Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника DIOTEC SEMICONDUCTOR (31043) > Сторінка 215 з 518

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 51 102 153 204 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 255 306 357 408 459 510 518  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI79L24DAB DIOTEC SEMICONDUCTOR di79l00dab.pdf DI79L24DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
29+11.08 грн
160+7.28 грн
435+6.89 грн
4000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DI79L24UAB DIOTEC SEMICONDUCTOR di79l00uab.pdf DI79L24UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+18.18 грн
169+6.79 грн
463+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DI79L24ZAB DIOTEC SEMICONDUCTOR di79l00zab.pdf DI79L24ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.44 грн
219+5.23 грн
603+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR di7a5n65d2k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.50 грн
5+110.85 грн
25+94.13 грн
100+84.43 грн
800+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020 DIF065SIC020 DIOTEC SEMICONDUCTOR dif065sic020.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2618.92 грн
10+2253.30 грн
30+1974.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030 DIF065SIC030 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDAEACBA4880D6&compId=dif065sic030.pdf?ci_sign=353e3d1098c3a416eb027ed1597060e2d7c52518 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1822.58 грн
5+1612.38 грн
10+1417.77 грн
30+1203.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065 DIF075F065 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB693FCB1452BA0D8&compId=dif075f065.pdf?ci_sign=84f0af03a316d4adeb279bd1dcf18d85b010f18d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+447.29 грн
10+292.24 грн
30+240.66 грн
120+201.85 грн
240+192.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4794.73 грн
10+4282.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2978.42 грн
5+2671.51 грн
10+2470.67 грн
30+2225.15 грн
60+2066.98 грн
120+1953.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2364.97 грн
10+2035.63 грн
30+1838.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1927.09 грн
10+1706.10 грн
30+1614.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+865.31 грн
5+787.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.67 грн
10+53.37 грн
50+41.44 грн
100+37.46 грн
500+31.64 грн
1000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT080N08-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR dit080n08.pdf DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.07 грн
11+105.39 грн
30+99.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIT090N06 DIT090N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AECD8E061580C4&compId=dit090n06.pdf?ci_sign=0e9acf5e9914b75028b3d0d5fa64f91761061c5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.04 грн
26+44.06 грн
72+41.63 грн
500+40.37 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIT095N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit095n08.pdf DIT095N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.01 грн
26+45.32 грн
70+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIT100N10 DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF6116B6DC20C4&compId=dit100n10.pdf?ci_sign=2433903ac6792c29ea347d9ea7444db8048446a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
50+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIT120N08 DIT120N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC89CEB36CF48920C8&compId=dit120n08.pdf?ci_sign=153df270416fa4c3b79a90185c9c8394ea85f956 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.34 грн
10+107.83 грн
50+90.25 грн
100+84.43 грн
250+76.66 грн
500+70.84 грн
1000+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIT150N03 DIT150N03 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit150n03.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.40 грн
10+100.87 грн
50+79.09 грн
100+72.30 грн
500+58.03 грн
1000+52.69 грн
2000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIT195N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit195n08.pdf DIT195N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.76 грн
9+131.98 грн
24+125.18 грн
1000+124.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 DIW018N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw018n65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+462.96 грн
10+361.78 грн
30+262.98 грн
120+196.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw030f135.pdf DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+406.53 грн
5+235.81 грн
14+223.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060 DIW030M060 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F14486958360D6&compId=diw030m060.pdf?ci_sign=a16da1149abcd7c75a6051492621cbcb443ff100 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+222.60 грн
3+203.56 грн
10+166.91 грн
30+123.24 грн
120+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw040f135.pdf DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+612.40 грн
3+433.77 грн
8+409.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120 DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F1687B7922C0D6&compId=diw040m120.pdf?ci_sign=0ceed45e0fa4e0c722407c6c34edc424d3c985dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+557.02 грн
3+509.91 грн
10+424.07 грн
30+330.91 грн
120+296.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065 DIW050F065 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94E5DD5AE5EEA0D6&compId=diw050f065.pdf?ci_sign=6625632b77861b51157cb0b6da5fd8cde7851493 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+337.55 грн
10+260.00 грн
25+196.99 грн
30+187.29 грн
120+131.01 грн
450+127.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015 DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw065sic015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2363.92 грн
10+2033.61 грн
30+1838.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC049 DIW065SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96957D154778A0D6&compId=diw065sic049.pdf?ci_sign=7797bda0ad0330be70f78e6041a9e0f1c8e01bde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1366.94 грн
5+1228.43 грн
10+1120.83 грн
30+969.44 грн
120+821.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw085n06.pdf DIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.46 грн
6+222.81 грн
15+210.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQ DIW120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E8B7BCEF0D80D6&compId=diw120sic022.pdf?ci_sign=dc59c81ab0c358f64d1b3f2a56767c320fd0a0bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4794.73 грн
10+4282.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQ DIW120SIC023-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E8C40B773B00D6&compId=diw120sic023.pdf?ci_sign=7c89b35bec5b10558e508827547b0da06c358048 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6193.02 грн
10+5819.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1917.53 грн
2+1812.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQ DIW120SIC059-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEAFE8D1D9CD3C60D6&compId=diw120sic059.pdf?ci_sign=a5a6afa95cc616e12d9a4fb93903f3e3b22d2036 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1927.09 грн
10+1706.10 грн
30+1604.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1280.94 грн
3+1211.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC750 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw170sic750.pdf DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.41 грн
6+217.37 грн
15+205.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EAL1D EAL1D DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EAL1G DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.19 грн
290+4.07 грн
780+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
EAL1J DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
31+10.13 грн
270+4.34 грн
730+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
EAL1M DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.84 грн
232+4.94 грн
638+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1A DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf EGL1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.52 грн
447+2.56 грн
1227+2.43 грн
50000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1B DIOTEC SEMICONDUCTOR EGL1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+16.01 грн
423+2.71 грн
1162+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1D DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf EGL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 23170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+19.02 грн
349+3.28 грн
959+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1G EGL1G DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A9EE6590EBB68143&compId=egl1a.pdf?ci_sign=88852fd00c102c84431fcffdb9904b87dfe630ab Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.72 грн
29+10.58 грн
100+7.12 грн
500+5.54 грн
1000+4.98 грн
2500+4.30 грн
7500+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1J DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf EGL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 16941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.96 грн
334+3.44 грн
918+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1K DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf EGL1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
55+5.75 грн
350+3.49 грн
925+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1M DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf EGL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 10812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.77 грн
317+3.62 грн
871+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34A DIOTEC SEMICONDUCTOR egl34a.pdf EGL34A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
250+1.25 грн
1000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34B DIOTEC SEMICONDUCTOR egl34a.pdf egl34a.pdf EGL34B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
54+5.92 грн
515+2.22 грн
1415+2.11 грн
50000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D DIOTEC SEMICONDUCTOR egl34a.pdf EGL34D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.82 грн
374+3.06 грн
1029+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G DIOTEC SEMICONDUCTOR EGL34G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
65+4.83 грн
400+2.94 грн
1075+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
EM513-AQ EM513-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A4F79061C9F380E2&compId=1n4001.pdf?ci_sign=828df5c79a5e79ca554417c123019f54fca55d57 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.54 грн
37+8.36 грн
50+6.29 грн
100+5.60 грн
250+4.76 грн
500+4.15 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EM513 EM513 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A816320F1640CE&compId=1n4001.pdf?ci_sign=8f200929b515b97d2899160932aa97d606beae00 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A4F79061C9F380E2&compId=1n4001.pdf?ci_sign=828df5c79a5e79ca554417c123019f54fca55d57 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+9.41 грн
47+6.55 грн
100+4.07 грн
500+3.06 грн
1000+2.73 грн
2000+2.45 грн
5000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
EM516 EM516 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A816320F1640CE&compId=1n4001.pdf?ci_sign=8f200929b515b97d2899160932aa97d606beae00 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A4F79061C9F380E2&compId=1n4001.pdf?ci_sign=828df5c79a5e79ca554417c123019f54fca55d57 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 27A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+9.41 грн
43+7.05 грн
100+5.14 грн
500+4.25 грн
1000+3.91 грн
5000+3.22 грн
10000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
EM518 EM518 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A816320F1640CE&compId=1n4001.pdf?ci_sign=8f200929b515b97d2899160932aa97d606beae00 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A4F79061C9F380E2&compId=1n4001.pdf?ci_sign=828df5c79a5e79ca554417c123019f54fca55d57 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 27A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.36 грн
63+4.84 грн
72+4.06 грн
100+3.81 грн
500+3.33 грн
1000+3.14 грн
5000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ER1A DIOTEC SEMICONDUCTOR er1a.pdf ER1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 7060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
46+6.95 грн
331+3.46 грн
908+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
ER1B DIOTEC SEMICONDUCTOR er1a.pdf ER1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+24.11 грн
349+3.28 грн
959+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ER1D-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
на замовлення 6424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.61 грн
307+3.74 грн
843+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ER1D DIOTEC SEMICONDUCTOR er1a.pdf ER1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+6.34 грн
343+3.34 грн
944+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ER1G ER1G DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB88E557A63F07E0C7&compId=er1a.pdf?ci_sign=1797ca16c70bc789b073e9529f24d663bc07ec25 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+6.28 грн
53+5.74 грн
349+3.29 грн
958+3.11 грн
45000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ER1J DIOTEC SEMICONDUCTOR er1a.pdf ER1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 10468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.57 грн
349+3.28 грн
959+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI79L24DAB di79l00dab.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L24DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.08 грн
160+7.28 грн
435+6.89 грн
4000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DI79L24UAB di79l00uab.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L24UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.18 грн
169+6.79 грн
463+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DI79L24ZAB di79l00zab.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L24ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.44 грн
219+5.23 грн
603+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A5N65D2K di7a5n65d2k.pdf
DI7A5N65D2K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.50 грн
5+110.85 грн
25+94.13 грн
100+84.43 грн
800+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020 dif065sic020.pdf
DIF065SIC020
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2618.92 грн
10+2253.30 грн
30+1974.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC030 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDAEACBA4880D6&compId=dif065sic030.pdf?ci_sign=353e3d1098c3a416eb027ed1597060e2d7c52518
DIF065SIC030
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1822.58 грн
5+1612.38 грн
10+1417.77 грн
30+1203.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF075F065 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB693FCB1452BA0D8&compId=dif075f065.pdf?ci_sign=84f0af03a316d4adeb279bd1dcf18d85b010f18d
DIF075F065
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.29 грн
10+292.24 грн
30+240.66 грн
120+201.85 грн
240+192.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4794.73 грн
10+4282.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2978.42 грн
5+2671.51 грн
10+2470.67 грн
30+2225.15 грн
60+2066.98 грн
120+1953.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d
DIF120SIC028
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2364.97 грн
10+2035.63 грн
30+1838.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc
DIF120SIC053-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1927.09 грн
10+1706.10 грн
30+1614.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe
DIF120SIC053
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.31 грн
5+787.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.67 грн
10+53.37 грн
50+41.44 грн
100+37.46 грн
500+31.64 грн
1000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIT080N08-AQ dit080n08.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.07 грн
11+105.39 грн
30+99.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIT090N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AECD8E061580C4&compId=dit090n06.pdf?ci_sign=0e9acf5e9914b75028b3d0d5fa64f91761061c5c
DIT090N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.06 грн
10+57.04 грн
26+44.06 грн
72+41.63 грн
500+40.37 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIT095N08 dit095n08.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.01 грн
26+45.32 грн
70+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIT100N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF6116B6DC20C4&compId=dit100n10.pdf?ci_sign=2433903ac6792c29ea347d9ea7444db8048446a1
DIT100N10
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
50+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIT120N08 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC89CEB36CF48920C8&compId=dit120n08.pdf?ci_sign=153df270416fa4c3b79a90185c9c8394ea85f956
DIT120N08
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.34 грн
10+107.83 грн
50+90.25 грн
100+84.43 грн
250+76.66 грн
500+70.84 грн
1000+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIT150N03 dit150n03.pdf
DIT150N03
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.40 грн
10+100.87 грн
50+79.09 грн
100+72.30 грн
500+58.03 грн
1000+52.69 грн
2000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIT195N08 dit195n08.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.76 грн
9+131.98 грн
24+125.18 грн
1000+124.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 diw018n65.pdf
DIW018N65
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.96 грн
10+361.78 грн
30+262.98 грн
120+196.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135 diw030f135.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.53 грн
5+235.81 грн
14+223.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F14486958360D6&compId=diw030m060.pdf?ci_sign=a16da1149abcd7c75a6051492621cbcb443ff100
DIW030M060
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.60 грн
3+203.56 грн
10+166.91 грн
30+123.24 грн
120+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135 diw040f135.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.40 грн
3+433.77 грн
8+409.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F1687B7922C0D6&compId=diw040m120.pdf?ci_sign=0ceed45e0fa4e0c722407c6c34edc424d3c985dd
DIW040M120
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.02 грн
3+509.91 грн
10+424.07 грн
30+330.91 грн
120+296.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94E5DD5AE5EEA0D6&compId=diw050f065.pdf?ci_sign=6625632b77861b51157cb0b6da5fd8cde7851493
DIW050F065
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.55 грн
10+260.00 грн
25+196.99 грн
30+187.29 грн
120+131.01 грн
450+127.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015 diw065sic015.pdf
DIW065SIC015
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2363.92 грн
10+2033.61 грн
30+1838.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC049 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96957D154778A0D6&compId=diw065sic049.pdf?ci_sign=7797bda0ad0330be70f78e6041a9e0f1c8e01bde
DIW065SIC049
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1366.94 грн
5+1228.43 грн
10+1120.83 грн
30+969.44 грн
120+821.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06 diw085n06.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.46 грн
6+222.81 грн
15+210.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E8B7BCEF0D80D6&compId=diw120sic022.pdf?ci_sign=dc59c81ab0c358f64d1b3f2a56767c320fd0a0bc
DIW120SIC022-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4794.73 грн
10+4282.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E8C40B773B00D6&compId=diw120sic023.pdf?ci_sign=7c89b35bec5b10558e508827547b0da06c358048
DIW120SIC023-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6193.02 грн
10+5819.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1917.53 грн
2+1812.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEAFE8D1D9CD3C60D6&compId=diw120sic059.pdf?ci_sign=a5a6afa95cc616e12d9a4fb93903f3e3b22d2036
DIW120SIC059-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1927.09 грн
10+1706.10 грн
30+1604.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC049
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1280.94 грн
3+1211.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC750 diw170sic750.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.41 грн
6+217.37 грн
15+205.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EAL1D eal1a.pdf
EAL1D
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EAL1G eal1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.19 грн
290+4.07 грн
780+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
EAL1J eal1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.13 грн
270+4.34 грн
730+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
EAL1M eal1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.84 грн
232+4.94 грн
638+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1A egl1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.52 грн
447+2.56 грн
1227+2.43 грн
50000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1B
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.01 грн
423+2.71 грн
1162+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1D egl1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 23170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.02 грн
349+3.28 грн
959+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A9EE6590EBB68143&compId=egl1a.pdf?ci_sign=88852fd00c102c84431fcffdb9904b87dfe630ab
EGL1G
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.72 грн
29+10.58 грн
100+7.12 грн
500+5.54 грн
1000+4.98 грн
2500+4.30 грн
7500+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1J egl1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 16941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.96 грн
334+3.44 грн
918+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1K egl1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
55+5.75 грн
350+3.49 грн
925+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1M egl1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 10812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.77 грн
317+3.62 грн
871+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34A egl34a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
250+1.25 грн
1000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34B egl34a.pdf egl34a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
54+5.92 грн
515+2.22 грн
1415+2.11 грн
50000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34D egl34a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.82 грн
374+3.06 грн
1029+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EGL34G
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
65+4.83 грн
400+2.94 грн
1075+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
EM513-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A4F79061C9F380E2&compId=1n4001.pdf?ci_sign=828df5c79a5e79ca554417c123019f54fca55d57
EM513-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.54 грн
37+8.36 грн
50+6.29 грн
100+5.60 грн
250+4.76 грн
500+4.15 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EM513 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A816320F1640CE&compId=1n4001.pdf?ci_sign=8f200929b515b97d2899160932aa97d606beae00 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A4F79061C9F380E2&compId=1n4001.pdf?ci_sign=828df5c79a5e79ca554417c123019f54fca55d57
EM513
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.41 грн
47+6.55 грн
100+4.07 грн
500+3.06 грн
1000+2.73 грн
2000+2.45 грн
5000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
EM516 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A816320F1640CE&compId=1n4001.pdf?ci_sign=8f200929b515b97d2899160932aa97d606beae00 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A4F79061C9F380E2&compId=1n4001.pdf?ci_sign=828df5c79a5e79ca554417c123019f54fca55d57
EM516
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 27A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.41 грн
43+7.05 грн
100+5.14 грн
500+4.25 грн
1000+3.91 грн
5000+3.22 грн
10000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
EM518 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A816320F1640CE&compId=1n4001.pdf?ci_sign=8f200929b515b97d2899160932aa97d606beae00 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A4F79061C9F380E2&compId=1n4001.pdf?ci_sign=828df5c79a5e79ca554417c123019f54fca55d57
EM518
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 27A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.36 грн
63+4.84 грн
72+4.06 грн
100+3.81 грн
500+3.33 грн
1000+3.14 грн
5000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ER1A er1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 7060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
46+6.95 грн
331+3.46 грн
908+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
ER1B er1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.11 грн
349+3.28 грн
959+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ER1D-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
на замовлення 6424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.61 грн
307+3.74 грн
843+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ER1D er1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.34 грн
343+3.34 грн
944+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ER1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB88E557A63F07E0C7&compId=er1a.pdf?ci_sign=1797ca16c70bc789b073e9529f24d663bc07ec25
ER1G
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.28 грн
53+5.74 грн
349+3.29 грн
958+3.11 грн
45000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ER1J er1a.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 10468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.57 грн
349+3.28 грн
959+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 51 102 153 204 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 255 306 357 408 459 510 518  [ Наступна Сторінка >> ]