Продукція > HARRIS CORPORATION > Всі товари виробника HARRIS CORPORATION (4205) > Сторінка 64 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF1S17N06LSM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10 Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SM RF1S22N10SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LE RF1S23N06LE Harris Corporation INSLS12758-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+68.03 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM RF1S23N06LESM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06 Harris Corporation HRISS981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LE Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9A RF1S30N06LESM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05 RF1S30P05 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 50V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06 Harris Corporation Description: 30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM RF1S30P06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM9A RF1S30P06SM9A Harris Corporation FAIRS43770-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LE Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+108.70 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03L Harris Corporation HRISS497-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02L RF1S45N02L Harris Corporation HRISS551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM RF1S45N02LSM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03L RF1S45N03L Harris Corporation INSLS18395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LE RF1S45N06LE Harris Corporation HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S4N100SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+252.03 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06 RF1S50N06 Harris Corporation HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESM Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+97.80 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AS2551 Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+101.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9A RF1S530SM9A Harris Corporation FAIRS14594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S540 Harris Corporation HRISSA21-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+93.76 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+105.63 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640 Harris Corporation HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640SM Harris Corporation HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+195.72 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03 RF1S70N03 Harris Corporation HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06 RF1S70N06 Harris Corporation FAIRS43450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9530 RF1S9530 Harris Corporation HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: -12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+138.96 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9540 RF1S9540 Harris Corporation HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+159.60 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9630SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9640 RF1S9640 Harris Corporation HRISSC89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFA100N05E Harris Corporation HRISD017-4-778.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-218-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+382.41 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFAS15N06SM Harris Corporation Description: RFAS15N06SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CS Harris Corporation HRISD017-7-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-5
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+185.12 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CSVM Harris Corporation INSLS10838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10N05SM RFD10N05SM Harris Corporation TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 10A, 50V, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05S2515 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 50V 14A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06 RFD14N06 Harris Corporation INSLS14930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06LSM9A RFD14N06LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LESM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02L Harris Corporation HRISS550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16A, 20V, 0.022 OHM, N-CHANNEL L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05 RFD16N05 Harris Corporation FAIRS35810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 14894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05L RFD16N05L Harris Corporation HRISD017-6-88.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 32985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+112.38 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM RFD16N05LSM Harris Corporation FAIRS37307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LSM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
498+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
342+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S22N10SM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
381+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LE INSLS12758-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S23N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
288+68.03 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S23N06LESM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
319+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06 HRISS981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S30N06LESM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05
RF1S30P05
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 50V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06
Виробник: Harris Corporation
Description: 30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S30P06SM
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM9A FAIRS43770-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S30P06SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+108.70 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03L HRISS497-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02L HRISS551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S45N02L
Виробник: Harris Corporation
Description: 45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
363+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S45N02LSM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
404+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03L INSLS18395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S45N03L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LE HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S45N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
310+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
310+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
317+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S4N100SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+252.03 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06 HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S50N06
Виробник: Harris Corporation
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESM HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
209+97.80 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AS2551 HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+101.88 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9A FAIRS14594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S530SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: 14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S540 HRISSA21-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+93.76 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+105.63 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640 HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
217+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640SM HRISSD64-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+195.72 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03 HRISS982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S70N03
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06 FAIRS43450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S70N06
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9530 HRISSD80-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9530
Виробник: Harris Corporation
Description: -12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+138.96 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9540 HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9540
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+159.60 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9630SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
311+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9640 HRISSC89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S9640
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFA100N05E HRISD017-4-778.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-218-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+382.41 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFAS15N06SM
Виробник: Harris Corporation
Description: RFAS15N06SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CS HRISD017-7-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-5
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+185.12 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFB18N10CSVM INSLS10838-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD10N05SM TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD10N05SM
Виробник: Harris Corporation
Description: 10A, 50V, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
308+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05S2515
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 14A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
606+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06 INSLS14930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD14N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N06LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD14N06LSM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
550+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15N06LESM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
575+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD15P06SM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N02L HRISS550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 16A, 20V, 0.022 OHM, N-CHANNEL L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
606+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N03LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05 FAIRS35810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 14894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
203+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05L HRISD017-6-88.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 32985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+112.38 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM FAIRS37307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05LSM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
343+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]