Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78831) > Сторінка 696 з 1314

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 786 917 1048 1179 1310 1314  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3006LDV-7 DMT3006LDV-7 Diodes Incorporated DMT3006LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.89 грн
4000+16.71 грн
6000+15.96 грн
10000+14.18 грн
14000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2045CT MBR2045CT Diodes Incorporated MBR%28F%292045CT-2060CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT MBR20100CT Diodes Incorporated MBR2035CT SERIES_M2104.pdf MBR20100CT%20N0623%20REV.A.pdf mbr20100ct.pdf MBR20100CT-MBRF20100CT.pdf MBR20100CT.pdf MBR20%2880%2C90%2C100%29CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7 DMTH8028LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH8028LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7 DMTH8028LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH8028LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.26 грн
10+43.30 грн
100+29.16 грн
500+22.12 грн
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE350A-B 1.5KE350A-B Diodes Incorporated ds21503.pdf Description: TVS DIODE 300VWM 482VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 300V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 332V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 482V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.23 грн
5000+21.60 грн
7500+21.11 грн
12500+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.17 грн
10+55.94 грн
100+37.96 грн
500+27.81 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW-13 Diodes Incorporated DMT61M5SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW-13 Diodes Incorporated DMT61M5SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 17081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.37 грн
10+110.20 грн
100+79.78 грн
500+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSW-13 DMP3028LPSW-13 Diodes Incorporated DMP3028LPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1421 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.36 грн
5000+12.69 грн
7500+12.10 грн
12500+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13 DMT35M4LPSW-13 Diodes Incorporated DMT35M4LPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1029 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.42 грн
5000+14.53 грн
7500+13.88 грн
12500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2LPSW-13 DMTH47M2LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH47M2LPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 20 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.83 грн
5000+14.91 грн
7500+14.24 грн
12500+12.67 грн
17500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSW-13 DMTH4008LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPSW.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SPSW-13 DMP3021SPSW-13 Diodes Incorporated DMP3021SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 52.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPSW-13 DMP6050SPSW-13 Diodes Incorporated DMP6050SPSW.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SPSW-13 DMP3011SPSW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2SPSW-13 DMTH47M2SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH47M2SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13 DMP10H088SPSW-13 Diodes Incorporated DMP10H088SPSW.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20200CT MBR20200CT Diodes Incorporated MBR%28F%2920200CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4 DMWSH120H90SM4 Diodes Incorporated DMWSH120H90SM4.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 120320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.00 грн
30+510.35 грн
120+470.61 грн
510+420.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Q DMWSH120H90SM3Q Diodes Incorporated DMWSH120H90SM3Q.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+932.69 грн
30+616.11 грн
120+579.19 грн
510+532.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13 Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13 Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7Q.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7 Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+435.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7Q.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+568.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ABS210-13 ABS210-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0003097066_1-2542100.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 34116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.14 грн
15+23.60 грн
100+12.21 грн
500+9.78 грн
1000+7.80 грн
2500+7.72 грн
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MB10F-13 MB10F-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0003097097_1-2542058.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 5619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.14 грн
13+27.24 грн
100+15.45 грн
500+11.62 грн
1000+9.12 грн
2500+8.83 грн
5000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S-13 MB10S-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0003097176_1-2542130.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.10 грн
16+21.40 грн
100+11.77 грн
500+7.80 грн
1000+7.58 грн
3000+6.33 грн
6000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HD01-T HD01-T Diodes Incorporated DIOD_S_A0009545762_1-2512798.pdf Bridge Rectifiers 0.8A 100V
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.77 грн
13+28.09 грн
100+15.82 грн
500+11.92 грн
1000+9.27 грн
3000+8.17 грн
6000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HD04-T HD04-T Diodes Incorporated DIOD_S_A0009545762_1-2512798.pdf Bridge Rectifiers 400V 0.8A
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.84 грн
13+27.75 грн
100+15.82 грн
500+11.92 грн
1000+9.20 грн
3000+7.72 грн
9000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HD06-T HD06-T Diodes Incorporated DIOD_S_A0009545762_1-2512798.pdf Bridge Rectifiers 600V 0.8A
на замовлення 27828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.26 грн
11+31.30 грн
100+17.44 грн
500+13.24 грн
1000+11.48 грн
3000+8.39 грн
6000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
df06m df06m Diodes Incorporated ds21201.pdf DF10M-D.pdf Bridge Rectifiers 1.0A 600V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.40 грн
16+22.08 грн
100+16.85 грн
250+15.96 грн
500+12.43 грн
1000+10.30 грн
2500+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF04S-T DF04S-T Diodes Incorporated ds17001-3214722.pdf Bridge Rectifiers 400V 1A
на замовлення 42315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.26 грн
12+29.44 грн
100+18.24 грн
500+13.83 грн
1000+9.78 грн
1500+9.05 грн
3000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DLPA006-7 DLPA006-7 Diodes Incorporated DIODS09832_1-2512536.pdf Bridge Rectifiers 85V 160mA 200mW
на замовлення 7451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.10 грн
12+30.12 грн
100+19.79 грн
500+16.48 грн
1000+15.16 грн
3000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1010-F GBJ1010-F Diodes Incorporated ds21218.pdf Bridge Rectifiers 1000V 10A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.28 грн
10+125.21 грн
105+79.45 грн
510+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S-T DF06S-T Diodes Incorporated ds17001-3214722.pdf Bridge Rectifiers 1A 600Vrrm 50Ifsm
на замовлення 14626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.15 грн
11+30.88 грн
100+18.54 грн
500+14.35 грн
1000+10.52 грн
1500+9.56 грн
3000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HD02-T HD02-T Diodes Incorporated DIOD_S_A0009545762_1-2512798.pdf Bridge Rectifiers 200V 0.8A
на замовлення 7273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.88 грн
12+29.36 грн
100+17.44 грн
500+12.51 грн
1000+9.78 грн
3000+8.98 грн
6000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF04M DF04M Diodes Incorporated ds21201.pdf Bridge Rectifiers 400V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF1501S-T DF1501S-T Diodes Incorporated DF15005S-DF1510S.pdf Bridge Rectifiers 100V 1.5A
на замовлення 12623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.37 грн
12+30.20 грн
100+17.88 грн
500+14.05 грн
1000+13.98 грн
1500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GBU806 GBU806 Diodes Incorporated ds21227-3103855.pdf Bridge Rectifiers 8.0A 600V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.75 грн
10+100.68 грн
20+54.81 грн
100+41.27 грн
260+40.83 грн
500+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU810 GBU810 Diodes Incorporated ds21227-3103855.pdf Bridge Rectifiers 1000V 8A
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.42 грн
10+79.61 грн
20+60.33 грн
100+45.76 грн
260+38.77 грн
500+35.24 грн
1000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RH06-T RH06-T Diodes Incorporated ds30137.pdf Bridge Rectifiers 0.5A 600V
на замовлення 20653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+49.24 грн
100+30.24 грн
500+23.91 грн
1000+21.19 грн
3000+18.17 грн
6000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF1504S-T DF1504S-T Diodes Incorporated DF15005S-DF1510S.pdf Bridge Rectifiers 400V 1.5A
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.93 грн
10+34.94 грн
100+18.39 грн
500+15.08 грн
1000+14.79 грн
1500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DSRHD10-13 Diodes Incorporated DSRHD10-247332.pdf Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH04-T RH04-T Diodes Incorporated ds30137.pdf Bridge Rectifiers 0.5A 400V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.87 грн
10+56.09 грн
100+31.34 грн
500+24.42 грн
1000+22.14 грн
3000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF15005S-T DF15005S-T Diodes Incorporated DF15005S-DF1510S.pdf Bridge Rectifiers 1.5A 50V
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.55 грн
11+33.00 грн
100+18.91 грн
500+14.71 грн
1500+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DSRHD08-13 Diodes Incorporated DSRHD0x-247287.pdf Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF01M DF01M Diodes Incorporated ds21201.pdf Bridge Rectifiers 100V 1A
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.74 грн
17+21.07 грн
100+16.11 грн
500+12.07 грн
1000+9.78 грн
2500+9.56 грн
5000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S-T DF10S-T Diodes Incorporated ds17001-3214722.pdf Bridge Rectifiers 1A 1000Vrrm 50Ifsm
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.78 грн
10+35.62 грн
100+18.91 грн
500+15.45 грн
1000+11.70 грн
1500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DF1506S-T DF1506S-T Diodes Incorporated DF15005S-DF1510S.pdf Bridge Rectifiers 1.5A 600V
на замовлення 9977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.78 грн
11+33.33 грн
100+20.75 грн
500+16.92 грн
1000+16.77 грн
1500+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ406G KBJ406G Diodes Incorporated ds21206.pdf kbj406g.pdf Bridge Rectifiers 4.0A 600V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.00 грн
10+65.14 грн
100+42.82 грн
500+33.40 грн
1000+28.10 грн
2500+27.66 грн
5000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF1510S DF1510S Diodes Incorporated DF15xxS.pdf DF15005S-DF1510S.pdf 12-DF15005S-DF1510S(DFS).pdf Bridge Rectifiers 1.5A 1000V
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.20 грн
10+135.37 грн
50+76.51 грн
100+58.41 грн
500+46.42 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU608 GBU608 Diodes Incorporated ds21226.pdf GBU6005-GBU610%20N1791%20REV.A.pdf Bridge Rectifiers 6.0A 800V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.35 грн
10+103.22 грн
20+70.63 грн
100+68.64 грн
260+64.96 грн
500+47.67 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU410 GBU410 Diodes Incorporated ds21225.pdf GBU0410000L40A.pdf GBU4005-GBU410%20N1726%20REV.A.pdf Bridge Rectifiers 1000V 4A
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.08 грн
10+115.06 грн
20+86.07 грн
100+59.22 грн
260+59.15 грн
500+49.36 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2510-F GBJ2510-F Diodes Incorporated ds21221-2940656.pdf Bridge Rectifiers 1000V 25A
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.69 грн
10+152.29 грн
105+108.15 грн
255+95.64 грн
510+77.25 грн
1005+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2506-F GBJ2506-F Diodes Incorporated ds21221-2940656.pdf Bridge Rectifiers 25A 600Vrrm 350Ifsm
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.78 грн
10+87.14 грн
105+52.09 грн
510+44.66 грн
1005+39.21 грн
5010+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU408 GBU408 Diodes Incorporated GBU4005-GBU410.pdf Bridge Rectifiers 4.0A 800V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.46 грн
10+93.91 грн
20+75.04 грн
100+63.64 грн
260+49.36 грн
500+40.61 грн
1000+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBP2005G KBP2005G Diodes Incorporated ds21205.pdf KBP2005G%20THRU%20KBP210G%20N1746%20REV.A.pdf Bridge Rectifiers 2.0A 50V
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.47 грн
17+20.14 грн
105+14.64 грн
525+12.21 грн
1015+11.18 грн
2520+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GBU801 GBU801 Diodes Incorporated ds21227-3103855.pdf Bridge Rectifiers 8.0A 100V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.48 грн
10+88.83 грн
20+76.51 грн
100+57.38 грн
260+57.31 грн
500+46.42 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7 DMT3006LDV.pdf
DMT3006LDV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.89 грн
4000+16.71 грн
6000+15.96 грн
10000+14.18 грн
14000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2045CT MBR%28F%292045CT-2060CT.pdf
MBR2045CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT MBR2035CT SERIES_M2104.pdf MBR20100CT%20N0623%20REV.A.pdf mbr20100ct.pdf MBR20100CT-MBRF20100CT.pdf MBR20100CT.pdf MBR20%2880%2C90%2C100%29CT.pdf
MBR20100CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7 DMTH8028LFVWQ.pdf
DMTH8028LFVWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7 DMTH8028LFVWQ.pdf
DMTH8028LFVWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+43.30 грн
100+29.16 грн
500+22.12 грн
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE350A-B ds21503.pdf
1.5KE350A-B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 300VWM 482VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 300V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 332V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 482V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW.pdf
DMTH8012LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.23 грн
5000+21.60 грн
7500+21.11 грн
12500+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW.pdf
DMTH8012LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.17 грн
10+55.94 грн
100+37.96 грн
500+27.81 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW.pdf
DMT61M5SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW.pdf
DMT61M5SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 17081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.37 грн
10+110.20 грн
100+79.78 грн
500+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSW-13 DMP3028LPSW.pdf
DMP3028LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1421 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.36 грн
5000+12.69 грн
7500+12.10 грн
12500+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13 DMT35M4LPSW.pdf
DMT35M4LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1029 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.42 грн
5000+14.53 грн
7500+13.88 грн
12500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2LPSW-13 DMTH47M2LPSW.pdf
DMTH47M2LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 20 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.83 грн
5000+14.91 грн
7500+14.24 грн
12500+12.67 грн
17500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSW-13 DMTH4008LPSW.pdf
DMTH4008LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SPSW-13 DMP3021SPSW.pdf
DMP3021SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 52.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPSW-13 DMP6050SPSW.pdf
DMP6050SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SPSW-13 DMP3011SPSW.pdf
DMP3011SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2SPSW-13 DMTH47M2SPSW.pdf
DMTH47M2SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13 DMP10H088SPSW.pdf
DMP10H088SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20200CT MBR%28F%2920200CT.pdf
MBR20200CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4 DMWSH120H90SM4.pdf
DMWSH120H90SM4
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 120320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+760.00 грн
30+510.35 грн
120+470.61 грн
510+420.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Q DMWSH120H90SM3Q.pdf
DMWSH120H90SM3Q
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.69 грн
30+616.11 грн
120+579.19 грн
510+532.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13 DMWSH120H90SCT7.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13 DMWSH120H90SCT7Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7 DMWSH120H90SCT7.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+435.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q DMWSH120H90SCT7Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+568.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ABS210-13 DIOD_S_A0003097066_1-2542100.pdf
ABS210-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 34116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.14 грн
15+23.60 грн
100+12.21 грн
500+9.78 грн
1000+7.80 грн
2500+7.72 грн
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MB10F-13 DIOD_S_A0003097097_1-2542058.pdf
MB10F-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 5619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.14 грн
13+27.24 грн
100+15.45 грн
500+11.62 грн
1000+9.12 грн
2500+8.83 грн
5000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S-13 DIOD_S_A0003097176_1-2542130.pdf
MB10S-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
16+21.40 грн
100+11.77 грн
500+7.80 грн
1000+7.58 грн
3000+6.33 грн
6000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HD01-T DIOD_S_A0009545762_1-2512798.pdf
HD01-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 0.8A 100V
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.77 грн
13+28.09 грн
100+15.82 грн
500+11.92 грн
1000+9.27 грн
3000+8.17 грн
6000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HD04-T DIOD_S_A0009545762_1-2512798.pdf
HD04-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 0.8A
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.84 грн
13+27.75 грн
100+15.82 грн
500+11.92 грн
1000+9.20 грн
3000+7.72 грн
9000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HD06-T DIOD_S_A0009545762_1-2512798.pdf
HD06-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 600V 0.8A
на замовлення 27828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.26 грн
11+31.30 грн
100+17.44 грн
500+13.24 грн
1000+11.48 грн
3000+8.39 грн
6000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
df06m ds21201.pdf DF10M-D.pdf
df06m
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.0A 600V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.40 грн
16+22.08 грн
100+16.85 грн
250+15.96 грн
500+12.43 грн
1000+10.30 грн
2500+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DF04S-T ds17001-3214722.pdf
DF04S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1A
на замовлення 42315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.26 грн
12+29.44 грн
100+18.24 грн
500+13.83 грн
1000+9.78 грн
1500+9.05 грн
3000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DLPA006-7 DIODS09832_1-2512536.pdf
DLPA006-7
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 85V 160mA 200mW
на замовлення 7451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
12+30.12 грн
100+19.79 грн
500+16.48 грн
1000+15.16 грн
3000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1010-F ds21218.pdf
GBJ1010-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 10A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.28 грн
10+125.21 грн
105+79.45 грн
510+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S-T ds17001-3214722.pdf
DF06S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1A 600Vrrm 50Ifsm
на замовлення 14626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.15 грн
11+30.88 грн
100+18.54 грн
500+14.35 грн
1000+10.52 грн
1500+9.56 грн
3000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HD02-T DIOD_S_A0009545762_1-2512798.pdf
HD02-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 200V 0.8A
на замовлення 7273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.88 грн
12+29.36 грн
100+17.44 грн
500+12.51 грн
1000+9.78 грн
3000+8.98 грн
6000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF04M ds21201.pdf
DF04M
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF1501S-T DF15005S-DF1510S.pdf
DF1501S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 100V 1.5A
на замовлення 12623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.37 грн
12+30.20 грн
100+17.88 грн
500+14.05 грн
1000+13.98 грн
1500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GBU806 ds21227-3103855.pdf
GBU806
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 8.0A 600V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.75 грн
10+100.68 грн
20+54.81 грн
100+41.27 грн
260+40.83 грн
500+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU810 ds21227-3103855.pdf
GBU810
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 8A
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.42 грн
10+79.61 грн
20+60.33 грн
100+45.76 грн
260+38.77 грн
500+35.24 грн
1000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RH06-T ds30137.pdf
RH06-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 0.5A 600V
на замовлення 20653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.28 грн
10+49.24 грн
100+30.24 грн
500+23.91 грн
1000+21.19 грн
3000+18.17 грн
6000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF1504S-T DF15005S-DF1510S.pdf
DF1504S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1.5A
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.93 грн
10+34.94 грн
100+18.39 грн
500+15.08 грн
1000+14.79 грн
1500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DSRHD10-13 DSRHD10-247332.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH04-T ds30137.pdf
RH04-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 0.5A 400V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.87 грн
10+56.09 грн
100+31.34 грн
500+24.42 грн
1000+22.14 грн
3000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DF15005S-T DF15005S-DF1510S.pdf
DF15005S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 50V
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.55 грн
11+33.00 грн
100+18.91 грн
500+14.71 грн
1500+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DSRHD08-13 DSRHD0x-247287.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF01M ds21201.pdf
DF01M
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 100V 1A
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
17+21.07 грн
100+16.11 грн
500+12.07 грн
1000+9.78 грн
2500+9.56 грн
5000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S-T ds17001-3214722.pdf
DF10S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1A 1000Vrrm 50Ifsm
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.78 грн
10+35.62 грн
100+18.91 грн
500+15.45 грн
1000+11.70 грн
1500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DF1506S-T DF15005S-DF1510S.pdf
DF1506S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 600V
на замовлення 9977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.78 грн
11+33.33 грн
100+20.75 грн
500+16.92 грн
1000+16.77 грн
1500+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ406G ds21206.pdf kbj406g.pdf
KBJ406G
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 4.0A 600V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.00 грн
10+65.14 грн
100+42.82 грн
500+33.40 грн
1000+28.10 грн
2500+27.66 грн
5000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF1510S DF15xxS.pdf DF15005S-DF1510S.pdf 12-DF15005S-DF1510S(DFS).pdf
DF1510S
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 1000V
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.20 грн
10+135.37 грн
50+76.51 грн
100+58.41 грн
500+46.42 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU608 ds21226.pdf GBU6005-GBU610%20N1791%20REV.A.pdf
GBU608
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 6.0A 800V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.35 грн
10+103.22 грн
20+70.63 грн
100+68.64 грн
260+64.96 грн
500+47.67 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU410 ds21225.pdf GBU0410000L40A.pdf GBU4005-GBU410%20N1726%20REV.A.pdf
GBU410
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 4A
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.08 грн
10+115.06 грн
20+86.07 грн
100+59.22 грн
260+59.15 грн
500+49.36 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2510-F ds21221-2940656.pdf
GBJ2510-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 25A
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.69 грн
10+152.29 грн
105+108.15 грн
255+95.64 грн
510+77.25 грн
1005+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2506-F ds21221-2940656.pdf
GBJ2506-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 25A 600Vrrm 350Ifsm
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.78 грн
10+87.14 грн
105+52.09 грн
510+44.66 грн
1005+39.21 грн
5010+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU408 GBU4005-GBU410.pdf
GBU408
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 4.0A 800V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.46 грн
10+93.91 грн
20+75.04 грн
100+63.64 грн
260+49.36 грн
500+40.61 грн
1000+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBP2005G ds21205.pdf KBP2005G%20THRU%20KBP210G%20N1746%20REV.A.pdf
KBP2005G
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 2.0A 50V
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.47 грн
17+20.14 грн
105+14.64 грн
525+12.21 грн
1015+11.18 грн
2520+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GBU801 ds21227-3103855.pdf
GBU801
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 8.0A 100V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.48 грн
10+88.83 грн
20+76.51 грн
100+57.38 грн
260+57.31 грн
500+46.42 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 786 917 1048 1179 1310 1314  [ Наступна Сторінка >> ]