Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника DIOTEC SEMICONDUCTOR (31204) > Сторінка 214 з 521
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DI79L09ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -9V; 0.1A; TO92; THT; bulk Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Voltage drop: 1.7V Output voltage: -9V Output current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Manufacturer series: DI79LxxZAB Kind of package: bulk Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -12...-24V Tolerance: ±5% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 334 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DI79L10DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L10DAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L10UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L10UAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L10ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L10ZAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DI79L12DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -12V Output current: 0.1A Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -14...-27V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxDAB Kind of package: reel; tape Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L12UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -12V Output current: 0.1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -14.5...-27V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxUAB Kind of package: reel; tape Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1829 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L12ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; TO92; THT; bulk Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -12V Output current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -14...-27V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxZAB Kind of package: bulk Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 714 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L15DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -15V Output current: 0.1A Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -17.5...-30V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxDAB Kind of package: reel; tape Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L15UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -15V Output current: 0.1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -17.5...-30V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxUAB Kind of package: reel; tape Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L15ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; TO92; THT; bulk Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -15V Output current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -17.5...-30V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxZAB Kind of package: bulk Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 337 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DI79L18DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L18DAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 3639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L18UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L18UAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L18ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L18ZAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DI79L24DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -24V Output current: 0.1A Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -27...-38V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxDAB Voltage drop: 1.7V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L24UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -24V Output current: 0.1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -26.5...-39V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxUAB Voltage drop: 1.7V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L24ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; TO92; THT; bulk Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -24V Output current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -27...-38V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxZAB Voltage drop: 1.7V Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI7A5N65D2K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF065SIC020 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 550W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 236nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF065SIC030 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 74A Pulsed drain current: 105A Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF075F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 385W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Turn-on time: 52ns Turn-off time: 172ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC022-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 340W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 269nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC022 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 340W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 269nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 715W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 373nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC053-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC053 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT050N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT080N08-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 85V Drain current: 51A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 62.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT090N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 62A Pulsed drain current: 310A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT095N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT095N08-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIT100N10 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Pulsed drain current: 380A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT120N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB Case: TO220AB Gate charge: 163nC Heatsink thickness: max. 1.2mm On-state resistance: 4.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 84A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 220W Pulsed drain current: 450A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 716 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT150N03 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 679 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT195N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT195N08-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW018N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 155W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW030F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW030M060 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 150W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 227ns Turn-on time: 124ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW040F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW040M120 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 337ns Turn-on time: 69ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW050F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Turn-on time: 168ns Turn-off time: 245ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW065SIC015 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 550W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -4...15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 236nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW065SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 135A Power dissipation: 550W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW085N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW085N06-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW120SIC022-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 269nC On-state resistance: 28mΩ Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 340W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Application: automotive industry Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW120SIC023-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W Case: TO247-3 Technology: SiC Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 45nC On-state resistance: 29mΩ Drain current: 100A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 600W Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW120SIC059-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Case: TO247-3 Technology: SiC Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 121nC On-state resistance: 65mΩ Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW170SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW170SIC750 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EGL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Mounting: SMD Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 5µA Load current: 1A Max. load current: 8A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 25A Max. off-state voltage: 50V Kind of package: reel; tape Case: MiniMELF plastic Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EGL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | EGL1B-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 9090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 23170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EGL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Max. load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EGL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 16941 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 10812 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EGL34A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 50V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA Mounting: SMD Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 5µA Load current: 0.5A Max. load current: 2A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 8.5A Max. off-state voltage: 50V Kind of package: reel; tape Case: MiniMELF plastic Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| DI79L09ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -9V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.7V
Output voltage: -9V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -12...-24V
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -9V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.7V
Output voltage: -9V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -12...-24V
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.70 грн |
| 17+ | 17.76 грн |
| 100+ | 8.95 грн |
| 500+ | 6.10 грн |
| 1000+ | 5.44 грн |
| 2000+ | 4.85 грн |
| 4000+ | 4.43 грн |
| DI79L10DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L10DAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L10DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 10.85 грн |
| 160+ | 7.13 грн |
| 435+ | 6.75 грн |
| 4000+ | 6.71 грн |
| DI79L10UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L10UAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L10UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.24 грн |
| 149+ | 7.51 грн |
| 411+ | 7.13 грн |
| 25000+ | 7.11 грн |
| DI79L10ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L10ZAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L10ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.49 грн |
| 219+ | 5.12 грн |
| 603+ | 4.84 грн |
| DI79L12DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.85 грн |
| 35+ | 8.49 грн |
| 100+ | 7.32 грн |
| 500+ | 6.46 грн |
| 4000+ | 5.80 грн |
| DI79L12UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14.5...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14.5...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.49 грн |
| 24+ | 12.63 грн |
| 28+ | 10.55 грн |
| 100+ | 8.74 грн |
| 250+ | 7.89 грн |
| 500+ | 7.32 грн |
| 1000+ | 6.84 грн |
| DI79L12ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.68 грн |
| 17+ | 18.26 грн |
| 25+ | 13.61 грн |
| 100+ | 9.30 грн |
| 500+ | 6.40 грн |
| 1000+ | 5.62 грн |
| 2000+ | 5.02 грн |
| DI79L15DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.61 грн |
| 17+ | 17.76 грн |
| 20+ | 14.45 грн |
| 100+ | 8.84 грн |
| 500+ | 6.94 грн |
| 1000+ | 6.46 грн |
| DI79L15UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.82 грн |
| 13+ | 22.80 грн |
| 25+ | 17.01 грн |
| 100+ | 11.69 грн |
| 500+ | 8.17 грн |
| 1000+ | 7.32 грн |
| 2000+ | 6.65 грн |
| DI79L15ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.68 грн |
| 17+ | 18.26 грн |
| 25+ | 13.53 грн |
| 100+ | 9.24 грн |
| 500+ | 6.39 грн |
| 1000+ | 5.63 грн |
| 2000+ | 5.06 грн |
| DI79L18DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L18DAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L18DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 10.85 грн |
| 160+ | 7.13 грн |
| 435+ | 6.75 грн |
| 4000+ | 6.71 грн |
| DI79L18UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L18UAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L18UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.70 грн |
| 169+ | 6.65 грн |
| 463+ | 6.27 грн |
| DI79L18ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L18ZAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L18ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.25 грн |
| 219+ | 5.12 грн |
| 603+ | 4.84 грн |
| DI79L24DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -24V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -27...-38V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Voltage drop: 1.7V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -24V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -27...-38V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Voltage drop: 1.7V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.85 грн |
| 35+ | 8.49 грн |
| 100+ | 7.32 грн |
| 160+ | 7.13 грн |
| 435+ | 6.75 грн |
| 500+ | 6.46 грн |
| DI79L24UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -24V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -26.5...-39V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Voltage drop: 1.7V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -24V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -26.5...-39V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Voltage drop: 1.7V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.38 грн |
| 23+ | 13.42 грн |
| 25+ | 11.59 грн |
| 29+ | 9.88 грн |
| 100+ | 8.08 грн |
| 168+ | 6.65 грн |
| 461+ | 6.27 грн |
| DI79L24ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -24V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -27...-38V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Voltage drop: 1.7V
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -24V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -24V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -27...-38V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Voltage drop: 1.7V
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.52 грн |
| 20+ | 14.80 грн |
| 24+ | 11.97 грн |
| 100+ | 7.01 грн |
| 219+ | 5.10 грн |
| 603+ | 4.82 грн |
| 1000+ | 4.80 грн |
| DI7A5N65D2K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.86 грн |
| 5+ | 108.56 грн |
| 25+ | 92.18 грн |
| 100+ | 82.68 грн |
| 800+ | 79.83 грн |
| DIF065SIC020 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2564.76 грн |
| 10+ | 2206.70 грн |
| 30+ | 1933.95 грн |
| DIF065SIC030 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1784.89 грн |
| 5+ | 1579.03 грн |
| 10+ | 1388.45 грн |
| 30+ | 1178.43 грн |
| DIF075F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 438.04 грн |
| 10+ | 286.20 грн |
| 30+ | 235.69 грн |
| 120+ | 197.67 грн |
| 240+ | 188.17 грн |
| DIF120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4695.58 грн |
| 10+ | 4194.31 грн |
| DIF120SIC022 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2916.83 грн |
| 5+ | 2616.26 грн |
| 10+ | 2419.58 грн |
| 30+ | 2179.14 грн |
| 60+ | 2024.23 грн |
| 120+ | 1913.04 грн |
| DIF120SIC028 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2316.06 грн |
| 10+ | 1993.53 грн |
| 30+ | 1800.90 грн |
| DIF120SIC053-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1887.24 грн |
| 10+ | 1670.82 грн |
| 30+ | 1581.37 грн |
| DIF120SIC053 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 847.42 грн |
| 5+ | 770.77 грн |
| DIT050N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 59.41 грн |
| 10+ | 52.27 грн |
| 50+ | 40.58 грн |
| 100+ | 36.68 грн |
| 500+ | 30.98 грн |
| 1000+ | 29.46 грн |
| DIT080N08-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.49 грн |
| 5+ | 132.24 грн |
| 11+ | 103.11 грн |
| 30+ | 97.51 грн |
| 500+ | 95.03 грн |
| DIT090N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.11 грн |
| 10+ | 55.86 грн |
| 26+ | 43.15 грн |
| 72+ | 40.77 грн |
| 500+ | 39.53 грн |
| 1000+ | 39.25 грн |
| DIT095N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.32 грн |
| 26+ | 44.38 грн |
| 70+ | 42.01 грн |
| DIT100N10 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.65 грн |
| 50+ | 75.99 грн |
| DIT120N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.34 грн |
| 10+ | 105.60 грн |
| 50+ | 88.38 грн |
| 100+ | 82.68 грн |
| 250+ | 75.08 грн |
| 500+ | 69.38 грн |
| 1000+ | 63.67 грн |
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.33 грн |
| 10+ | 98.79 грн |
| 50+ | 77.45 грн |
| 100+ | 70.80 грн |
| 500+ | 56.83 грн |
| 1000+ | 51.60 грн |
| 2000+ | 46.57 грн |
| DIT195N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.12 грн |
| 9+ | 129.25 грн |
| 24+ | 122.59 грн |
| 1000+ | 122.38 грн |
| DIW018N65 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 453.39 грн |
| 10+ | 354.30 грн |
| 30+ | 257.54 грн |
| 120+ | 192.92 грн |
| DIW030F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 398.12 грн |
| 5+ | 230.93 грн |
| 14+ | 218.58 грн |
| DIW030M060 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.99 грн |
| 3+ | 199.35 грн |
| 10+ | 163.46 грн |
| 30+ | 120.69 грн |
| 120+ | 110.24 грн |
| DIW040F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 599.74 грн |
| 3+ | 424.80 грн |
| 8+ | 401.05 грн |
| DIW040M120 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.50 грн |
| 3+ | 499.37 грн |
| 10+ | 415.30 грн |
| 30+ | 324.07 грн |
| 120+ | 290.81 грн |
| DIW050F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 330.57 грн |
| 10+ | 254.62 грн |
| 25+ | 192.92 грн |
| 30+ | 183.42 грн |
| 120+ | 128.30 грн |
| 450+ | 124.50 грн |
| DIW065SIC015 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2315.04 грн |
| 10+ | 1991.56 грн |
| 30+ | 1800.90 грн |
| DIW065SIC049 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1338.67 грн |
| 5+ | 1203.03 грн |
| 10+ | 1097.65 грн |
| 30+ | 949.39 грн |
| 120+ | 804.94 грн |
| DIW085N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.04 грн |
| 6+ | 218.20 грн |
| 15+ | 206.32 грн |
| DIW120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4695.58 грн |
| 10+ | 4194.31 грн |
| DIW120SIC023-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6064.95 грн |
| 10+ | 5699.33 грн |
| DIW120SIC028 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1877.88 грн |
| 2+ | 1775.24 грн |
| DIW120SIC059-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1887.24 грн |
| 10+ | 1670.82 грн |
| 30+ | 1570.92 грн |
| DIW170SIC049 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1254.46 грн |
| 3+ | 1186.03 грн |
| DIW170SIC750 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 350.02 грн |
| 6+ | 212.88 грн |
| 15+ | 201.47 грн |
| EAL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1D-DIO SMD universal diodes
EAL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.00 грн |
| 300+ | 3.86 грн |
| 800+ | 3.65 грн |
| EAL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1G-DIO SMD universal diodes
EAL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.00 грн |
| 290+ | 3.98 грн |
| 780+ | 3.76 грн |
| EAL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1J-DIO SMD universal diodes
EAL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 9.92 грн |
| 270+ | 4.25 грн |
| 730+ | 4.01 грн |
| EAL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1M-DIO SMD universal diodes
EAL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.53 грн |
| 232+ | 4.84 грн |
| 638+ | 4.57 грн |
| EGL1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Load current: 1A
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF plastic
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Load current: 1A
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF plastic
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.35 грн |
| 39+ | 7.70 грн |
| 100+ | 4.99 грн |
| 447+ | 2.50 грн |
| 1227+ | 2.37 грн |
| 50000+ | 2.27 грн |
| EGL1B |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1B-DIO SMD universal diodes
EGL1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 423+ | 2.65 грн |
| 1162+ | 2.51 грн |
| EGL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1D-DIO SMD universal diodes
EGL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 23170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.63 грн |
| 349+ | 3.21 грн |
| 959+ | 3.04 грн |
| EGL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.38 грн |
| 29+ | 10.36 грн |
| 100+ | 6.98 грн |
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 4.88 грн |
| 2500+ | 4.21 грн |
| 7500+ | 3.54 грн |
| EGL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1J-DIO SMD universal diodes
EGL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 16941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.53 грн |
| 334+ | 3.36 грн |
| 918+ | 3.17 грн |
| EGL1K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1K-DIO SMD universal diodes
EGL1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 5.63 грн |
| 350+ | 3.42 грн |
| 925+ | 3.24 грн |
| EGL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1M-DIO SMD universal diodes
EGL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 10812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.51 грн |
| 317+ | 3.54 грн |
| 871+ | 3.35 грн |
| EGL34A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 8.5A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF plastic
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 8.5A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF plastic
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 1.23 грн |


















