Продукція > HARRIS CORPORATION > Всі товари виробника HARRIS CORPORATION (4203) > Сторінка 66 з 71

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFP15P05 RFP15P05 Harris Corporation HRISD017-5-178.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 88449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+132.25 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP17N06L Harris Corporation HRISD017-6-99.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 30 V
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP18N08 RFP18N08 Harris Corporation HRISD017-4-694.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+90.87 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP23N06LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP25N05L Harris Corporation HRISD017-6-103.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP25N06L RFP25N06L Harris Corporation HRISD017-6-108.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+220.50 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N08 RFP2N08 Harris Corporation HRISD017-4-601.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N10 Harris Corporation HRISD017-4-601.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1323+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N12 Harris Corporation HRISD017-4-605.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N15 RFP2N15 Harris Corporation HRISD017-4-605.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N20 Harris Corporation HRISD017-4-609.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2P08 Harris Corporation HRISD017-5-149.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2P10 RFP2P10 Harris Corporation HRISD017-5-149.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 11516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30N6LER4541 RFP30N6LER4541 Harris Corporation Description: 30A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3N45 Harris Corporation HRISD017-4-613.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10S5001 RFP40N10S5001 Harris Corporation Description: 40A, 100V, 0.04OHM, N CHANNEL, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP42N03L RFP42N03L Harris Corporation HRISS497-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 42A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 63600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N02L RFP45N02L Harris Corporation HRISS551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N03L RFP45N03L Harris Corporation INSLS18395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 41855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N06LE RFP45N06LE Harris Corporation HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N05 RFP4N05 Harris Corporation HRISD017-4-617.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 6728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N06 RFP4N06 Harris Corporation HRISD017-4-617.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N35 RFP4N35 Harris Corporation HRISD017-4-625.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N40 RFP4N40 Harris Corporation HRISD017-4-625.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05 RFP50N05 Harris Corporation HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 14764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+89.32 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 RFP50N06 Harris Corporation FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+118.03 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06R4034 RFP50N06R4034 Harris Corporation Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP6N45 Harris Corporation HRISD017-4-633.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+109.29 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP6N50 RFP6N50 Harris Corporation HRISD017-4-633.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP6P10 RFP6P10 Harris Corporation HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 42094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP70N03 RFP70N03 Harris Corporation HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP70N06S5001 RFP70N06S5001 Harris Corporation HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 70A, 60V, 0.014OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP7N35 RFP7N35 Harris Corporation HRISD017-4-637.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP7N40 RFP7N40 Harris Corporation HRISD017-4-637.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+141.81 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP8N20 RFP8N20 Harris Corporation INSLS10598-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP8P06LE Harris Corporation HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFW2N06RLE Harris Corporation HRISD017-6-35.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+129.99 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHR1K160 Harris Corporation INSLS00163-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE STANDARD 600V 1A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD440S RHRD440S Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 400V 4A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD450S RHRD450S Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 500V 4A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD460S96 Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 600V 4A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD640 Harris Corporation HRISD027-7-13.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 400V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: IPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD640S RHRD640S Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD650 Harris Corporation HRISD027-7-13.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 500V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: IPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 500 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD650S RHRD650S Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE STANDARD 500V 6A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 500 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG30100 RHRG30100 Harris Corporation HRISD027-7-25.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 1KV 30A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG3040 RHRG3040 Harris Corporation HRISD027-7-21.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 400V 30A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 400 V
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+300.71 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG3050CC RHRG3050CC Harris Corporation HRISD027-8-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY AVAL 500V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 500 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+211.78 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG50100 RHRG50100 Harris Corporation HRISD027-7-36.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 1000V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1000 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5040 Harris Corporation HRISD027-7-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 400V 50A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5050 Harris Corporation HRISD027-7-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 500V 50A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5070 RHRG5070 Harris Corporation HRISD027-7-36.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 700V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 700 V
на замовлення 4274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+207.06 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5080 RHRG5080 Harris Corporation HRISD027-7-36.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 800V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 800 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5090 RHRG5090 Harris Corporation HRISD027-7-36.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 900V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 900 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 900 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG75100 RHRG75100 Harris Corporation HRISD027-7-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 1000V 75A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1000 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+267.80 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG7570 RHRG7570 Harris Corporation HRISD027-7-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 700V 75A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 700 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+267.80 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP15100 RHRP15100 Harris Corporation HRISD027-7-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVAL 1000V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP1580 RHRP1580 Harris Corporation HRISD027-7-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 800V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+152.79 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP1590 RHRP1590 Harris Corporation HRISD027-7-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 900V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 900 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 900 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP30100 RHRP30100 Harris Corporation HRISD027-7-82.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE AVALANCHE 1KV 30A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15P05 HRISD017-5-178.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP15P05
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 88449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+132.25 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP17N06L HRISD017-6-99.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 30 V
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
267+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP18N08 HRISD017-4-694.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP18N08
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+90.87 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP23N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
466+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP25N05L HRISD017-6-103.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP25N06L HRISD017-6-108.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP25N06L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
101+220.50 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N08 HRISD017-4-601.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP2N08
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1110+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N10 HRISD017-4-601.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1323+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N12 HRISD017-4-605.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
650+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N15 HRISD017-4-605.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP2N15
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
452+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2N20 HRISD017-4-609.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
503+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2P08 HRISD017-5-149.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1202+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP2P10 HRISD017-5-149.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP2P10
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 11516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
592+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP30N6LER4541
RFP30N6LER4541
Виробник: Harris Corporation
Description: 30A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
454+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP3N45 HRISD017-4-613.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP40N10S5001
RFP40N10S5001
Виробник: Harris Corporation
Description: 40A, 100V, 0.04OHM, N CHANNEL, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP42N03L HRISS497-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP42N03L
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 42A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 63600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
243+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N02L HRISS551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP45N02L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
413+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N03L INSLS18395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP45N03L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 41855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
284+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP45N06LE HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP45N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
430+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N05 HRISD017-4-617.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP4N05
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 6728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
566+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N06 HRISD017-4-617.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP4N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
626+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N35 HRISD017-4-625.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP4N35
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP4N40 HRISD017-4-625.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP4N40
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
371+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N05 HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP50N05
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 14764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
222+89.32 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06 FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP50N06
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+118.03 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N06R4034
RFP50N06R4034
Виробник: Harris Corporation
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
308+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP6N45 HRISD017-4-633.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+109.29 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP6N50 HRISD017-4-633.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP6N50
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP6P10 HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP6P10
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 42094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
567+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP70N03 HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP70N03
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+113.31 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP70N06S5001 HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP70N06S5001
Виробник: Harris Corporation
Description: 70A, 60V, 0.014OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP7N35 HRISD017-4-637.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP7N35
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP7N40 HRISD017-4-637.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP7N40
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
157+141.81 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP8N20 INSLS10598-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP8N20
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
523+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP8P06LE HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFW2N06RLE HRISD017-6-35.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
167+129.99 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHR1K160 INSLS00163-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
790+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD440S HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRD440S
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 400V 4A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
404+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD450S HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRD450S
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE GEN PURP 500V 4A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD460S96 HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 600V 4A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD640 HRISD027-7-13.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 400V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: IPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
363+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD640S HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRD640S
Виробник: Harris Corporation
Description: RECTIFIER DIODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD650 HRISD027-7-13.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 500V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: IPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 500 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
363+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRD650S HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRD650S
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE STANDARD 500V 6A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 500 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
363+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG30100 HRISD027-7-25.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG30100
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 30A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG3040 HRISD027-7-21.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG3040
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 400V 30A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 400 V
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+300.71 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG3050CC HRISD027-8-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG3050CC
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE ARRAY AVAL 500V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 500 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+211.78 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG50100 HRISD027-7-36.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG50100
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1000 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5040 HRISD027-7-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 400V 50A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5050 HRISD027-7-32.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 500V 50A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5070 HRISD027-7-36.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG5070
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 700V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 700 V
на замовлення 4274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+207.06 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5080 HRISD027-7-36.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG5080
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 800V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 800 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5090 HRISD027-7-36.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG5090
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 900V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 900 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 900 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG75100 HRISD027-7-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG75100
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 1000V 75A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1000 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+267.80 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG7570 HRISD027-7-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRG7570
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 700V 75A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 700 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+267.80 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP15100 HRISD027-7-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRP15100
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVAL 1000V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP1580 HRISD027-7-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRP1580
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 800V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+152.79 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP1590 HRISD027-7-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRP1590
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 900V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 900 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 900 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHRP30100 HRISD027-7-82.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RHRP30100
Виробник: Harris Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 30A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.