating voltage: 3.3V
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6BIN 3999940.pdf
AS4C16M16SB-6BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SB-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6BIN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TINTCN_25June2021_Rev2.0.pdf
AS4C16M16SB-6BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6BINTR AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf
AS4C16M16SB-6BINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp(.63) Tape and Reel, B Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TIN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB-xBIN_TINTCN_25June2021_Rev2.0.pdf
AS4C16M16SB-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 256Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TIN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf
AS4C16M16SB-6TIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TIN Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SB-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TINTR Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SB-6TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-6TINTR AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TI-2510978.pdf
AS4C16M16SB-6TINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, B Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-7TCN Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M16SB-7TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 143MHz
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Case: TSOP54 II
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 5.4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-7TCN AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TINTCN_25June2021_Rev2.0.pdf
AS4C16M16SB-7TCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M16SB-7TCNTR AllianceMemory_256M_SDRAM_Bdie_AS4C16M16SB_xBIN_TINTCN_25June2021_Rev2.0.pdf
AS4C16M16SB-7TCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, B Die
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
AS4C16M32MD1-5BCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCN 3999967.pdf
AS4C16M32MD1-5BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M32MD1-5BCN - DRAM, LPDDR1, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, FBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: LPDDR1
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCNTR 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
AS4C16M32MD1-5BCNTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BCNTR Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -25...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Case: FBGA90
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BIN 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
AS4C16M32MD1-5BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BIN Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Case: FBGA90
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BINTR 512M-AS4C16M32MD1-5BCN_mobile_ddr-1-1288879.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1-5BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90
Kind of package: reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Case: FBGA90
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SDRAM
Mounting: SMD
Access time: 15ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MD1B-5BIN
AS4C16M32MD1B-5BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M32MD1B-5BIN - DRAM, 512MBIT, 200MHZ, FPBGA-90
tariffCode: 0
DRAM-Ausführung: Mobile DDR1
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32bit
directShipCharge: 25
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MS-6BIN 512M%20-%20LOW%20POWER%20SDRAM_AS4C32M16MS-7BCN__AS4C32M16-1265324.pdf
AS4C16M32MS-6BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 1.8V 166MHz 16Mx16 LP MSDR
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MS-7BCN 512M%20-%20LOW%20POWER%20SDRAM_AS4C32M16MS-7BCN__AS4C32M16-1265324.pdf
AS4C16M32MS-7BCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 1.8V 133MHz 16Mx16 LP MSDR
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MSA-6BIN 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA_-3680841.pdf
AS4C16M32MSA-6BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MSA-6BINTR 20171206_AllianceMemory_512M_LPSDRAM_AS4C16M32MSA--1282129.pdf
AS4C16M32MSA-6BINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MSB-6BIN AllianceMemory_512M_LPSDRAM_Bdie_AS4C16M32MSB_6BINTR_rev1.0_17Aug2021.pdf
AS4C16M32MSB-6BIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPSDRAM, 512M, 16M X 32, 1.8V, 90 BALL, BGA 8X13MM, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP, B Die
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32MSB-6BINTR AllianceMemory_512M_LPSDRAM_Bdie_AS4C16M32MSB-6BINTR_rev1.0_17Aug2021.pdf
AS4C16M32MSB-6BINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM LPSDRAM, 512M, 16M X 32, 1.8V, 90 BALL, BGA 8X13MM, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SB-6BCN AllianceMemory_512Mb_AS4C16M32SB_6BxN_Datasheet_16Feb2023_ver1.0.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 512Mb, 16M x 32, 3.3v, 54-ball FBGA, 166MHz. Commercial Temp, B Die
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SB-6BCNTR AllianceMemory_512Mb_AS4C16M32SB_6BxN_Datasheet_16-3600255.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 512Mb, 16M x 32, 3.3v, 54-ball FBGA, 166MHz. Commercial Temp,T&R- B Die
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SC-7TIN AllianceMemory_512M_SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC_AS4C32M-2301376.pdf
AS4C16M32SC-7TIN
Виробник: Alliance Memory
DRAM SDR, 512MB, 16M x 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SC-7TIN AS4C16M32SC.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C16M32SC-7TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx32bit
Clock frequency: 133MHz
Case: TSOP86 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 3...3.6V
Access time: 5.4ns
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1803.20 грн
5+1506.79 грн
25+1383.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C16M32SC-7TINTR AllianceMemory_512M_SDRAM_Cdie_AS4C16M32SC_AS4C32M-2301376.pdf
AS4C16M32SC-7TINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512Mb 16Mx32 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4-062BCN ALLM-S-A0017317104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AS4C1G16D4-062BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C1G16D4-062BCN - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4-062BCN AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4-062BCN_BIN_Ver2.0_Aug2024.pdf
AS4C1G16D4-062BCN
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2V, 96-Ball FBGA SDRAM, Commercial Temp - Tray
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4-062BIN AllianceMemory_16Gb_DDR4_AS4C1G16D4_062BCN_BIN_Ver2.0_Aug2024.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2v, 96-ball FBGA, 1600MHz, Industrial
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4A-62BCN AllianceMemory_AS4C1G16D4A_AS4C2G8D4A_16Gb_DDR4_Datasheet_Rev1.0_Aug2024.pdf
AS4C1G16D4A-62BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C1G16D4A-62BCN - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16D4A-62BCN AllianceMemory_AS4C1G16D4A_AS4C2G8D4A_16Gb_DDR4_Da-3600271.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2v, 96-ball FBGA, 1600MHz, Commercial, RevA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16MD4VA-046BIN 4632289.pdf
AS4C1G16MD4VA-046BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C1G16MD4VA-046BIN - DRAM, LPDDR4X, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: LPDDR4X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C1G16MD4VA-046BIN AllianceMemory_8Gb_16Gb_x16_x32_LPDDR4X_RevA_Datasheet_Rev1.1_Mar-2026.pdf
AS4C1G16MD4VA-046BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C1G16MD4VA-046BIN - DRAM, 16GBIT, 2.133GHZ, FBGA-200
tariffCode: 0
DRAM-Ausführung: LPDDR4X
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16bit
directShipCharge: 25
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]