Продукція > ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED > Всі товари виробника ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED (133) > Сторінка 1 з 3

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002EY 2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002EY.pdf Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.66 грн
6000+1.44 грн
9000+1.36 грн
15000+1.18 грн
21000+1.13 грн
30000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002EY.pdf Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.42 грн
52+5.90 грн
100+3.60 грн
500+2.44 грн
1000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 30SQ045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.45 грн
3000+23.44 грн
4500+22.41 грн
7500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 30SQ045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.20 грн
10+56.99 грн
100+37.76 грн
500+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40SQ045.pdf Description: 40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40SQ045.pdf Description: 40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.08 грн
10+87.16 грн
100+58.71 грн
500+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120P AS1M025120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 1000 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.89 грн
30+1620.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120T AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 1000 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2540.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M040120T AS1M040120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M040120T.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1567.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M080120P AS1M080120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M080120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 1000 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.62 грн
30+542.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.77 грн
45+6.73 грн
100+4.16 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
6000+2.70 грн
9000+2.56 грн
15000+2.25 грн
21000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.27 грн
30+10.20 грн
100+6.34 грн
500+4.36 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
23+13.23 грн
100+6.46 грн
500+5.06 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.37 грн
6000+3.01 грн
9000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2M040120P AS2M040120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.02 грн
30+958.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.27 грн
30+10.36 грн
100+6.42 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
6000+2.83 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.70 грн
32+9.52 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020065A AS3D020065A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020065A.pdf Description: 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.32 грн
50+182.82 грн
100+168.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120C AS3D020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120C.pdf Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.70 грн
10+383.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120P2 AS3D020120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120P2.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.97 грн
30+284.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030065C AS3D030065C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030065C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1805pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.27 грн
30+349.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030120P2 AS3D030120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030120P2.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.86 грн
30+426.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D040120P2 AS3D040120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D040120P2.pdf Description: 1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.90 грн
10+749.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
6000+7.35 грн
9000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.32 грн
13+24.11 грн
100+12.19 грн
500+10.13 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ASB05LCDF-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.85 грн
182+1.66 грн
223+1.28 грн
240+1.18 грн
267+1.06 грн
500+0.97 грн
1000+0.90 грн
5000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ASB05LCDF-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819WS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819WS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV21W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV21W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.85 грн
69+4.38 грн
113+2.70 грн
500+1.82 грн
1000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.12 грн
21+14.82 грн
100+9.33 грн
500+6.50 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS84.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
9000+1.81 грн
15000+1.57 грн
21000+1.50 грн
30000+1.42 грн
75000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS84.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.77 грн
45+6.73 грн
100+4.16 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD3Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD3Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.06 грн
75+4.08 грн
77+3.93 грн
87+3.28 грн
100+3.04 грн
250+2.71 грн
500+2.22 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.63 грн
59+5.14 грн
100+3.13 грн
500+2.12 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.20 грн
52+5.82 грн
100+3.55 грн
500+2.40 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC05C GBLC05C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED GBLC05C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
6000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC05C GBLC05C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED GBLC05C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC12C GBLC12C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED GBLC12C.pdf?time=1699378186 Description: TVS DIODE 12V VBR MIN 13.3V SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC12C GBLC12C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED GBLC12C.pdf?time=1699378186 Description: TVS DIODE 12V VBR MIN 13.3V SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.06 грн
55+5.59 грн
58+5.29 грн
65+4.43 грн
100+4.12 грн
250+3.66 грн
500+3.00 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT3904.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.06 грн
96+3.17 грн
156+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 MMBT3904 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT3904.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.02 грн
6000+0.86 грн
9000+0.80 грн
15000+0.69 грн
21000+0.65 грн
30000+0.61 грн
75000+0.52 грн
150000+0.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
mmbt4401 mmbt4401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT4401.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.57 грн
6000+1.34 грн
9000+1.25 грн
15000+1.08 грн
21000+1.02 грн
30000+0.97 грн
75000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
mmbt4401 mmbt4401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT4401.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 5362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.63 грн
64+4.76 грн
103+2.94 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403 MMBT4403 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT4403.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
6000+1.40 грн
9000+1.31 грн
15000+1.13 грн
21000+1.07 грн
30000+1.02 грн
75000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403 MMBT4403 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT4403.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.63 грн
61+4.99 грн
100+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 MMBT5401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT5401.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.57 грн
6000+1.34 грн
9000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 MMBT5401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_MMBT5401.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.63 грн
64+4.76 грн
103+2.94 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.63 грн
64+4.76 грн
103+2.94 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.57 грн
6000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D-A RS1D-A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED RS1D-A%20thru%20RS1M-A.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.06 грн
68+4.46 грн
111+2.74 грн
500+1.85 грн
1000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY.pdf
2N7002EY
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.66 грн
6000+1.44 грн
9000+1.36 грн
15000+1.18 грн
21000+1.13 грн
30000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY.pdf
2N7002EY
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.42 грн
52+5.90 грн
100+3.60 грн
500+2.44 грн
1000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045.pdf
30SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+26.45 грн
3000+23.44 грн
4500+22.41 грн
7500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045.pdf
30SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.20 грн
10+56.99 грн
100+37.76 грн
500+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045.pdf
40SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045.pdf
40SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.08 грн
10+87.16 грн
100+58.71 грн
500+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120P AS1M025120P.pdf
AS1M025120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 1000 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2157.89 грн
30+1620.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120T AS1M025120T.pdf
AS1M025120T
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 1000 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2540.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M040120T AS1M040120T.pdf
AS1M040120T
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1567.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M080120P AS1M080120P.pdf
AS1M080120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 1000 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+928.62 грн
30+542.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302.pdf
AS2302
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302.pdf
AS2302
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.77 грн
45+6.73 грн
100+4.16 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312.pdf
AS2312
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.10 грн
6000+2.70 грн
9000+2.56 грн
15000+2.25 грн
21000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312.pdf
AS2312
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.27 грн
30+10.20 грн
100+6.34 грн
500+4.36 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324.pdf
AS2324
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
23+13.23 грн
100+6.46 грн
500+5.06 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324.pdf
AS2324
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.37 грн
6000+3.01 грн
9000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS2M040120P AS2M040120P.pdf
AS2M040120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1566.02 грн
30+958.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400.pdf
AS3400
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400.pdf
AS3400
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.27 грн
30+10.36 грн
100+6.42 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401.pdf
AS3401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.28 грн
6000+2.83 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401.pdf
AS3401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.70 грн
32+9.52 грн
100+5.90 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020065A AS3D020065A.pdf
AS3D020065A
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.32 грн
50+182.82 грн
100+168.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120C AS3D020120C.pdf
AS3D020120C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.70 грн
10+383.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120P2 AS3D020120P2.pdf
AS3D020120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.97 грн
30+284.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030065C AS3D030065C.pdf
AS3D030065C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1805pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.27 грн
30+349.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030120P2 AS3D030120P2.pdf
AS3D030120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE ARR SIC 1200V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.86 грн
30+426.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D040120P2 AS3D040120P2.pdf
AS3D040120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.90 грн
10+749.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004.pdf
AS6004
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.81 грн
6000+7.35 грн
9000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004.pdf
AS6004
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.32 грн
13+24.11 грн
100+12.19 грн
500+10.13 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF-Q1.pdf
ASB05LCDF
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.85 грн
182+1.66 грн
223+1.28 грн
240+1.18 грн
267+1.06 грн
500+0.97 грн
1000+0.90 грн
5000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF-Q1.pdf
ASB05LCDF
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS.pdf
B5819WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS.pdf
B5819WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf
BAV21W
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf
BAV21W
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 250 V
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.85 грн
69+4.38 грн
113+2.70 грн
500+1.82 грн
1000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16.pdf
BCP56-16
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.12 грн
21+14.82 грн
100+9.33 грн
500+6.50 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16.pdf
BCP56-16
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84.pdf
BSS84
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
9000+1.81 грн
15000+1.57 грн
21000+1.50 грн
30000+1.42 грн
75000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84.pdf
BSS84
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.77 грн
45+6.73 грн
100+4.16 грн
500+2.83 грн
1000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C-Q1.pdf
ESD3Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C-Q1.pdf
ESD3Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.06 грн
75+4.08 грн
77+3.93 грн
87+3.28 грн
100+3.04 грн
250+2.71 грн
500+2.22 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0-Q1.pdf
ESD5Z5.0
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0-Q1.pdf
ESD5Z5.0
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.63 грн
59+5.14 грн
100+3.13 грн
500+2.12 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C-Q1.pdf
ESD5Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.20 грн
52+5.82 грн
100+3.55 грн
500+2.40 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C-Q1.pdf
ESD5Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC05C GBLC05C-Q1.pdf
GBLC05C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
6000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC05C GBLC05C-Q1.pdf
GBLC05C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC12C GBLC12C.pdf?time=1699378186
GBLC12C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 12V VBR MIN 13.3V SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBLC12C GBLC12C.pdf?time=1699378186
GBLC12C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 12V VBR MIN 13.3V SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.06 грн
55+5.59 грн
58+5.29 грн
65+4.43 грн
100+4.12 грн
250+3.66 грн
500+3.00 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 DS_4530_MMBT3904.pdf
MMBT3904
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.06 грн
96+3.17 грн
156+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904 DS_4530_MMBT3904.pdf
MMBT3904
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.02 грн
6000+0.86 грн
9000+0.80 грн
15000+0.69 грн
21000+0.65 грн
30000+0.61 грн
75000+0.52 грн
150000+0.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
mmbt4401 DS_4530_MMBT4401.pdf
mmbt4401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.57 грн
6000+1.34 грн
9000+1.25 грн
15000+1.08 грн
21000+1.02 грн
30000+0.97 грн
75000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
mmbt4401 DS_4530_MMBT4401.pdf
mmbt4401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 5362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.63 грн
64+4.76 грн
103+2.94 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403 DS_4530_MMBT4403.pdf
MMBT4403
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.64 грн
6000+1.40 грн
9000+1.31 грн
15000+1.13 грн
21000+1.07 грн
30000+1.02 грн
75000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403 DS_4530_MMBT4403.pdf
MMBT4403
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.63 грн
61+4.99 грн
100+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 DS_4530_MMBT5401.pdf
MMBT5401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.57 грн
6000+1.34 грн
9000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401 DS_4530_MMBT5401.pdf
MMBT5401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.63 грн
64+4.76 грн
103+2.94 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT555x.pdf
MMBT5551
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.63 грн
64+4.76 грн
103+2.94 грн
500+1.99 грн
1000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 MMBT555x.pdf
MMBT5551
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.57 грн
6000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D-A RS1D-A%20thru%20RS1M-A.pdf
RS1D-A
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.06 грн
68+4.46 грн
111+2.74 грн
500+1.85 грн
1000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]