Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника DIOTEC SEMICONDUCTOR (25387) > Сторінка 394 з 424
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Доступність |
Ціна |
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BZT52C4V7 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZT52C4V7 - Zener-Diode, Produktreihe BZT52C, 4.7 V, 410 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 410mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C4V7 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZT52C4V7 - Zener-Diode, Produktreihe BZT52C, 4.7 V, 410 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 410mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BAV103G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BAV103G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80C (MiniMELF) Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817K-40 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817K-40 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DI080N06PQ-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C13W | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZX84C13W - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 13V |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C13W | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZX84C13W - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 productTraceability: No Zener-Spannung, nom.: 13V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3904 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3904 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP56-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBTA42 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 300 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBTA42 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 300 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DI080N06PQ-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SD103AW | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - SD103AW - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 350 mA, 600 mV, 2 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: 10ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 350mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAV199 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BAV199 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 160 mA, 1.1 V, 3 µs, 4.5 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 160mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV19 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817K-16-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-16-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPSMA6L6.0A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - TPSMA6L6.0A-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 6 V, 10.3 V, DO-221AC (SMAF), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-221AC (SMAF) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6.7V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 7.4V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 6V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 10.3V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 7490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPSMA6L6.0A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - TPSMA6L6.0A-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 6 V, 10.3 V, DO-221AC (SMAF), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6.7V Durchbruchspannung, max.: 7.4V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 6V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 10.3V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 7490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP01-56AYD2-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP01-56AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 48 V, 77.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 53.3V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 61.3V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 48V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 77.4V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP01-47AYD2-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP01-47AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 44.4V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 51.1V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 40V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 64.5V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ES1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 15ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBTA56-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBTA56-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT5401 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5401 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP02-33AYD2R-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP02-30AYD2R-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP02-33AYD2R-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.1V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 35.8V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 28V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 45.4V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP02-26AYD2R-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-26AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP02-30AYD2-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 28.9V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 33.2V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 42.1V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP02-30AYD2R-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 28.9V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 33.2V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 42.1V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP02-33AYD2-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.1V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 35.8V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 28V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 45.4V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LDP02-26AYD2R-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-26AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 24.4V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 28V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 22V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 35.5V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC327-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC327-25 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC327-40 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC327-40BK | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-40BK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBTA44 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA44 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC337-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC337-16BK | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-16BK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC337-25 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC337-40 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC547C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC547BBK | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC547A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC547CBK | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547CBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC556BBK | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC556BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC556B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC556B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC557BBK | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC557BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BZT52C4V7 |
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZT52C4V7 - Zener-Diode, Produktreihe BZT52C, 4.7 V, 410 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZT52C4V7 - Zener-Diode, Produktreihe BZT52C, 4.7 V, 410 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 11.42 грн |
| 138+ | 5.78 грн |
| 217+ | 3.66 грн |
| 500+ | 2.97 грн |
| 1000+ | 2.41 грн |
| 5000+ | 1.43 грн |
| BZT52C4V7 |
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZT52C4V7 - Zener-Diode, Produktreihe BZT52C, 4.7 V, 410 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZT52C4V7 - Zener-Diode, Produktreihe BZT52C, 4.7 V, 410 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.97 грн |
| 1000+ | 2.41 грн |
| 5000+ | 1.43 грн |
| BC807-16 |
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 78+ | 10.23 грн |
| 131+ | 6.07 грн |
| 214+ | 3.72 грн |
| BC807-16 |
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAV103G |
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BAV103G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BAV103G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 12.13 грн |
| 99+ | 8.09 грн |
| 117+ | 6.82 грн |
| 500+ | 5.07 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| BC817K-40 |
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.31 грн |
| BC817K-40 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 12.92 грн |
| 100+ | 7.93 грн |
| 161+ | 4.93 грн |
| 500+ | 3.31 грн |
| DI080N06PQ-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 236.29 грн |
| 10+ | 158.59 грн |
| 100+ | 107.84 грн |
| 500+ | 89.09 грн |
| 1000+ | 76.12 грн |
| BZX84C13W |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZX84C13W - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZX84C13W - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.94 грн |
| 69+ | 11.50 грн |
| 100+ | 9.67 грн |
| 500+ | 7.13 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| BZX84C13W |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZX84C13W - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Zener-Spannung, nom.: 13V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BZX84C13W - Zener-Diode, 13 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Zener-Spannung, nom.: 13V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.67 грн |
| 500+ | 7.13 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| MMBT3904 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3904 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3904 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 92+ | 8.64 грн |
| 158+ | 5.04 грн |
| 235+ | 3.39 грн |
| 500+ | 2.28 грн |
| 1500+ | 1.82 грн |
| MMBT3904 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3904 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3904 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.28 грн |
| 1500+ | 1.82 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 34.02 грн |
| 39+ | 20.77 грн |
| 100+ | 13.16 грн |
| 500+ | 9.06 грн |
| 1000+ | 6.76 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.16 грн |
| 500+ | 9.06 грн |
| 1000+ | 6.76 грн |
| MMBTA42 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 300 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 300 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 48+ | 16.65 грн |
| 66+ | 12.13 грн |
| 100+ | 10.15 грн |
| 500+ | 7.51 грн |
| 1000+ | 6.04 грн |
| MMBTA42 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 300 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 300 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.51 грн |
| 1000+ | 6.04 грн |
| DI080N06PQ-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 107.84 грн |
| 500+ | 89.09 грн |
| 1000+ | 76.12 грн |
| SD103AW |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - SD103AW - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 350 mA, 600 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 350mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - SD103AW - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 350 mA, 600 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 350mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.38 грн |
| 1000+ | 4.31 грн |
| BAV199 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BAV199 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 160 mA, 1.1 V, 3 µs, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 160mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BAV199 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 160 mA, 1.1 V, 3 µs, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 160mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV19
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.29 грн |
| MMBT3906 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.59 грн |
| BC817K-16-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-16-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC817K-16-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 13.64 грн |
| 80+ | 9.99 грн |
| 100+ | 8.41 грн |
| 500+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.01 грн |
| MMBT3906 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 9.83 грн |
| 142+ | 5.60 грн |
| 210+ | 3.78 грн |
| 500+ | 2.53 грн |
| 1500+ | 2.07 грн |
| MMBT3906 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.53 грн |
| 1500+ | 2.07 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 7.62 грн |
| 190+ | 4.19 грн |
| 261+ | 3.04 грн |
| 500+ | 2.19 грн |
| 1500+ | 1.83 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.67 грн |
| MMBT2907A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.19 грн |
| 1500+ | 1.83 грн |
| TPSMA6L6.0A-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - TPSMA6L6.0A-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 6 V, 10.3 V, DO-221AC (SMAF), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AC (SMAF)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 6V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 10.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - TPSMA6L6.0A-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 6 V, 10.3 V, DO-221AC (SMAF), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AC (SMAF)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 6V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 10.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 26.56 грн |
| 41+ | 19.35 грн |
| 100+ | 13.32 грн |
| 500+ | 10.82 грн |
| 1000+ | 9.18 грн |
| 5000+ | 6.28 грн |
| TPSMA6L6.0A-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - TPSMA6L6.0A-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 6 V, 10.3 V, DO-221AC (SMAF), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.7V
Durchbruchspannung, max.: 7.4V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 6V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 10.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - TPSMA6L6.0A-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 6 V, 10.3 V, DO-221AC (SMAF), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.7V
Durchbruchspannung, max.: 7.4V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 6V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 10.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.32 грн |
| 500+ | 10.82 грн |
| 1000+ | 9.18 грн |
| 5000+ | 6.28 грн |
| LDP01-56AYD2-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP01-56AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 48 V, 77.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 53.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 61.3V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 48V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 77.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP01-56AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 48 V, 77.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 53.3V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 61.3V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 48V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 77.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 158.59 грн |
| 10+ | 123.70 грн |
| 100+ | 74.38 грн |
| LDP01-47AYD2-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP01-47AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 44.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 51.1V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 64.5V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP01-47AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 44.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 51.1V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 64.5V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 157.79 грн |
| 10+ | 123.70 грн |
| 100+ | 74.14 грн |
| ES1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7500+ | 5.22 грн |
| ES1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 23.47 грн |
| 51+ | 15.78 грн |
| 100+ | 13.56 грн |
| 500+ | 9.42 грн |
| 1000+ | 6.93 грн |
| ES1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.56 грн |
| 500+ | 9.42 грн |
| 1000+ | 6.93 грн |
| MMBTA56-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.34 грн |
| 500+ | 8.39 грн |
| 1000+ | 6.78 грн |
| MMBTA56-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 19.03 грн |
| 59+ | 13.56 грн |
| 100+ | 11.34 грн |
| 500+ | 8.39 грн |
| 1000+ | 6.78 грн |
| MMBT5401 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5401 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5401 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 9.12 грн |
| 131+ | 6.07 грн |
| 210+ | 3.79 грн |
| 500+ | 2.53 грн |
| 1000+ | 2.08 грн |
| LDP02-33AYD2R-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 94.36 грн |
| 500+ | 82.46 грн |
| LDP02-30AYD2R-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 94.36 грн |
| 500+ | 86.88 грн |
| LDP02-33AYD2R-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 35.8V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 45.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 35.8V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 45.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 200.61 грн |
| 10+ | 157.00 грн |
| 100+ | 94.36 грн |
| 500+ | 82.46 грн |
| LDP02-26AYD2R-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-26AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-26AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 94.36 грн |
| 500+ | 82.46 грн |
| LDP02-30AYD2-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 33.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 26V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 33.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 26V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 200.61 грн |
| 10+ | 115.77 грн |
| 100+ | 75.25 грн |
| 500+ | 69.14 грн |
| 1000+ | 45.94 грн |
| LDP02-30AYD2R-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 33.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 26V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-30AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 33.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 26V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 200.61 грн |
| 10+ | 157.00 грн |
| 100+ | 94.36 грн |
| 500+ | 86.88 грн |
| LDP02-33AYD2-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 35.8V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 45.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-33AYD2-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 28 V, 45.4 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 35.8V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 45.4V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 200.61 грн |
| 10+ | 157.00 грн |
| 100+ | 94.36 грн |
| 500+ | 86.88 грн |
| 1000+ | 77.48 грн |
| LDP02-26AYD2R-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-26AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 28V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - LDP02-26AYD2R-AQ - TVS-Diode, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 28V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 200.61 грн |
| 10+ | 157.00 грн |
| 100+ | 94.36 грн |
| 500+ | 82.46 грн |
| BC327-16 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 12.92 грн |
| 103+ | 7.77 грн |
| 163+ | 4.88 грн |
| 500+ | 3.33 грн |
| 1000+ | 2.35 грн |
| BC327-25 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 12.92 грн |
| 103+ | 7.77 грн |
| 163+ | 4.88 грн |
| 500+ | 3.33 грн |
| 1000+ | 2.35 грн |
| BC327-40 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 12.13 грн |
| 103+ | 7.74 грн |
| 164+ | 4.85 грн |
| 500+ | 3.95 грн |
| 1000+ | 2.79 грн |
| BC327-40BK |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-40BK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC327-40BK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 11.58 грн |
| 113+ | 7.02 грн |
| 184+ | 4.33 грн |
| 500+ | 2.92 грн |
| 1000+ | 2.37 грн |
| MMBTA44 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA44 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA44 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 48+ | 16.65 грн |
| 77+ | 10.39 грн |
| 124+ | 6.44 грн |
| 500+ | 4.43 грн |
| 1000+ | 3.61 грн |
| BC337-16 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 12.13 грн |
| 94+ | 8.48 грн |
| 112+ | 7.13 грн |
| 500+ | 5.28 грн |
| BC337-16BK |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-16BK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-16BK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 11.34 грн |
| 98+ | 8.17 грн |
| 117+ | 6.82 грн |
| 500+ | 5.07 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| BC337-25 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 12.13 грн |
| 94+ | 8.48 грн |
| 112+ | 7.13 грн |
| BC337-40 | ![]() |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC337-40 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 11.58 грн |
| 96+ | 8.33 грн |
| 115+ | 6.95 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1000+ | 4.17 грн |
| BC547C |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 86+ | 9.28 грн |
| 123+ | 6.49 грн |
| 147+ | 5.42 грн |
| 500+ | 4.03 грн |
| 1000+ | 3.25 грн |
| BC547BBK |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 9.12 грн |
| 125+ | 6.37 грн |
| 150+ | 5.30 грн |
| 500+ | 3.94 грн |
| 1000+ | 3.18 грн |
| BC547A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 8.48 грн |
| 129+ | 6.18 грн |
| 154+ | 5.18 грн |
| 500+ | 3.87 грн |
| 1000+ | 3.11 грн |
| BC547CBK |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547CBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC547CBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 8.48 грн |
| 129+ | 6.18 грн |
| 154+ | 5.18 грн |
| 500+ | 3.87 грн |
| 1000+ | 3.11 грн |
| BC556BBK |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC556BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC556BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 8.33 грн |
| 131+ | 6.07 грн |
| 157+ | 5.08 грн |
| 500+ | 3.80 грн |
| 1000+ | 3.05 грн |
| BC556B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC556B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC556B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 94+ | 8.48 грн |
| 129+ | 6.18 грн |
| 154+ | 5.18 грн |
| 500+ | 3.87 грн |
| 1000+ | 3.11 грн |
| BC557BBK |
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC557BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC557BBK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 9.83 грн |
| 136+ | 5.84 грн |
| 202+ | 3.94 грн |
| 500+ | 2.61 грн |
| 1000+ | 1.88 грн |















