Продукція > HARRIS CORPORATION > Всі товари виробника HARRIS CORPORATION (4204) > Сторінка 65 з 71

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFD16N05LSM RFD16N05LSM Harris Corporation FAIRS37307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AS2480 Harris Corporation Description: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03 RFD20N03 Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM RFD20N03SM Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A RFD20N03SM9A Harris Corporation FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+83.63 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055RLESM9A Harris Corporation Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055SM9AS2479 RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08L Harris Corporation HRISD017-9-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 951 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD4N06L Harris Corporation HRISD017-9-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD7N10LE RFD7N10LE Harris Corporation HRISSE58-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P03LSM96 Harris Corporation Description: RFD8P03LSM96
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9AS2463 RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 50V 8A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P06LE RFD8P06LE Harris Corporation HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFF70N06/3 RFF70N06/3 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4373.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG30P05 RFG30P05 Harris Corporation HRISD017-5-187.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+174.21 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10 RFG40N10 Harris Corporation HRISS995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+114.23 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10LE RFG40N10LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+118.20 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06 RFG45N06 Harris Corporation HRISD017-4-736.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06LE Harris Corporation HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05 RFG50N05 Harris Corporation HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+383.23 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N06LE RFG50N06LE Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG75N05E Harris Corporation HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 20 V
на замовлення 18160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+584.07 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH10N50 Harris Corporation HRISD017-4-645.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+330.57 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N12 Harris Corporation HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+236.75 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N15 Harris Corporation HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+275.89 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH45N05 Harris Corporation HRISD017-4-742.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05 RFH75N05 Harris Corporation TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 75A, 50V, 0.008OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+340.60 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05E Harris Corporation HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS30P06 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS40N10LE RFIS40N10LE Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+111.59 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS70N06SM Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 70A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N12 RFL1N12 Harris Corporation HRISSD53-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+85.94 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N15L RFL1N15L Harris Corporation HRISD017-6-23.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+124.24 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFL4N15 RFL4N15 Harris Corporation HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N15L Harris Corporation HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N45 Harris Corporation HRISD017-4-649.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N50 Harris Corporation HRISD017-4-649.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12N10 Harris Corporation HRISD017-4-659.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12P08 Harris Corporation HRISD017-5-174.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+124.40 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12P10 Harris Corporation HRISD017-5-174.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM15N05L Harris Corporation HRISD017-6-84.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM25N06 RFM25N06 Harris Corporation INSLS12273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM3N45 RFM3N45 Harris Corporation HRISD017-4-613.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFM6P10 RFM6P10 Harris Corporation HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+105.86 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N12L RFP10N12L Harris Corporation HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 54904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N15101 RFP10N15101 Harris Corporation Description: 10A, 150V, 0.3OHM, N-CHANNEL, MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N15L RFP10N15L Harris Corporation HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 35079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10P12 RFP10P12 Harris Corporation HRISD017-5-170.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+81.91 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10P15 RFP10P15 Harris Corporation HRISD017-5-170.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 75381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+170.61 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N06RLE RFP12N06RLE Harris Corporation HRISD017-6-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 13334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N18 Harris Corporation HRISD017-4-663.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP14N05P2 RFP14N05P2 Harris Corporation Description: 14A, 50V, 0.1OHM, N-CHANNEL, MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP14N06L Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N05L RFP15N05L Harris Corporation FAIRS37150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N05L119 Harris Corporation Description: 15A, 50V, 0.14OHM, N-CHANNEL, MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N06 RFP15N06 Harris Corporation HRISD017-4-680.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 27098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N08L RFP15N08L Harris Corporation HRISD017-9-7.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 49688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05LSM FAIRS37307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD16N05LSM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
343+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AS2480
Виробник: Harris Corporation
Description: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
566+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03 HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
505+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
478+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+83.63 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
466+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055RLESM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055SM9AS2479
RFD3055SM9AS2479
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08L HRISD017-9-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
951+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 951 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
833+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD4N06L HRISD017-9-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
673+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD7N10LE HRISSE58-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD7N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
413+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P03LSM96
Виробник: Harris Corporation
Description: RFD8P03LSM96
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
392+56.33 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9AS2463
RFD8P05SM9AS2463
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 50V 8A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
650+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P06LE HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD8P06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
626+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFF70N06/3
RFF70N06/3
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4373.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG30P05 HRISD017-5-187.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG30P05
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+174.21 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10 HRISS995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG40N10
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
174+114.23 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10LE
RFG40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+118.20 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06 HRISD017-4-736.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG45N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06LE HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05 HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG50N05
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+383.23 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N06LE HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG50N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG75N05E HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 20 V
на замовлення 18160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+584.07 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH10N50 HRISD017-4-645.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+330.57 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N12 HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+236.75 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N15 HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+275.89 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH45N05 HRISD017-4-742.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05 TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFH75N05
Виробник: Harris Corporation
Description: 75A, 50V, 0.008OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+340.60 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05E HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS30P06
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS40N10LE
RFIS40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
178+111.59 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS70N06SM
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 70A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N12 HRISSD53-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFL1N12
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
233+85.94 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N15L HRISD017-6-23.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFL1N15L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+124.24 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFL4N15 HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFL4N15
Виробник: Harris Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N15L HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N45 HRISD017-4-649.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N50 HRISD017-4-649.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12N10 HRISD017-4-659.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12P08 HRISD017-5-174.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+124.40 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12P10 HRISD017-5-174.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM15N05L HRISD017-6-84.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM25N06 INSLS12273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFM25N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM3N45 HRISD017-4-613.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFM3N45
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
310+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFM6P10 HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFM6P10
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+105.86 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N12L HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP10N12L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 54904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
259+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N15101
RFP10N15101
Виробник: Harris Corporation
Description: 10A, 150V, 0.3OHM, N-CHANNEL, MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N15L HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP10N15L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 35079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
342+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10P12 HRISD017-5-170.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP10P12
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+81.91 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10P15 HRISD017-5-170.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP10P15
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 75381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+170.61 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N06RLE HRISD017-6-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP12N06RLE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 13334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
503+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N18 HRISD017-4-663.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
283+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP14N05P2
RFP14N05P2
Виробник: Harris Corporation
Description: 14A, 50V, 0.1OHM, N-CHANNEL, MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP14N06L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
568+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N05L FAIRS37150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP15N05L
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
404+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N05L119
Виробник: Harris Corporation
Description: 15A, 50V, 0.14OHM, N-CHANNEL, MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N06 HRISD017-4-680.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP15N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 27098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
466+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N08L HRISD017-9-7.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP15N08L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 49688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
485+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.