Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (71660) > Сторінка 694 з 1195

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 119 238 357 476 595 689 690 691 692 693 694 695 696 697 698 699 714 833 952 1071 1190 1195  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN69060CFG-7 DXTN69060CFG-7 Diodes Incorporated DXTN69060CFG.pdf Description: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 21210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.75 грн
10+37.92 грн
100+24.65 грн
500+17.77 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H1M7SPGW-13 DMTH10H1M7SPGW-13 Diodes Incorporated DMTH10H1M7SPGW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10881 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H1M7SPGWQ-13 DMTH10H1M7SPGWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H1M7SPGWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10881 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MX21A0001Q MX21A0001Q Diodes Incorporated MXQ+Series.pdf Description: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM2520
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+146.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MX21A0001Q MX21A0001Q Diodes Incorporated MXQ+Series.pdf Description: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM2520
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.40 грн
10+197.60 грн
25+181.70 грн
100+154.06 грн
250+146.21 грн
500+141.49 грн
1000+135.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1508-TU GBU1508-TU Diodes Incorporated GBU1508.pdf Description: MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBU TUB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2M100SAF-13 SBR2M100SAF-13 Diodes Incorporated SBR2M100SAF.pdf Description: DIODE SBR 100V 2A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2M100SAF-13 SBR2M100SAF-13 Diodes Incorporated SBR2M100SAF.pdf Description: DIODE SBR 100V 2A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.02 грн
18+17.45 грн
100+10.99 грн
500+7.70 грн
1000+6.86 грн
2000+6.15 грн
5000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KBP310G KBP310G Diodes Incorporated KBP304G-KBP310G.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.20 грн
35+42.97 грн
105+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G_HF RS1G_HF Diodes Incorporated Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.06 грн
75+4.08 грн
85+3.57 грн
102+2.81 грн
250+2.55 грн
500+2.39 грн
1000+2.23 грн
2500+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SMAT70AQ-13-F SMAT70AQ-13-F Diodes Incorporated SMAT70AQ%2FSMBT70AQ.pdf Description: TVS DIODE 70VWM 100VC SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 140pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: SMA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 100V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K-7-W BSS138K-7-W Diodes Incorporated BSS138K.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K-7-W BSS138K-7-W Diodes Incorporated BSS138K.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.04 грн
29+10.73 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDFQ-7 DMT6012LFDFQ-7 Diodes Incorporated DMT6012LFDFQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7SQ-13-F Diodes Incorporated BZT52CxxS.pdf Description: ZENER DIODE SOD323 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL2500121Z FL2500121Z Diodes Incorporated FL.pdf Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±20ppm
Frequency Tolerance: ±20ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 25 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-7-F-W BAW56-7-F-W Diodes Incorporated BAW56.pdf Description: DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 75 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.86 грн
6000+1.59 грн
9000+1.49 грн
15000+1.29 грн
21000+1.22 грн
30000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-7-F-W BAW56-7-F-W Diodes Incorporated BAW56.pdf Description: DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 75 V
на замовлення 67275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
54+5.67 грн
100+3.47 грн
500+2.35 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WQ-7-F BAW56WQ-7-F Diodes Incorporated BAW56W.pdf Description: DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.90 грн
36+8.46 грн
100+5.24 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20150CTL Diodes Incorporated MBRF20150CTL%20N0150%20REV.B.pdf Description: DIODE SCHOTTKY ITO220AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1060 STPS1060 Diodes Incorporated STPS1060.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 5A ITO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: ITO220AB (Type WX2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTA124XUA-7 DDTA124XUA-7 Diodes Incorporated ds30326.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTA124XCA-7 DDTA124XCA-7 Diodes Incorporated ds30334.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2050LQ-7 DMN2050LQ-7 Diodes Incorporated DMN2050LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
6000+10.50 грн
9000+10.01 грн
15000+8.88 грн
21000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2050LQ-7 DMN2050LQ-7 Diodes Incorporated DMN2050LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.55 грн
10+31.12 грн
100+20.06 грн
500+14.36 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C24TQ-7-F BZT52C24TQ-7-F Diodes Incorporated ds30502.pdf Description: DIODE ZENER 24V 300MW SOD523
Tolerance: ±5.83%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 16.8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 849000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.38 грн
6000+2.91 грн
9000+2.74 грн
15000+2.39 грн
21000+2.28 грн
30000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C24TQ-7-F BZT52C24TQ-7-F Diodes Incorporated ds30502.pdf Description: DIODE ZENER 24V 300MW SOD523
Tolerance: ±5.83%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 16.8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 849850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.47 грн
31+9.82 грн
100+6.09 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DDZX24C-13 DDZX24C-13 Diodes Incorporated ds30408.pdf Description: DIODE ZENER 24V 300MW SOT23
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDZX24C-13 DDZX24C-13 Diodes Incorporated ds30408.pdf Description: DIODE ZENER 24V 300MW SOT23
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 19 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.90 грн
35+8.69 грн
100+5.38 грн
500+3.69 грн
1000+3.25 грн
2000+2.88 грн
5000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
AL5816QEV2 AL5816QEV2 Diodes Incorporated AL5816Q.pdf Description: EVAL BOARD FOR AL5816Q
Features: Dimmable
Packaging: Bulk
Voltage - Input: 4.5V ~ 16V
Contents: Board(s)
Current - Output / Channel: 150mA
Utilized IC / Part: AL5816Q
Outputs and Type: 8 Non-Isolated Outputs
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4433.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABS20M-13 Diodes Incorporated Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A 4-SOPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SOPA (Type WX)
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
19+16.54 грн
100+10.41 грн
500+7.26 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H6D0LFDB-13 DMN10H6D0LFDB-13 Diodes Incorporated DMN10H6D0LFDB.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-13 DMC3032LFDB-13 Diodes Incorporated DMC3032LFDB.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 336pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G14FS3-7 74LVC1G14FS3-7 Diodes Incorporated 74LVC1G14.pdf Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: X2-DFN0808-4
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G14FS3-7 74LVC1G14FS3-7 Diodes Incorporated 74LVC1G14.pdf Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: X2-DFN0808-4
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.55 грн
37+8.23 грн
42+7.22 грн
100+5.76 грн
250+5.28 грн
500+4.99 грн
1000+4.67 грн
2500+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
74HC32T14-13 74HC32T14-13 Diodes Incorporated 74HC32.pdf Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC32T14-13 74HC32T14-13 Diodes Incorporated 74HC32.pdf Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.69 грн
30+10.12 грн
34+8.94 грн
100+7.19 грн
250+6.60 грн
500+6.25 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC144ECAQ-7-F DDTC144ECAQ-7-F Diodes Incorporated ds30329.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.04 грн
29+10.57 грн
100+6.56 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3U60P1Q-13 SBR3U60P1Q-13 Diodes Incorporated SBR3U60P1Q.pdf Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3U60P1Q-13 SBR3U60P1Q-13 Diodes Incorporated SBR3U60P1Q.pdf Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.88 грн
19+16.77 грн
100+13.72 грн
500+9.69 грн
1000+7.18 грн
2000+6.99 грн
5000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4 DMWSH170H850HM4 Diodes Incorporated DMWSH170H850HM4.pdf Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+198.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4Q DMWSH170H850HM4Q Diodes Incorporated DMWSH170H850HM4Q.pdf Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-13 DMN3060L-13 Diodes Incorporated DMN3060L.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.35 грн
20000+2.94 грн
30000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-13 DMN3060L-13 Diodes Incorporated DMN3060L.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 49990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.61 грн
26+11.63 грн
100+7.30 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
2000+3.98 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-7 DMN3060L-7 Diodes Incorporated DMN3060L.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-7 DMN3060L-7 Diodes Incorporated DMN3060L.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.61 грн
26+11.63 грн
100+7.30 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-7 DMN3060LW-7 Diodes Incorporated DMN3060LW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.32 грн
22+13.97 грн
100+8.75 грн
500+6.09 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-7 DMN3060LVT-7 Diodes Incorporated Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.57 грн
13+24.40 грн
100+15.61 грн
500+11.08 грн
1000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LQ-13 DMN3060LQ-13 Diodes Incorporated DMN3060LQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LQ-7 DMN3060LQ-7 Diodes Incorporated DMN3060LQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
6000+4.02 грн
9000+3.79 грн
15000+3.33 грн
21000+3.19 грн
30000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27A-B 1.5KE27A-B Diodes Incorporated ds21503.pdf Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856A-7-F-W BC856A-7-F-W Diodes Incorporated BC856A.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856A-7-F-W BC856A-7-F-W Diodes Incorporated BC856A.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G17FX4-7 74LVC1G17FX4-7 Diodes Incorporated 74LVC1G17.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: X2-DFN1409-6
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.01 грн
10000+6.57 грн
15000+6.48 грн
25000+5.99 грн
35000+5.93 грн
50000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G17FX4-7 74LVC1G17FX4-7 Diodes Incorporated 74LVC1G17.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: X2-DFN1409-6
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.26 грн
26+11.63 грн
30+10.27 грн
100+8.27 грн
250+7.61 грн
500+7.21 грн
1000+6.78 грн
2500+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84-7-F-W BSS84-7-F-W Diodes Incorporated BSS84.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84-7-F-W BSS84-7-F-W Diodes Incorporated BSS84.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.69 грн
34+8.99 грн
100+5.55 грн
500+3.81 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ13CAQ-13-F SMBJ13CAQ-13-F Diodes Incorporated ds40740.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ13CAQ-13-F SMBJ13CAQ-13-F Diodes Incorporated ds40740.pdf Description: IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G8327A049 G8327A049 Diodes Incorporated G8.pdf Description: CRYSTAL PLASTIC SMD3215
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 7pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: kHz Crystal (Tuning Fork)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 2-SMD (3.2x1.5)
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 kOhms
Frequency: 32.768 kHz
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.94 грн
11+27.80 грн
25+26.32 грн
50+23.68 грн
100+22.69 грн
250+21.46 грн
500+20.24 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN69060CFG-7 DXTN69060CFG.pdf
DXTN69060CFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3.5A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 21210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.75 грн
10+37.92 грн
100+24.65 грн
500+17.77 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H1M7SPGW-13 DMTH10H1M7SPGW.pdf
DMTH10H1M7SPGW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10881 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H1M7SPGWQ-13 DMTH10H1M7SPGWQ.pdf
DMTH10H1M7SPGWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10881 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MX21A0001Q MXQ+Series.pdf
MX21A0001Q
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM2520
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+146.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MX21A0001Q MXQ+Series.pdf
MX21A0001Q
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM2520
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.40 грн
10+197.60 грн
25+181.70 грн
100+154.06 грн
250+146.21 грн
500+141.49 грн
1000+135.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1508-TU GBU1508.pdf
GBU1508-TU
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBU TUB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2M100SAF-13 SBR2M100SAF.pdf
SBR2M100SAF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 100V 2A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2M100SAF-13 SBR2M100SAF.pdf
SBR2M100SAF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 100V 2A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.02 грн
18+17.45 грн
100+10.99 грн
500+7.70 грн
1000+6.86 грн
2000+6.15 грн
5000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KBP310G KBP304G-KBP310G.pdf
KBP310G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A KBP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.20 грн
35+42.97 грн
105+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G_HF
RS1G_HF
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 400V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.06 грн
75+4.08 грн
85+3.57 грн
102+2.81 грн
250+2.55 грн
500+2.39 грн
1000+2.23 грн
2500+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SMAT70AQ-13-F SMAT70AQ%2FSMBT70AQ.pdf
SMAT70AQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 70VWM 100VC SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 140pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: SMA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 100V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K-7-W BSS138K.pdf
BSS138K-7-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K-7-W BSS138K.pdf
BSS138K-7-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.04 грн
29+10.73 грн
100+6.66 грн
500+4.59 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDFQ-7 DMT6012LFDFQ.pdf
DMT6012LFDFQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7SQ-13-F BZT52CxxS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ZENER DIODE SOD323 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL2500121Z FL.pdf
FL2500121Z
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±20ppm
Frequency Tolerance: ±20ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 25 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-7-F-W BAW56.pdf
BAW56-7-F-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 75 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.86 грн
6000+1.59 грн
9000+1.49 грн
15000+1.29 грн
21000+1.22 грн
30000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-7-F-W BAW56.pdf
BAW56-7-F-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 75 V
на замовлення 67275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.41 грн
54+5.67 грн
100+3.47 грн
500+2.35 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WQ-7-F BAW56W.pdf
BAW56WQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.90 грн
36+8.46 грн
100+5.24 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20150CTL MBRF20150CTL%20N0150%20REV.B.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY ITO220AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS1060 STPS1060.pdf
STPS1060
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY GP 600V 5A ITO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: ITO220AB (Type WX2)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTA124XUA-7 ds30326.pdf
DDTA124XUA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTA124XCA-7 ds30334.pdf
DDTA124XCA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2050LQ-7 DMN2050LQ.pdf
DMN2050LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.90 грн
6000+10.50 грн
9000+10.01 грн
15000+8.88 грн
21000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2050LQ-7 DMN2050LQ.pdf
DMN2050LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.55 грн
10+31.12 грн
100+20.06 грн
500+14.36 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C24TQ-7-F ds30502.pdf
BZT52C24TQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 24V 300MW SOD523
Tolerance: ±5.83%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 16.8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 849000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.38 грн
6000+2.91 грн
9000+2.74 грн
15000+2.39 грн
21000+2.28 грн
30000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C24TQ-7-F ds30502.pdf
BZT52C24TQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 24V 300MW SOD523
Tolerance: ±5.83%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 16.8 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 849850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.47 грн
31+9.82 грн
100+6.09 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DDZX24C-13 ds30408.pdf
DDZX24C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 24V 300MW SOT23
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 19 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDZX24C-13 ds30408.pdf
DDZX24C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 24V 300MW SOT23
Tolerance: ±3%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 19 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.90 грн
35+8.69 грн
100+5.38 грн
500+3.69 грн
1000+3.25 грн
2000+2.88 грн
5000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
AL5816QEV2 AL5816Q.pdf
AL5816QEV2
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL5816Q
Features: Dimmable
Packaging: Bulk
Voltage - Input: 4.5V ~ 16V
Contents: Board(s)
Current - Output / Channel: 150mA
Utilized IC / Part: AL5816Q
Outputs and Type: 8 Non-Isolated Outputs
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4433.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ABS20M-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A 4-SOPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SOPA (Type WX)
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.24 грн
19+16.54 грн
100+10.41 грн
500+7.26 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H6D0LFDB-13 DMN10H6D0LFDB.pdf
DMN10H6D0LFDB-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-13 DMC3032LFDB.pdf
DMC3032LFDB-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 336pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G14FS3-7 74LVC1G14.pdf
74LVC1G14FS3-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: X2-DFN0808-4
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G14FS3-7 74LVC1G14.pdf
74LVC1G14FS3-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: X2-DFN0808-4
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.55 грн
37+8.23 грн
42+7.22 грн
100+5.76 грн
250+5.28 грн
500+4.99 грн
1000+4.67 грн
2500+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
74HC32T14-13 74HC32.pdf
74HC32T14-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC32T14-13 74HC32.pdf
74HC32T14-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.69 грн
30+10.12 грн
34+8.94 грн
100+7.19 грн
250+6.60 грн
500+6.25 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC144ECAQ-7-F ds30329.pdf
DDTC144ECAQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.04 грн
29+10.57 грн
100+6.56 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3U60P1Q-13 SBR3U60P1Q.pdf
SBR3U60P1Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR3U60P1Q-13 SBR3U60P1Q.pdf
SBR3U60P1Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.88 грн
19+16.77 грн
100+13.72 грн
500+9.69 грн
1000+7.18 грн
2000+6.99 грн
5000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4 DMWSH170H850HM4.pdf
DMWSH170H850HM4
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+198.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4Q DMWSH170H850HM4Q.pdf
DMWSH170H850HM4Q
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-13 DMN3060L.pdf
DMN3060L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.35 грн
20000+2.94 грн
30000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-13 DMN3060L.pdf
DMN3060L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 49990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.61 грн
26+11.63 грн
100+7.30 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
2000+3.98 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-7 DMN3060L.pdf
DMN3060L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060L-7 DMN3060L.pdf
DMN3060L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.61 грн
26+11.63 грн
100+7.30 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LW-7 DMN3060LW.pdf
DMN3060LW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.32 грн
22+13.97 грн
100+8.75 грн
500+6.09 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-7
DMN3060LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.57 грн
13+24.40 грн
100+15.61 грн
500+11.08 грн
1000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LQ-13 DMN3060LQ.pdf
DMN3060LQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LQ-7 DMN3060LQ.pdf
DMN3060LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.63 грн
6000+4.02 грн
9000+3.79 грн
15000+3.33 грн
21000+3.19 грн
30000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27A-B ds21503.pdf
1.5KE27A-B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856A-7-F-W BC856A.pdf
BC856A-7-F-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856A-7-F-W BC856A.pdf
BC856A-7-F-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G17FX4-7 74LVC1G17.pdf
74LVC1G17FX4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: X2-DFN1409-6
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.01 грн
10000+6.57 грн
15000+6.48 грн
25000+5.99 грн
35000+5.93 грн
50000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G17FX4-7 74LVC1G17.pdf
74LVC1G17FX4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: X2-DFN1409-6
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.26 грн
26+11.63 грн
30+10.27 грн
100+8.27 грн
250+7.61 грн
500+7.21 грн
1000+6.78 грн
2500+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84-7-F-W BSS84.pdf
BSS84-7-F-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84-7-F-W BSS84.pdf
BSS84-7-F-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.69 грн
34+8.99 грн
100+5.55 грн
500+3.81 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ13CAQ-13-F ds40740.pdf
SMBJ13CAQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ13CAQ-13-F ds40740.pdf
SMBJ13CAQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G8327A049 G8.pdf
G8327A049
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL PLASTIC SMD3215
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 7pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.059" W (3.20mm x 1.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: kHz Crystal (Tuning Fork)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 2-SMD (3.2x1.5)
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 kOhms
Frequency: 32.768 kHz
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.94 грн
11+27.80 грн
25+26.32 грн
50+23.68 грн
100+22.69 грн
250+21.46 грн
500+20.24 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 119 238 357 476 595 689 690 691 692 693 694 695 696 697 698 699 714 833 952 1071 1190 1195  [ Наступна Сторінка >> ]