Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника DIOTEC SEMICONDUCTOR (31635) > Сторінка 214 з 528
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DIT150N03 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 714 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT195N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT195N08-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW018N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 155W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW030F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW030M060 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW030M060-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW040F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW040F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW040M120 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 69ns Turn-off time: 337ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW050F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW050F065-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW065SIC015 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...15V Gate charge: 236nC On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 550W Drain current: 100A Drain-source voltage: 650V Pulsed drain current: 300A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW065SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW085N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 60A; Idm: 340A; 240W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 60A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 240W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW120SIC022-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 269nC On-state resistance: 28mΩ Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 340W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Application: automotive industry Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW120SIC023-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW120SIC023-AQ THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW120SIC059-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW120SIC059-AQ THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW170SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW170SIC750 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EGL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Mounting: SMD Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 5µA Load current: 1A Max. load current: 8A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 25A Max. off-state voltage: 50V Kind of package: reel; tape Case: MiniMELF plastic Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EGL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 25A Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 5µA Max. load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EGL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 23170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EGL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.35V Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EGL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 16941 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 10812 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EGL34A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 50V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA Mounting: SMD Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 5µA Load current: 0.5A Max. load current: 2A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 8.5A Max. off-state voltage: 50V Kind of package: reel; tape Case: MiniMELF plastic Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EGL34B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8.5A Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 5µA Max. load current: 2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EGL34D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL34D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL34G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | EGL34G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 7775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EM513-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 5.4A Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward impulse current: 27A Kind of package: Ammo Pack Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3516 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EM513 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Leakage current: 50µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 5.4A Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward impulse current: 27A Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EM516 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EM516-DIO THT universal diodes |
на замовлення 3832 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EM518 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 27A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 1.5µs Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 5.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ER1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Mounting: SMD Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 5µA Load current: 1A Max. load current: 6A Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 50V Kind of package: reel; tape Case: SMA Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7060 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ER1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SMA Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 5µA Max. load current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3465 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ER1D-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 6424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 3702 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ER1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 6A Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ER1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Case: SMA Mounting: SMD Features of semiconductor devices: superfast switching Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 5µA Load current: 1A Max. forward voltage: 1.7V Max. load current: 6A Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ER1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER1K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1M-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1M-AQ-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2574 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 12009 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ER2A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A Mounting: SMD Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 5µA Load current: 2A Max. load current: 10A Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 50V Kind of package: reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ER2B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Case: SMB Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 5µA Max. load current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ER2D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMB Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Max. load current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 719 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ER2G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER2G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER2J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER2J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 13632 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER2K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER2K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ER2M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 2A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMB Max. forward voltage: 1.7V Max. load current: 10A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ER3A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER3A-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ER3B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1V Max. load current: 15A Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ER3D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1V Max. load current: 15A Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2871 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ER3DSMB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER3DSMB-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ER3G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.25V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Max. load current: 15A Max. forward impulse current: 100A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ER3J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 75ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Max. load current: 15A Max. forward impulse current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 673 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ER3K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER3K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER3M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER3M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.63 грн |
| 10+ | 98.99 грн |
| 50+ | 77.61 грн |
| 100+ | 70.95 грн |
| 500+ | 56.95 грн |
| 1000+ | 51.71 грн |
| 2000+ | 46.66 грн |
| DIT195N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.68 грн |
| 9+ | 129.52 грн |
| 24+ | 122.85 грн |
| 1000+ | 122.63 грн |
| DIW018N65 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 454.33 грн |
| 10+ | 355.03 грн |
| 30+ | 258.08 грн |
| 120+ | 193.32 грн |
| DIW030F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 398.95 грн |
| 5+ | 231.42 грн |
| 14+ | 219.03 грн |
| DIW030M060 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.06 грн |
| 10+ | 121.90 грн |
| 26+ | 115.23 грн |
| DIW040F135 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 600.99 грн |
| 3+ | 425.69 грн |
| 8+ | 401.88 грн |
| DIW040M120 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 576.38 грн |
| 3+ | 528.10 грн |
| 4+ | 314.27 грн |
| 10+ | 297.13 грн |
| DIW050F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW050F065-DIO THT IGBT transistors
DIW050F065-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.18 грн |
| 9+ | 137.13 грн |
| 23+ | 130.47 грн |
| DIW065SIC015 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2137.31 грн |
| 2+ | 1949.23 грн |
| DIW065SIC049 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors
DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1524.01 грн |
| 2+ | 733.29 грн |
| 5+ | 693.29 грн |
| DIW085N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 60A; Idm: 340A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 60A; Idm: 340A; 240W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.34 грн |
| 5+ | 289.76 грн |
| 6+ | 218.84 грн |
| 15+ | 206.94 грн |
| 30+ | 206.85 грн |
| 600+ | 199.04 грн |
| DIW120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4705.37 грн |
| 10+ | 4203.05 грн |
| DIW120SIC023-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC023-AQ THT N channel transistors
DIW120SIC023-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5720.62 грн |
| DIW120SIC028 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1881.80 грн |
| 2+ | 1778.94 грн |
| DIW120SIC059-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC059-AQ THT N channel transistors
DIW120SIC059-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1731.33 грн |
| 2+ | 1637.05 грн |
| DIW170SIC049 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1257.07 грн |
| 3+ | 1188.50 грн |
| DIW170SIC750 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 350.75 грн |
| 6+ | 213.32 грн |
| 15+ | 201.89 грн |
| EAL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1D-DIO SMD universal diodes
EAL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.01 грн |
| 300+ | 3.87 грн |
| 800+ | 3.66 грн |
| EAL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1G-DIO SMD universal diodes
EAL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.01 грн |
| 290+ | 3.99 грн |
| 780+ | 3.77 грн |
| EAL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1J-DIO SMD universal diodes
EAL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 9.94 грн |
| 270+ | 4.26 грн |
| 730+ | 4.02 грн |
| EAL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1M-DIO SMD universal diodes
EAL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.56 грн |
| 232+ | 4.85 грн |
| 638+ | 4.58 грн |
| EGL1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Load current: 1A
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF plastic
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Load current: 1A
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF plastic
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.38 грн |
| 39+ | 7.71 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 447+ | 2.50 грн |
| 1227+ | 2.37 грн |
| 50000+ | 2.28 грн |
| EGL1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 25A
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 25A
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.36 грн |
| 31+ | 9.59 грн |
| 100+ | 5.84 грн |
| 421+ | 2.66 грн |
| 1158+ | 2.51 грн |
| 25000+ | 2.45 грн |
| EGL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1D-DIO SMD universal diodes
EGL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 23170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.67 грн |
| 349+ | 3.22 грн |
| 959+ | 3.05 грн |
| EGL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.41 грн |
| 29+ | 10.38 грн |
| 100+ | 6.99 грн |
| 500+ | 5.44 грн |
| 1000+ | 4.89 грн |
| 2500+ | 4.22 грн |
| 7500+ | 3.54 грн |
| EGL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1J-DIO SMD universal diodes
EGL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 16941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.57 грн |
| 334+ | 3.37 грн |
| 918+ | 3.18 грн |
| EGL1K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1K-DIO SMD universal diodes
EGL1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 5.64 грн |
| 350+ | 3.43 грн |
| 925+ | 3.25 грн |
| EGL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1M-DIO SMD universal diodes
EGL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 10812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.53 грн |
| 317+ | 3.55 грн |
| 871+ | 3.35 грн |
| EGL34A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 8.5A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF plastic
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 8.5A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: MiniMELF plastic
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 1.23 грн |
| EGL34B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Max. load current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 5µA
Max. load current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.15 грн |
| 77+ | 3.86 грн |
| 100+ | 3.11 грн |
| 500+ | 2.72 грн |
| 515+ | 2.18 грн |
| 1415+ | 2.06 грн |
| 10000+ | 2.02 грн |
| EGL34D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34D-DIO SMD universal diodes
EGL34D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.36 грн |
| 374+ | 3.00 грн |
| 1029+ | 2.84 грн |
| EGL34G |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34G-DIO SMD universal diodes
EGL34G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 4.74 грн |
| 400+ | 2.89 грн |
| 1075+ | 2.72 грн |
| EM513-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.31 грн |
| 37+ | 8.21 грн |
| 50+ | 6.17 грн |
| 100+ | 5.49 грн |
| 250+ | 4.67 грн |
| 500+ | 4.08 грн |
| 1000+ | 3.52 грн |
| EM513 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.23 грн |
| 47+ | 6.43 грн |
| 100+ | 3.99 грн |
| 500+ | 3.00 грн |
| 1000+ | 2.68 грн |
| 2000+ | 2.40 грн |
| 5000+ | 2.08 грн |
| EM516 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EM516-DIO THT universal diodes
EM516-DIO THT universal diodes
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.30 грн |
| 449+ | 2.50 грн |
| 1235+ | 2.36 грн |
| EM518 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 27A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 1.5µs
Kind of package: Ammo Pack
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 27A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 1.5µs
Kind of package: Ammo Pack
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.78 грн |
| 56+ | 5.34 грн |
| 65+ | 4.46 грн |
| 100+ | 4.18 грн |
| 373+ | 3.01 грн |
| 1025+ | 2.85 грн |
| 25000+ | 2.74 грн |
| ER1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Load current: 1A
Max. load current: 6A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Load current: 1A
Max. load current: 6A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 6.82 грн |
| 48+ | 6.23 грн |
| 329+ | 3.40 грн |
| 904+ | 3.22 грн |
| 7500+ | 3.10 грн |
| ER1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Max. load current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Max. load current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.56 грн |
| 29+ | 10.38 грн |
| 100+ | 6.82 грн |
| 250+ | 5.76 грн |
| 348+ | 3.22 грн |
| 956+ | 3.05 грн |
| ER1D-AQ |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
на замовлення 6424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.17 грн |
| 307+ | 3.67 грн |
| 843+ | 3.47 грн |
| ER1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1D-DIO SMD universal diodes
ER1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.23 грн |
| 343+ | 3.28 грн |
| 944+ | 3.10 грн |
| ER1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.16 грн |
| 53+ | 5.64 грн |
| 349+ | 3.23 грн |
| 958+ | 3.05 грн |
| 45000+ | 2.98 грн |
| ER1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: superfast switching
Reverse recovery time: 75ns
Leakage current: 5µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: superfast switching
Reverse recovery time: 75ns
Leakage current: 5µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.56 грн |
| 29+ | 10.48 грн |
| 100+ | 6.82 грн |
| 347+ | 3.22 грн |
| 955+ | 3.05 грн |
| ER1K |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1K-DIO SMD universal diodes
ER1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.38 грн |
| 327+ | 3.45 грн |
| 897+ | 3.26 грн |
| ER1M-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1M-AQ-DIO SMD universal diodes
ER1M-AQ-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 5.75 грн |
| 260+ | 4.36 грн |
| 710+ | 4.12 грн |
| 7500+ | 4.11 грн |
| ER1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1M-DIO SMD universal diodes
ER1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 12009 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 6.34 грн |
| 331+ | 3.40 грн |
| 908+ | 3.22 грн |
| ER2A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Load current: 2A
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Load current: 2A
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 17+ | 18.20 грн |
| 100+ | 9.91 грн |
| 222+ | 5.06 грн |
| 609+ | 4.78 грн |
| 6000+ | 4.73 грн |
| 9000+ | 4.60 грн |
| ER2B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Case: SMB
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Case: SMB
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 5µA
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.54 грн |
| 35+ | 8.60 грн |
| 37+ | 7.73 грн |
| 50+ | 7.37 грн |
| 100+ | 6.97 грн |
| 207+ | 5.42 грн |
| 569+ | 5.12 грн |
| ER2D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.74 грн |
| 19+ | 16.12 грн |
| 100+ | 8.40 грн |
| 500+ | 5.97 грн |
| 1000+ | 5.31 грн |
| 3000+ | 4.95 грн |
| ER2G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2G-DIO SMD universal diodes
ER2G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.08 грн |
| 205+ | 5.50 грн |
| 565+ | 5.20 грн |
| ER2J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2J-DIO SMD universal diodes
ER2J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 13632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.34 грн |
| 215+ | 5.24 грн |
| 590+ | 4.95 грн |
| ER2K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2K-DIO SMD universal diodes
ER2K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 12.00 грн |
| 235+ | 4.79 грн |
| 645+ | 4.53 грн |
| ER2M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 2A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 2A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.36 грн |
| 29+ | 10.58 грн |
| 100+ | 8.25 грн |
| 214+ | 5.24 грн |
| 586+ | 4.95 грн |
| 6000+ | 4.77 грн |
| ER3A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER3A-DIO SMD universal diodes
ER3A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.46 грн |
| 130+ | 8.76 грн |
| 355+ | 8.29 грн |
| ER3B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.56 грн |
| 100+ | 9.62 грн |
| 500+ | 9.43 грн |
| ER3D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.54 грн |
| 19+ | 16.02 грн |
| 100+ | 11.81 грн |
| 122+ | 9.14 грн |
| 336+ | 8.67 грн |
| ER3DSMB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER3DSMB-DIO SMD universal diodes
ER3DSMB-DIO SMD universal diodes
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.84 грн |
| 148+ | 7.62 грн |
| 407+ | 7.14 грн |
| ER3G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.25V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.25V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.38 грн |
| 25+ | 12.76 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 120+ | 9.62 грн |
| 325+ | 9.05 грн |
| 3000+ | 8.67 грн |
| ER3J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 75ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 75ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.74 грн |
| 16+ | 19.58 грн |
| 18+ | 16.28 грн |
| 100+ | 10.67 грн |
| 500+ | 8.76 грн |
| 1000+ | 8.67 грн |
| ER3K |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER3K-DIO SMD universal diodes
ER3K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.59 грн |
| 110+ | 10.48 грн |
| 295+ | 9.90 грн |
| ER3M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER3M-DIO SMD universal diodes
ER3M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.64 грн |
| 118+ | 9.52 грн |
| 324+ | 9.05 грн |









