Продукція > ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED > Всі товари виробника ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED (147) > Сторінка 1 з 3

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1.5SMC33CA 1.5SMC33CA ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_1.5SMC%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.57 грн
6000+8.40 грн
9000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC33CA 1.5SMC33CA ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_1.5SMC%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.63 грн
13+25.11 грн
100+16.03 грн
500+11.35 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002EY.pdf Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002EY.pdf Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.85 грн
6000+1.58 грн
9000+1.48 грн
15000+1.28 грн
21000+1.21 грн
30000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 30SQ045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.16 грн
3000+24.96 грн
4500+23.86 грн
7500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 30SQ045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.30 грн
10+60.69 грн
100+40.21 грн
500+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40SQ045.pdf Description: 40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40SQ045.pdf Description: 40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+92.80 грн
100+62.51 грн
500+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120P AS1M025120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 1000 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2297.64 грн
30+1725.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120T AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 1000 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2704.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M040120T AS1M040120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M040120T.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1669.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M080120P AS1M080120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M080120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 1000 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.76 грн
30+578.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.54 грн
46+7.00 грн
100+4.35 грн
500+2.96 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.36 грн
6000+2.02 грн
9000+1.89 грн
15000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.30 грн
6000+2.88 грн
9000+2.72 грн
15000+2.39 грн
21000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.39 грн
30+10.87 грн
100+6.75 грн
500+4.64 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.59 грн
6000+3.20 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.73 грн
23+14.08 грн
100+6.88 грн
500+5.38 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AS2M040120P AS2M040120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1667.44 грн
30+1020.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.39 грн
30+11.03 грн
100+6.83 грн
500+4.70 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.43 грн
6000+2.96 грн
9000+2.78 грн
15000+2.42 грн
21000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.72 грн
33+9.98 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020065A AS3D020065A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020065A.pdf Description: 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.23 грн
50+194.66 грн
100+179.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120C AS3D020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120C.pdf Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.80 грн
10+408.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120P2 AS3D020120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120P2.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.19 грн
30+302.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030065C AS3D030065C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030065C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1805pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.63 грн
30+372.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030120P2 AS3D030120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030120P2.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.36 грн
30+454.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D040120P2 AS3D040120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D040120P2.pdf Description: 1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.72 грн
10+798.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.31 грн
6000+7.83 грн
9000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.61 грн
13+25.67 грн
100+12.97 грн
500+10.79 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ASB05LCDF-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ASB05LCDF-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.36 грн
182+1.77 грн
223+1.36 грн
240+1.26 грн
267+1.13 грн
500+1.03 грн
1000+0.95 грн
5000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
ASZD020120C ASZD020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ASZD020120C ASZD020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819WS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.35 грн
6000+2.01 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819WS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.70 грн
46+7.00 грн
100+4.31 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV21W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.50 грн
6000+1.27 грн
9000+1.19 грн
15000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV21W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.36 грн
71+4.59 грн
114+2.83 грн
500+1.91 грн
1000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21WS BAV21WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19WS%20thru%20BAV21WS.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21WS BAV21WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19WS%20thru%20BAV21WS.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.36 грн
71+4.59 грн
114+2.83 грн
500+1.91 грн
1000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.91 грн
21+15.53 грн
100+9.75 грн
500+6.80 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS84.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.36 грн
6000+2.02 грн
9000+1.89 грн
15000+1.64 грн
21000+1.56 грн
30000+1.49 грн
75000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS84.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.54 грн
46+7.00 грн
100+4.35 грн
500+2.96 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD3Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.52 грн
75+4.35 грн
77+4.19 грн
87+3.49 грн
100+3.24 грн
250+2.89 грн
500+2.37 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD3Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.19 грн
60+5.39 грн
100+3.28 грн
500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+10.03 грн
56+5.79 грн
100+3.53 грн
500+2.39 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC05C GBLC05C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED GBLC05C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC05C GBLC05C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED GBLC05C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC12C GBLC12C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED GBLC12C.pdf?time=1699378186 Description: TVS DIODE 12V VBR MIN 13.3V SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC12C GBLC12C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED GBLC12C.pdf?time=1699378186 Description: TVS DIODE 12V VBR MIN 13.3V SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.52 грн
55+5.96 грн
58+5.63 грн
65+4.71 грн
100+4.39 грн
250+3.90 грн
500+3.20 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222A MMBT2222A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2222x.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.51 грн
6000+1.29 грн
9000+1.20 грн
15000+1.04 грн
21000+0.98 грн
30000+0.93 грн
75000+0.80 грн
150000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222A MMBT2222A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2222x.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.36 грн
69+4.67 грн
113+2.85 грн
500+1.93 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A MMBT2907A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907x.PDF Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.36 грн
65+4.99 грн
105+3.07 грн
500+2.08 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A MMBT2907A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907x.PDF Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
6000+1.40 грн
9000+1.30 грн
15000+1.13 грн
21000+1.07 грн
30000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT3904.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.06 грн
6000+0.90 грн
9000+0.84 грн
15000+0.72 грн
21000+0.68 грн
30000+0.64 грн
75000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC33CA DS_4530_1.5SMC%20SERIES.pdf
1.5SMC33CA
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.57 грн
6000+8.40 грн
9000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC33CA DS_4530_1.5SMC%20SERIES.pdf
1.5SMC33CA
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.63 грн
13+25.11 грн
100+16.03 грн
500+11.35 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY.pdf
2N7002EY
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY.pdf
2N7002EY
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.85 грн
6000+1.58 грн
9000+1.48 грн
15000+1.28 грн
21000+1.21 грн
30000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045.pdf
30SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+28.16 грн
3000+24.96 грн
4500+23.86 грн
7500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045.pdf
30SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
10+60.69 грн
100+40.21 грн
500+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045.pdf
40SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045.pdf
40SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.28 грн
10+92.80 грн
100+62.51 грн
500+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120P AS1M025120P.pdf
AS1M025120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 1000 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2297.64 грн
30+1725.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120T AS1M025120T.pdf
AS1M025120T
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 1000 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2704.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M040120T AS1M040120T.pdf
AS1M040120T
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1669.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M080120P AS1M080120P.pdf
AS1M080120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 1000 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.76 грн
30+578.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302.pdf
AS2302
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.54 грн
46+7.00 грн
100+4.35 грн
500+2.96 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302.pdf
AS2302
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.36 грн
6000+2.02 грн
9000+1.89 грн
15000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312.pdf
AS2312
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.30 грн
6000+2.88 грн
9000+2.72 грн
15000+2.39 грн
21000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312.pdf
AS2312
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.39 грн
30+10.87 грн
100+6.75 грн
500+4.64 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324.pdf
AS2324
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.59 грн
6000+3.20 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324.pdf
AS2324
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.73 грн
23+14.08 грн
100+6.88 грн
500+5.38 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AS2M040120P AS2M040120P.pdf
AS2M040120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1667.44 грн
30+1020.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400.pdf
AS3400
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.39 грн
30+11.03 грн
100+6.83 грн
500+4.70 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400.pdf
AS3400
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401.pdf
AS3401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.43 грн
6000+2.96 грн
9000+2.78 грн
15000+2.42 грн
21000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401.pdf
AS3401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.72 грн
33+9.98 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020065A AS3D020065A.pdf
AS3D020065A
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.23 грн
50+194.66 грн
100+179.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120C AS3D020120C.pdf
AS3D020120C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.80 грн
10+408.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120P2 AS3D020120P2.pdf
AS3D020120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.19 грн
30+302.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030065C AS3D030065C.pdf
AS3D030065C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1805pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.63 грн
30+372.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030120P2 AS3D030120P2.pdf
AS3D030120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE ARR SIC 1200V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.36 грн
30+454.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D040120P2 AS3D040120P2.pdf
AS3D040120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+917.72 грн
10+798.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004.pdf
AS6004
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.31 грн
6000+7.83 грн
9000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004.pdf
AS6004
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.61 грн
13+25.67 грн
100+12.97 грн
500+10.79 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF-Q1.pdf
ASB05LCDF
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF-Q1.pdf
ASB05LCDF
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.36 грн
182+1.77 грн
223+1.36 грн
240+1.26 грн
267+1.13 грн
500+1.03 грн
1000+0.95 грн
5000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
ASZD020120C
ASZD020120C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ASZD020120C
ASZD020120C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS.pdf
B5819WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.35 грн
6000+2.01 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS.pdf
B5819WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.70 грн
46+7.00 грн
100+4.31 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf
BAV21W
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.50 грн
6000+1.27 грн
9000+1.19 грн
15000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf
BAV21W
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.36 грн
71+4.59 грн
114+2.83 грн
500+1.91 грн
1000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21WS BAV19WS%20thru%20BAV21WS.pdf
BAV21WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21WS BAV19WS%20thru%20BAV21WS.pdf
BAV21WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.36 грн
71+4.59 грн
114+2.83 грн
500+1.91 грн
1000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16.pdf
BCP56-16
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16.pdf
BCP56-16
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.91 грн
21+15.53 грн
100+9.75 грн
500+6.80 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84.pdf
BSS84
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.36 грн
6000+2.02 грн
9000+1.89 грн
15000+1.64 грн
21000+1.56 грн
30000+1.49 грн
75000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84.pdf
BSS84
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.54 грн
46+7.00 грн
100+4.35 грн
500+2.96 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C-Q1.pdf
ESD3Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.52 грн
75+4.35 грн
77+4.19 грн
87+3.49 грн
100+3.24 грн
250+2.89 грн
500+2.37 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C-Q1.pdf
ESD3Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0-Q1.pdf
ESD5Z5.0
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0-Q1.pdf
ESD5Z5.0
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.19 грн
60+5.39 грн
100+3.28 грн
500+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C-Q1.pdf
ESD5Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C-Q1.pdf
ESD5Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.03 грн
56+5.79 грн
100+3.53 грн
500+2.39 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC05C GBLC05C-Q1.pdf
GBLC05C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.95 грн
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC05C GBLC05C-Q1.pdf
GBLC05C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC12C GBLC12C.pdf?time=1699378186
GBLC12C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 12V VBR MIN 13.3V SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC12C GBLC12C.pdf?time=1699378186
GBLC12C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 12V VBR MIN 13.3V SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.52 грн
55+5.96 грн
58+5.63 грн
65+4.71 грн
100+4.39 грн
250+3.90 грн
500+3.20 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222A MMBT2222x.pdf
MMBT2222A
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.51 грн
6000+1.29 грн
9000+1.20 грн
15000+1.04 грн
21000+0.98 грн
30000+0.93 грн
75000+0.80 грн
150000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222A MMBT2222x.pdf
MMBT2222A
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.36 грн
69+4.67 грн
113+2.85 грн
500+1.93 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A MMBT2907x.PDF
MMBT2907A
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.36 грн
65+4.99 грн
105+3.07 грн
500+2.08 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A MMBT2907x.PDF
MMBT2907A
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.64 грн
6000+1.40 грн
9000+1.30 грн
15000+1.13 грн
21000+1.07 грн
30000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 DS_4530_MMBT3904.pdf
MMBT3904
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.06 грн
6000+0.90 грн
9000+0.84 грн
15000+0.72 грн
21000+0.68 грн
30000+0.64 грн
75000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]