Продукція > HARRIS CORPORATION > Всі товари виробника HARRIS CORPORATION (4175) > Сторінка 64 з 70

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF1S4N100SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+269.31 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06 RF1S50N06 Harris Corporation HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+109.42 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESM Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AS2551 Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+107.28 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9A RF1S530SM9A Harris Corporation FAIRS14594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S540 Harris Corporation HRISSA21-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640 Harris Corporation HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+114.08 грн
Мінімальне замовлення: 217
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640SM Harris Corporation HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+209.14 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03 RF1S70N03 Harris Corporation HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+129.98 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06 RF1S70N06 Harris Corporation FAIRS43450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9530 RF1S9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: -12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+147.38 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9540 RF1S9540 Harris Corporation HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+170.55 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9630SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9640 RF1S9640 Harris Corporation HRISSC89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+134.88 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
RFA100N05E Harris Corporation HRISD017-4-778.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-218-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+408.64 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
RFAS15N06SM Harris Corporation Description: RFAS15N06SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CS Harris Corporation HRISD017-7-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-5
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CSVM Harris Corporation INSLS10838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10N05SM RFD10N05SM Harris Corporation TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 10A, 50V, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05S2515 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 50V 14A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06 RFD14N06 Harris Corporation INSLS14930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06LSM9A RFD14N06LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LESM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02L Harris Corporation HRISS550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16A, 20V, 0.022 OHM, N-CHANNEL L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+86.12 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05 RFD16N05 Harris Corporation FAIRS35810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05L RFD16N05L Harris Corporation HRISD017-6-88.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 31022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM RFD16N05LSM Harris Corporation FAIRS37307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AS2480 Harris Corporation Description: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03 RFD20N03 Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM RFD20N03SM Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A RFD20N03SM9A Harris Corporation FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055RLESM9A Harris Corporation Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055SM9AS2479 RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08L Harris Corporation HRISD017-9-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 951
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
RFD4N06L Harris Corporation HRISD017-9-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
RFD7N10LE RFD7N10LE Harris Corporation HRISSE58-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P03LSM96 Harris Corporation Description: RFD8P03LSM96
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9AS2463 RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 50V 8A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P06LE RFD8P06LE Harris Corporation HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
753+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
RFF70N06/3 RFF70N06/3 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4205.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFG30P05 RFG30P05 Harris Corporation HRISD017-5-187.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+187.02 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10 RFG40N10 Harris Corporation HRISS995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+123.52 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10LE RFG40N10LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+127.07 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06 RFG45N06 Harris Corporation HRISD017-4-736.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06LE Harris Corporation HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05 RFG50N05 Harris Corporation HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+411.41 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N06LE RFG50N06LE Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG75N05E Harris Corporation HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 20 V
на замовлення 18160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+604.04 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RFH10N50 Harris Corporation HRISD017-4-645.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+315.90 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N12 Harris Corporation HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+254.17 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N15 Harris Corporation HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+296.18 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S4N100SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+269.31 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06 HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S50N06
Виробник: Harris Corporation
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+109.42 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESM HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AS2551 HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+107.28 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9A FAIRS14594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S530SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: 14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S540 HRISSA21-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640 HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
217+114.08 грн
Мінімальне замовлення: 217
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640SM HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+209.14 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03 HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S70N03
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+129.98 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06 FAIRS43450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S70N06
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9530 HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9530
Виробник: Harris Corporation
Description: -12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+147.38 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9540 HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9540
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+170.55 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9630SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9640 HRISSC89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9640
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+134.88 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
RFA100N05E HRISD017-4-778.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-218-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+408.64 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
RFAS15N06SM
Виробник: Harris Corporation
Description: RFAS15N06SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CS HRISD017-7-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-5
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CSVM INSLS10838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10N05SM TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD10N05SM
Виробник: Harris Corporation
Description: 10A, 50V, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
308+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05S2515
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 14A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06 INSLS14930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD14N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD14N06LSM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
550+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LESM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
575+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02L HRISS550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 16A, 20V, 0.022 OHM, N-CHANNEL L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+86.12 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05 FAIRS35810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05L HRISD017-6-88.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 31022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM FAIRS37307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05LSM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
343+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AS2480
Виробник: Harris Corporation
Description: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
566+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03 HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
478+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
466+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055RLESM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055SM9AS2479
RFD3055SM9AS2479
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08L HRISD017-9-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
951+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 951
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
833+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
RFD4N06L HRISD017-9-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
673+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
RFD7N10LE HRISSE58-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD7N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
413+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P03LSM96
Виробник: Harris Corporation
Description: RFD8P03LSM96
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9AS2463
RFD8P05SM9AS2463
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 50V 8A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P06LE HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD8P06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
753+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
RFF70N06/3
RFF70N06/3
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+4205.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFG30P05 HRISD017-5-187.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG30P05
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+187.02 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10 HRISS995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG40N10
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+123.52 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10LE
RFG40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+127.07 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06 HRISD017-4-736.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG45N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06LE HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05 HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG50N05
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+411.41 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N06LE HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG50N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG75N05E HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 20 V
на замовлення 18160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+604.04 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RFH10N50 HRISD017-4-645.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+315.90 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N12 HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+254.17 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N15 HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+296.18 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70  [ Наступна Сторінка >> ]