Продукція > ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED > Всі товари виробника ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED (154) > Сторінка 1 з 3

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1.5SMC33CA 1.5SMC33CA ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_1.5SMC%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.89 грн
13+23.50 грн
100+15.00 грн
500+10.62 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC33CA 1.5SMC33CA ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_1.5SMC%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.95 грн
6000+7.86 грн
9000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002EY.pdf Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.38 грн
53+5.72 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002EY.pdf Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.50 грн
15000+1.30 грн
21000+1.23 грн
30000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 30SQ045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.89 грн
10+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 30SQ045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40SQ045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 40A AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40SQ045.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 40A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.48 грн
10+77.87 грн
100+52.47 грн
500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120P AS1M025120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 1000 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2149.91 грн
30+1614.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120T AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2530.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M040120T AS1M040120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M040120T.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1561.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M080120P AS1M080120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M080120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.19 грн
30+540.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
15000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.73 грн
46+6.55 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.21 грн
30+10.17 грн
100+6.32 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
6000+2.69 грн
9000+2.55 грн
15000+2.24 грн
21000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.36 грн
6000+3.00 грн
9000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.33 грн
23+13.18 грн
100+6.44 грн
500+5.04 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2M040120P AS2M040120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P.pdf Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1560.23 грн
30+954.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 5160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.86 грн
34+9.11 грн
100+5.64 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
33+9.34 грн
100+5.77 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
9000+2.60 грн
15000+2.27 грн
21000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020065A AS3D020065A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020065A.pdf Description: 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.07 грн
50+182.15 грн
100+167.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120C AS3D020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120C.pdf Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.98 грн
10+382.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120P2 AS3D020120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120P2.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.19 грн
30+283.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030065C AS3D030065C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030065C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1805pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030120P2 AS3D030120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030120P2.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.36 грн
30+418.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D040120P2 AS3D040120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D040120P2.pdf Description: 1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.71 грн
10+747.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.38 грн
6000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004.pdf Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
16+19.81 грн
100+12.55 грн
500+8.83 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ASB05LCDF-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ASB05LCDF-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.82 грн
182+1.66 грн
223+1.27 грн
240+1.18 грн
267+1.06 грн
500+0.96 грн
1000+0.89 грн
5000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASZD020120C ASZD020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+149.32 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASZD020120C ASZD020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819WS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819WS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV21W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.22 грн
6000+1.03 грн
9000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV21W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.04 грн
80+3.77 грн
130+2.32 грн
500+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21WS BAV21WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19WS%20thru%20BAV21WS.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.54 грн
6000+1.31 грн
9000+1.22 грн
15000+1.05 грн
21000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21WS BAV21WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BAV19WS%20thru%20BAV21WS.pdf Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.60 грн
64+4.74 грн
105+2.89 грн
500+1.95 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B BC847B ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BC84x.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.39 грн
6000+1.19 грн
9000+1.10 грн
15000+0.95 грн
21000+0.90 грн
30000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B BC847B ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BC84x.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.82 грн
71+4.29 грн
115+2.64 грн
500+1.78 грн
1000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.59 грн
20+15.66 грн
100+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_BSS123.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.38 грн
54+5.65 грн
100+3.45 грн
500+2.34 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_BSS123.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.85 грн
6000+1.58 грн
9000+1.48 грн
15000+1.28 грн
21000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D35N-Q1 D35N-Q1 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED D35P-Q1-D35N-Q1.pdf Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.71 грн
10+66.50 грн
100+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D35P-Q1 D35P-Q1 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED D35P-Q1-D35N-Q1.pdf Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.71 грн
10+66.50 грн
100+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D50N-Q1 D50N-Q1 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED D50P-Q1-D50N-Q1.pdf Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D50N-Q1 D50N-Q1 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED D50P-Q1-D50N-Q1.pdf Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.66 грн
10+73.35 грн
100+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D50P-Q1 D50P-Q1 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED D50P-Q1-D50N-Q1.pdf Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D50P-Q1 D50P-Q1 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED D50P-Q1-D50N-Q1.pdf Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.66 грн
10+73.35 грн
100+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD3Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 320W
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.04 грн
75+4.07 грн
77+3.92 грн
87+3.27 грн
100+3.03 грн
250+2.70 грн
500+2.21 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD3Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 320W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+8.33 грн
62+4.90 грн
101+3.01 грн
500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ESD5Z5.0C-Q1.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.38 грн
58+5.27 грн
100+3.25 грн
500+2.20 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F35UN-Q1 F35UN-Q1 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED F35UP-Q1-F35UN-Q1.pdf Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.05 грн
10+67.70 грн
100+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC33CA DS_4530_1.5SMC%20SERIES.pdf
1.5SMC33CA
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.89 грн
13+23.50 грн
100+15.00 грн
500+10.62 грн
1000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC33CA DS_4530_1.5SMC%20SERIES.pdf
1.5SMC33CA
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7V DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 33.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.95 грн
6000+7.86 грн
9000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY.pdf
2N7002EY
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.38 грн
53+5.72 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EY 2N7002EY.pdf
2N7002EY
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.50 грн
15000+1.30 грн
21000+1.23 грн
30000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045.pdf
30SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.89 грн
10+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30SQ045 30SQ045.pdf
30SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045.pdf
40SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 40A AXIAL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
40SQ045 40SQ045.pdf
40SQ045
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 40A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.48 грн
10+77.87 грн
100+52.47 грн
500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120P AS1M025120P.pdf
AS1M025120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 1000 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2149.91 грн
30+1614.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M025120T AS1M025120T.pdf
AS1M025120T
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2530.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M040120T AS1M040120T.pdf
AS1M040120T
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1561.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS1M080120P AS1M080120P.pdf
AS1M080120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1475 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+925.19 грн
30+540.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302.pdf
AS2302
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.21 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
15000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2302 AS2302.pdf
AS2302
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.81 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.73 грн
46+6.55 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312.pdf
AS2312
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.21 грн
30+10.17 грн
100+6.32 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2312 AS2312.pdf
AS2312
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.09 грн
6000+2.69 грн
9000+2.55 грн
15000+2.24 грн
21000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324.pdf
AS2324
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.36 грн
6000+3.00 грн
9000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2324 AS2324.pdf
AS2324
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.33 грн
23+13.18 грн
100+6.44 грн
500+5.04 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS2M040120P AS2M040120P.pdf
AS2M040120P
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2946 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1560.23 грн
30+954.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400.pdf
AS3400
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 5160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.86 грн
34+9.11 грн
100+5.64 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3400 AS3400.pdf
AS3400
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401.pdf
AS3401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.64 грн
33+9.34 грн
100+5.77 грн
500+3.97 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3401 AS3401.pdf
AS3401
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
9000+2.60 грн
15000+2.27 грн
21000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020065A AS3D020065A.pdf
AS3D020065A
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.07 грн
50+182.15 грн
100+167.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120C AS3D020120C.pdf
AS3D020120C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+462.98 грн
10+382.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D020120P2 AS3D020120P2.pdf
AS3D020120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.19 грн
30+283.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030065C AS3D030065C.pdf
AS3D030065C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1805pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+611.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D030120P2 AS3D030120P2.pdf
AS3D030120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE ARR SIC 1200V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+734.36 грн
30+418.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS3D040120P2 AS3D040120P2.pdf
AS3D040120P2
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+858.71 грн
10+747.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004.pdf
AS6004
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.38 грн
6000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS6004 AS6004.pdf
AS6004
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.85 грн
16+19.81 грн
100+12.55 грн
500+8.83 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF-Q1.pdf
ASB05LCDF
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASB05LCDF ASB05LCDF-Q1.pdf
ASB05LCDF
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 22VC DFN2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN-2L (0402)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.82 грн
182+1.66 грн
223+1.27 грн
240+1.18 грн
267+1.06 грн
500+0.96 грн
1000+0.89 грн
5000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASZD020120C
ASZD020120C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+149.32 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASZD020120C
ASZD020120C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS.pdf
B5819WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B5819WS B5819WS.pdf
B5819WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf
BAV21W
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.22 грн
6000+1.03 грн
9000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W BAV19W%20thru%20BAV21W.pdf
BAV21W
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD123
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+7.04 грн
80+3.77 грн
130+2.32 грн
500+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21WS BAV19WS%20thru%20BAV21WS.pdf
BAV21WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.54 грн
6000+1.31 грн
9000+1.22 грн
15000+1.05 грн
21000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21WS BAV19WS%20thru%20BAV21WS.pdf
BAV21WS
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: DIODE STANDARD 250V 200MA SOD323
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.60 грн
64+4.74 грн
105+2.89 грн
500+1.95 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B BC84x.pdf
BC847B
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.39 грн
6000+1.19 грн
9000+1.10 грн
15000+0.95 грн
21000+0.90 грн
30000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B BC84x.pdf
BC847B
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.82 грн
71+4.29 грн
115+2.64 грн
500+1.78 грн
1000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16.pdf
BCP56-16
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16 BCP56-16.pdf
BCP56-16
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.59 грн
20+15.66 грн
100+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 DS_4530_BSS123.pdf
BSS123
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.38 грн
54+5.65 грн
100+3.45 грн
500+2.34 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 DS_4530_BSS123.pdf
BSS123
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.85 грн
6000+1.58 грн
9000+1.48 грн
15000+1.28 грн
21000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D35N-Q1 D35P-Q1-D35N-Q1.pdf
D35N-Q1
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.71 грн
10+66.50 грн
100+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D35P-Q1 D35P-Q1-D35N-Q1.pdf
D35P-Q1
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.71 грн
10+66.50 грн
100+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D50N-Q1 D50P-Q1-D50N-Q1.pdf
D50N-Q1
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D50N-Q1 D50P-Q1-D50N-Q1.pdf
D50N-Q1
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.66 грн
10+73.35 грн
100+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D50P-Q1 D50P-Q1-D50N-Q1.pdf
D50P-Q1
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D50P-Q1 D50P-Q1-D50N-Q1.pdf
D50P-Q1
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.66 грн
10+73.35 грн
100+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C-Q1.pdf
ESD3Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 320W
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+7.04 грн
75+4.07 грн
77+3.92 грн
87+3.27 грн
100+3.03 грн
250+2.70 грн
500+2.21 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3Z5.0C ESD3Z5.0C-Q1.pdf
ESD3Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5V VBR MIN 6V SOD-32
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 320W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Capacitance @ Frequency: 260pF @ 1MHz (Max)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0-Q1.pdf
ESD5Z5.0
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0 ESD5Z5.0-Q1.pdf
ESD5Z5.0
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+8.33 грн
62+4.90 грн
101+3.01 грн
500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C-Q1.pdf
ESD5Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0C ESD5Z5.0C-Q1.pdf
ESD5Z5.0C
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 174W
Power Line Protection: No
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.38 грн
58+5.27 грн
100+3.25 грн
500+2.20 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F35UN-Q1 F35UP-Q1-F35UN-Q1.pdf
F35UN-Q1
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: PRESSFIT DIODE FOR AUTOMOTIVE AP
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.05 грн
10+67.70 грн
100+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]