Продукція > HARRIS CORPORATION > Всі товари виробника HARRIS CORPORATION (4164) > Сторінка 64 з 70

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF1S640SM Harris Corporation HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+206.59 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03 RF1S70N03 Harris Corporation HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06 RF1S70N06 Harris Corporation FAIRS43450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9530 RF1S9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: -12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+145.58 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9540 RF1S9540 Harris Corporation HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+168.46 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9630SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9640 RF1S9640 Harris Corporation HRISSC89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
RFA100N05E Harris Corporation HRISD017-4-778.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-218-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+403.65 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
RFAS15N06SM Harris Corporation Description: RFAS15N06SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CS Harris Corporation HRISD017-7-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-5
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+195.40 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CSVM Harris Corporation INSLS10838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10N05SM RFD10N05SM Harris Corporation TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 10A, 50V, N-CHANNEL,
на замовлення 11883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05S2515 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 50V 14A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 728
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06 RFD14N06 Harris Corporation INSLS14930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06LSM9A RFD14N06LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 662
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LESM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02L Harris Corporation HRISS550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16A, 20V, 0.022 OHM, N-CHANNEL L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05 RFD16N05 Harris Corporation FAIRS35810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05L RFD16N05L Harris Corporation HRISD017-6-88.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 31022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM RFD16N05LSM Harris Corporation FAIRS37307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AS2480 Harris Corporation Description: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03 RFD20N03 Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 607
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM RFD20N03SM Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A RFD20N03SM9A Harris Corporation FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055RLESM9A Harris Corporation Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055SM9AS2479 RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08L Harris Corporation HRISD017-9-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 951
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
RFD4N06L Harris Corporation HRISD017-9-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 809
В кошику  од. на суму  грн.
RFD7N10LE RFD7N10LE Harris Corporation HRISSE58-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P03LSM96 Harris Corporation Description: RFD8P03LSM96
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9AS2463 RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 50V 8A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P06LE RFD8P06LE Harris Corporation HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
753+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
RFF70N06/3 RFF70N06/3 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3517.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RFG30P05 RFG30P05 Harris Corporation HRISD017-5-187.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+184.74 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10 RFG40N10 Harris Corporation HRISS995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+103.15 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10LE RFG40N10LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06 RFG45N06 Harris Corporation HRISD017-4-736.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06LE Harris Corporation HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05 RFG50N05 Harris Corporation HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+406.39 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N06LE RFG50N06LE Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG75N05E Harris Corporation HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 20 V
на замовлення 18160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+596.67 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RFH10N50 Harris Corporation HRISD017-4-645.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+257.94 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N12 Harris Corporation HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+251.06 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N15 Harris Corporation HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+292.57 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
RFH45N05 Harris Corporation HRISD017-4-742.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05 RFH75N05 Harris Corporation TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 75A, 50V, 0.008OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+348.44 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05E Harris Corporation HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS30P06 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS40N10LE RFIS40N10LE Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS70N06SM Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 70A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N12 Harris Corporation HRISSD53-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N15L RFL1N15L Harris Corporation HRISD017-6-23.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+131.75 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
RFL4N15 RFL4N15 Harris Corporation HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N15L Harris Corporation HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640SM HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+206.59 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03 HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S70N03
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06 FAIRS43450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S70N06
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9530 HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9530
Виробник: Harris Corporation
Description: -12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+145.58 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9540 HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9540
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+168.46 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9630SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9640 HRISSC89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9640
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
RFA100N05E HRISD017-4-778.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-218-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+403.65 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
RFAS15N06SM
Виробник: Harris Corporation
Description: RFAS15N06SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CS HRISD017-7-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-5
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+195.40 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CSVM INSLS10838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10N05SM TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD10N05SM
Виробник: Harris Corporation
Description: 10A, 50V, N-CHANNEL,
на замовлення 11883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
489+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05S2515
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 14A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
728+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 728
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06 INSLS14930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD14N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
398+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD14N06LSM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
662+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 662
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LESM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
575+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02L HRISS550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 16A, 20V, 0.022 OHM, N-CHANNEL L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05 FAIRS35810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05L HRISD017-6-88.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 31022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM FAIRS37307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05LSM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
503+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AS2480
Виробник: Harris Corporation
Description: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
566+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03 HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
607+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 607
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
575+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
292+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
560+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055RLESM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055SM9AS2479
RFD3055SM9AS2479
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08L HRISD017-9-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
951+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 951
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
833+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
RFD4N06L HRISD017-9-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
809+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 809
В кошику  од. на суму  грн.
RFD7N10LE HRISSE58-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD7N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P03LSM96
Виробник: Harris Corporation
Description: RFD8P03LSM96
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9AS2463
RFD8P05SM9AS2463
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 50V 8A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P06LE HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD8P06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
753+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
RFF70N06/3
RFF70N06/3
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3517.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RFG30P05 HRISD017-5-187.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG30P05
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+184.74 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10 HRISS995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG40N10
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+103.15 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10LE
RFG40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06 HRISD017-4-736.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG45N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06LE HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05 HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG50N05
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+406.39 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N06LE HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG50N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG75N05E HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 20 V
на замовлення 18160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+596.67 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RFH10N50 HRISD017-4-645.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+257.94 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N12 HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+251.06 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N15 HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+292.57 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
RFH45N05 HRISD017-4-742.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05 TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFH75N05
Виробник: Harris Corporation
Description: 75A, 50V, 0.008OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+348.44 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05E HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS30P06
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
201+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS40N10LE
RFIS40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
214+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS70N06SM
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 70A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N12 HRISSD53-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N15L HRISD017-6-23.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFL1N15L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+131.75 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
RFL4N15 HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFL4N15
Виробник: Harris Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N15L HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70  [ Наступна Сторінка >> ]