Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника DIOTEC SEMICONDUCTOR (30578) > Сторінка 215 з 510
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DI79L06ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L06ZAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 786 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L08DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L08DAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 2531 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L08UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L08UAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L08ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L08ZAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L09DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L09DAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 2898 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L09UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L09UAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 944 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L09ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L09ZAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L10DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L10DAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L10UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L10UAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L10ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L10ZAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DI79L12DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -12V Output current: 0.1A Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -14...-27V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxDAB Kind of package: reel; tape Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L12UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -12V Output current: 0.1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -14.5...-27V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxUAB Kind of package: reel; tape Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1829 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L12ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; TO92; THT; bulk Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -12V Output current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -14...-27V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxZAB Kind of package: bulk Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 714 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L15DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -15V Output current: 0.1A Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -17.5...-30V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxDAB Kind of package: reel; tape Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L15UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5% Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -15V Output current: 0.1A Case: SOT89 Mounting: SMD Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -17.5...-30V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxUAB Kind of package: reel; tape Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI79L15ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; TO92; THT; bulk Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; linear Output voltage: -15V Output current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Operating temperature: 0...125°C Number of channels: 1 Input voltage: -17.5...-30V Tolerance: ±5% Manufacturer series: DI79LxxZAB Kind of package: bulk Voltage drop: 1.7V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 337 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DI79L18DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L18DAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 3639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L18UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L18UAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L18ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L18ZAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L24DAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L24DAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L24UAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L24UAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 991 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DI79L24ZAB | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI79L24ZAB-DIO Fixed voltage regulators |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DI7A5N65D2K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF065SIC020 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...18V Gate charge: 236nC On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 550W Drain current: 100A Drain-source voltage: 650V Pulsed drain current: 300A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF065SIC030 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 74A Pulsed drain current: 105A Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF075F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 385W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Turn-on time: 52ns Turn-off time: 172ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC022-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 340W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 269nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC022 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 340W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 269nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 715W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 373nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC053-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIF120SIC053 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT050N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT080N08-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIT090N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm Power dissipation: 160W Drain current: 62A Pulsed drain current: 310A Gate charge: 94nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2002 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT095N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT095N08-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 586 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIT100N10 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT100N10-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIT120N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB Case: TO220AB Gate charge: 163nC Heatsink thickness: max. 1.2mm On-state resistance: 4.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 84A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 220W Pulsed drain current: 450A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 686 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT150N03 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 644 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT195N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT195N08-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 855 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW018N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 155W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW030F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 357 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW030M060 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 150W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 227ns Turn-on time: 124ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW040F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW040M120 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW040M120-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 426 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW050F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 168ns Turn-off time: 245ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW065SIC015 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...15V Gate charge: 236nC On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 550W Drain current: 100A Drain-source voltage: 650V Pulsed drain current: 300A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW065SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 135A Power dissipation: 550W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW085N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW085N06-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW120SIC022-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 28mΩ Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 340W Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 269nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW120SIC023-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 29mΩ Drain current: 100A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 600W Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 45nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 26mΩ Drain current: 84A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 715W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V Gate charge: 373nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW120SIC059-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 65mΩ Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 121nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW170SIC750 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EAL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Max. load current: 8A Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| EAL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1A-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EGL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 25A Kind of package: reel; tape Leakage current: 5µA Max. load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EGL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 20560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| DI79L06ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L06ZAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L06ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.75 грн |
| 238+ | 4.92 грн |
| 653+ | 4.65 грн |
| DI79L08DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L08DAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L08DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.99 грн |
| 160+ | 7.38 грн |
| 435+ | 6.99 грн |
| DI79L08UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L08UAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L08UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.09 грн |
| 170+ | 6.89 грн |
| 470+ | 6.49 грн |
| DI79L08ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L08ZAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L08ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.89 грн |
| 214+ | 5.47 грн |
| 587+ | 5.18 грн |
| DI79L09DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L09DAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L09DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.89 грн |
| 165+ | 7.09 грн |
| 453+ | 6.69 грн |
| DI79L09UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L09UAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L09UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.14 грн |
| 169+ | 6.89 грн |
| 466+ | 6.49 грн |
| DI79L09ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L09ZAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L09ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.50 грн |
| 240+ | 4.87 грн |
| 660+ | 4.61 грн |
| DI79L10DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L10DAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L10DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.99 грн |
| 160+ | 7.48 грн |
| 435+ | 7.09 грн |
| DI79L10UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L10UAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L10UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.71 грн |
| 149+ | 7.87 грн |
| 411+ | 7.38 грн |
| 25000+ | 7.36 грн |
| DI79L10ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L10ZAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L10ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.35 грн |
| 219+ | 5.33 грн |
| 603+ | 5.04 грн |
| DI79L12DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 11.23 грн |
| 35+ | 8.79 грн |
| 100+ | 7.58 грн |
| 500+ | 6.69 грн |
| 4000+ | 6.00 грн |
| DI79L12UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14.5...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14.5...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.26 грн |
| 24+ | 13.08 грн |
| 28+ | 10.92 грн |
| 100+ | 9.05 грн |
| 250+ | 8.17 грн |
| 500+ | 7.58 грн |
| 1000+ | 7.09 грн |
| DI79L12ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -12V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -12V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -14...-27V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 17+ | 18.91 грн |
| 25+ | 14.09 грн |
| 100+ | 9.63 грн |
| 500+ | 6.62 грн |
| 1000+ | 5.82 грн |
| 2000+ | 5.20 грн |
| DI79L15DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SO8; SMD; 0÷125°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxDAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 16+ | 20.23 грн |
| 18+ | 16.43 грн |
| 100+ | 10.04 грн |
| 500+ | 7.87 грн |
| 1000+ | 7.28 грн |
| 4000+ | 6.69 грн |
| DI79L15UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; SOT89; SMD; ±5%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxUAB
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.09 грн |
| 13+ | 23.61 грн |
| 25+ | 17.61 грн |
| 100+ | 12.10 грн |
| 500+ | 8.46 грн |
| 1000+ | 7.58 грн |
| 2000+ | 6.89 грн |
| DI79L15ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.1A; TO92; THT; bulk
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: -15V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: -17.5...-30V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: DI79LxxZAB
Kind of package: bulk
Voltage drop: 1.7V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 17+ | 18.91 грн |
| 25+ | 14.01 грн |
| 100+ | 9.57 грн |
| 500+ | 6.61 грн |
| 1000+ | 5.83 грн |
| 2000+ | 5.24 грн |
| DI79L18DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L18DAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L18DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.99 грн |
| 160+ | 7.48 грн |
| 435+ | 7.09 грн |
| DI79L18UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L18UAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L18UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 169+ | 6.89 грн |
| 466+ | 6.49 грн |
| DI79L18ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L18ZAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L18ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.35 грн |
| 219+ | 5.33 грн |
| 603+ | 5.04 грн |
| DI79L24DAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L24DAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L24DAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.99 грн |
| 160+ | 7.48 грн |
| 435+ | 7.09 грн |
| DI79L24UAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L24UAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L24UAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.44 грн |
| 169+ | 6.89 грн |
| 466+ | 6.49 грн |
| DI79L24ZAB |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L24ZAB-DIO Fixed voltage regulators
DI79L24ZAB-DIO Fixed voltage regulators
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.84 грн |
| 219+ | 5.33 грн |
| 603+ | 5.04 грн |
| DI7A5N65D2K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.29 грн |
| 5+ | 112.41 грн |
| 25+ | 95.45 грн |
| 100+ | 85.61 грн |
| 800+ | 82.66 грн |
| DIF065SIC020 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...18V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2655.78 грн |
| 10+ | 2285.01 грн |
| 30+ | 2002.58 грн |
| DIF065SIC030 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1848.23 грн |
| 5+ | 1635.07 грн |
| 10+ | 1437.73 грн |
| 30+ | 1220.25 грн |
| DIF075F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 172ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 453.58 грн |
| 10+ | 296.36 грн |
| 30+ | 244.05 грн |
| 120+ | 204.69 грн |
| 240+ | 194.85 грн |
| DIF120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4862.21 грн |
| 10+ | 4343.15 грн |
| DIF120SIC022 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3020.34 грн |
| 5+ | 2709.11 грн |
| 10+ | 2505.44 грн |
| 30+ | 2256.47 грн |
| 60+ | 2096.07 грн |
| 120+ | 1980.93 грн |
| DIF120SIC028 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2398.25 грн |
| 10+ | 2064.28 грн |
| 30+ | 1864.81 грн |
| DIF120SIC053-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1954.21 грн |
| 10+ | 1730.11 грн |
| 30+ | 1637.49 грн |
| DIF120SIC053 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 877.49 грн |
| 5+ | 798.12 грн |
| DIT050N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 61.52 грн |
| 10+ | 54.12 грн |
| 50+ | 42.02 грн |
| 100+ | 37.99 грн |
| 500+ | 32.08 грн |
| 1000+ | 30.51 грн |
| DIT080N08-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.38 грн |
| 11+ | 106.87 грн |
| 31+ | 101.06 грн |
| DIT090N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Power dissipation: 160W
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Gate charge: 94nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Power dissipation: 160W
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Gate charge: 94nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.02 грн |
| 10+ | 53.55 грн |
| 50+ | 45.46 грн |
| 100+ | 43.00 грн |
| 250+ | 40.64 грн |
| DIT095N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 586 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.84 грн |
| 26+ | 45.96 грн |
| 70+ | 43.50 грн |
| DIT100N10 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT100N10-DIO THT N channel transistors
DIT100N10-DIO THT N channel transistors
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.65 грн |
| 19+ | 63.96 грн |
| 51+ | 60.03 грн |
| DIT120N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.06 грн |
| 10+ | 109.35 грн |
| 50+ | 91.52 грн |
| 100+ | 85.61 грн |
| 250+ | 77.74 грн |
| 500+ | 71.84 грн |
| 1000+ | 65.93 грн |
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.49 грн |
| 10+ | 102.29 грн |
| 50+ | 80.20 грн |
| 100+ | 73.31 грн |
| 500+ | 58.85 грн |
| 1000+ | 53.43 грн |
| 2000+ | 48.22 грн |
| DIT195N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 276.60 грн |
| 9+ | 133.83 грн |
| 24+ | 126.94 грн |
| 1000+ | 126.72 грн |
| DIW018N65 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 469.48 грн |
| 10+ | 366.87 грн |
| 30+ | 266.68 грн |
| 120+ | 199.77 грн |
| DIW030F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 412.25 грн |
| 5+ | 240.11 грн |
| 14+ | 226.34 грн |
| DIW030M060 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.73 грн |
| 3+ | 206.43 грн |
| 10+ | 169.26 грн |
| 30+ | 124.98 грн |
| 120+ | 114.15 грн |
| DIW040F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 621.02 грн |
| 3+ | 439.88 грн |
| 8+ | 416.26 грн |
| DIW040M120 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040M120-DIO THT IGBT transistors
DIW040M120-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 627.38 грн |
| 4+ | 324.74 грн |
| 10+ | 307.03 грн |
| DIW050F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.30 грн |
| 10+ | 263.66 грн |
| 25+ | 199.77 грн |
| 30+ | 189.93 грн |
| 120+ | 132.85 грн |
| 450+ | 128.91 грн |
| DIW065SIC015 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2397.19 грн |
| 10+ | 2062.23 грн |
| 30+ | 1864.81 грн |
| DIW065SIC049 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1386.18 грн |
| 5+ | 1245.72 грн |
| 10+ | 1136.60 грн |
| 30+ | 983.09 грн |
| 120+ | 833.51 грн |
| DIW085N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 363.50 грн |
| 6+ | 226.14 грн |
| 15+ | 213.74 грн |
| DIW120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4862.21 грн |
| 10+ | 4343.15 грн |
| DIW120SIC023-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6280.18 грн |
| 10+ | 5910.78 грн |
| DIW120SIC028 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 373nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 373nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2816.86 грн |
| 10+ | 2446.47 грн |
| 30+ | 2182.67 грн |
| 120+ | 2078.36 грн |
| 240+ | 1870.72 грн |
| 450+ | 1767.39 грн |
| DIW120SIC059-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1954.21 грн |
| 10+ | 1730.11 грн |
| 30+ | 1626.67 грн |
| DIW170SIC750 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 362.44 грн |
| 6+ | 220.43 грн |
| 15+ | 208.62 грн |
| EAL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EAL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1G-DIO SMD universal diodes
EAL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.32 грн |
| 290+ | 4.14 грн |
| 780+ | 3.92 грн |
| EAL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1J-DIO SMD universal diodes
EAL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.27 грн |
| 270+ | 4.40 грн |
| 740+ | 4.16 грн |
| EAL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1M-DIO SMD universal diodes
EAL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.05 грн |
| 234+ | 5.01 грн |
| 642+ | 4.73 грн |
| EGL1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1A-DIO SMD universal diodes
EGL1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.18 грн |
| 432+ | 2.71 грн |
| 1187+ | 2.56 грн |
| EGL1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.78 грн |
| 35+ | 8.89 грн |
| 100+ | 5.39 грн |
| 500+ | 3.94 грн |
| 1000+ | 3.45 грн |
| 2500+ | 2.92 грн |
| 5000+ | 2.58 грн |
| EGL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1D-DIO SMD universal diodes
EGL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 20560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.29 грн |
| 351+ | 3.33 грн |
| 966+ | 3.15 грн |
















