Продукція > HARRIS CORPORATION > Всі товари виробника HARRIS CORPORATION (4165) > Сторінка 63 з 70

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 70  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MWS5101EL2X MWS5101EL2X Harris Corporation HRISD004-6-49.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC SRAM 1KBIT PARALLEL 22DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 22-DIP (0.400", 10.16mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4V ~ 6.5V
Technology: SRAM - Synchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 22-PDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 300ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 250 ns
Memory Organization: 256 x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWS5114D2 MWS5114D2 Harris Corporation HRISS566-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18SBDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 6.5V
Technology: SRAM - Synchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 18-SBDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 250ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 250 ns
Memory Organization: 1K x 4
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+1373.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
N7000050FBBAAA Harris Corporation Description: N7000050FBBAAA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PRISM1KIT-EVAL Harris Corporation Description: WLAN PCMCIA EVAL BOARD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: AM79C930
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; 802.11 b (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1001 Harris Corporation INSLS12265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN DARL 80V 8A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1A05 RCA1A05 Harris Corporation Description: PNP POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1A09 RCA1A09 Harris Corporation Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1A18 RCA1A18 Harris Corporation Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1C03 RCA1C03 Harris Corporation Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1C04 RCA1C04 Harris Corporation Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1C13 RCA1C13 Harris Corporation Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA3055 Harris Corporation INSLS12267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 60V 15A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA8766 Harris Corporation INSLS10590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN DARL 350V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA9116E RCA9116E Harris Corporation HRISD005-2-173.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 100V 200A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+113.86 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
RCA9166A RCA9166A Harris Corporation INSLS12268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 250V 16A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+178.34 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
RCD4001AK3 Harris Corporation Description: IC GATE NOR QUAD 2-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1671.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RCH10N50A Harris Corporation Description: RCH10N50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909096 RF1K4909096 Harris Corporation HRISC016-4.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT
Packaging: Bulk
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49211 Harris Corporation HRISC016-4.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
825+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 825
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49223 RF1K49223 Harris Corporation HRISC016-4.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N06 RF1S15N06 Harris Corporation Description: MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N08L Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06L RF1S17N06L Harris Corporation Description: DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 451
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LSM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10 Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SM RF1S22N10SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LE RF1S23N06LE Harris Corporation INSLS12758-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM RF1S23N06LESM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+53.53 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06 Harris Corporation HRISS981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LE Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 312
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9A RF1S30N06LESM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05 RF1S30P05 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 50V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+75.19 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06 Harris Corporation Description: 30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM9A RF1S30P06SM9A Harris Corporation FAIRS43770-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LE RF1S40N10LE Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03L Harris Corporation HRISS497-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02L RF1S45N02L Harris Corporation HRISS551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM RF1S45N02LSM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03L RF1S45N03L Harris Corporation INSLS18395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LE RF1S45N06LE Harris Corporation HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S4N100SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+266.02 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06 RF1S50N06 Harris Corporation HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESM Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AS2551 Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+87.14 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9A RF1S530SM9A Harris Corporation FAIRS14594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S540 Harris Corporation HRISSA21-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+98.97 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+92.02 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
MWS5101EL2X HRISD004-6-49.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MWS5101EL2X
Виробник: Harris Corporation
Description: IC SRAM 1KBIT PARALLEL 22DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 22-DIP (0.400", 10.16mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4V ~ 6.5V
Technology: SRAM - Synchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 22-PDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 300ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 250 ns
Memory Organization: 256 x 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWS5114D2 HRISS566-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MWS5114D2
Виробник: Harris Corporation
Description: IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18SBDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 6.5V
Technology: SRAM - Synchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 18-SBDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 250ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 250 ns
Memory Organization: 1K x 4
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+1373.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
N7000050FBBAAA
Виробник: Harris Corporation
Description: N7000050FBBAAA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PRISM1KIT-EVAL
Виробник: Harris Corporation
Description: WLAN PCMCIA EVAL BOARD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: AM79C930
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; 802.11 b (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1001 INSLS12265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN DARL 80V 8A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1A05
RCA1A05
Виробник: Harris Corporation
Description: PNP POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1A09
RCA1A09
Виробник: Harris Corporation
Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
533+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1A18
RCA1A18
Виробник: Harris Corporation
Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
468+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1C03
RCA1C03
Виробник: Harris Corporation
Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1C04
RCA1C04
Виробник: Harris Corporation
Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA1C13
RCA1C13
Виробник: Harris Corporation
Description: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA3055 INSLS12267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 60V 15A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA8766 INSLS10590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCA9116E HRISD005-2-173.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RCA9116E
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS PNP 100V 200A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+113.86 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
RCA9166A INSLS12268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RCA9166A
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 250V 16A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+178.34 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
RCD4001AK3
Виробник: Harris Corporation
Description: IC GATE NOR QUAD 2-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1671.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RCH10N50A
Виробник: Harris Corporation
Description: RCH10N50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909096 HRISC016-4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1K4909096
Виробник: Harris Corporation
Description: RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT
Packaging: Bulk
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
485+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49211 HRISC016-4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
825+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 825
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49223 HRISC016-4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1K49223
Виробник: Harris Corporation
Description: DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
381+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N06
RF1S15N06
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
429+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
486+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N08L HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
460+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06L
RF1S17N06L
Виробник: Harris Corporation
Description: DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
451+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 451
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LSM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
342+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S22N10SM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
381+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LE INSLS12758-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S23N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
423+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S23N06LESM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
468+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+53.53 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06 HRISS981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
460+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
460+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
312+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 312
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S30N06LESM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05
RF1S30P05
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 50V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+75.19 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06
Виробник: Harris Corporation
Description: 30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM9A FAIRS43770-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S30P06SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LE
RF1S40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03L HRISS497-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02L HRISS551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S45N02L
Виробник: Harris Corporation
Description: 45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S45N02LSM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
486+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03L INSLS18395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S45N03L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
333+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LE HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S45N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S4N100SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+266.02 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06 HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S50N06
Виробник: Harris Corporation
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESM HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AS2551 HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
241+87.14 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9A FAIRS14594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S530SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: 14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S540 HRISSA21-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+98.97 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+92.02 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 70  [ Наступна Сторінка >> ]