Продукція > HARRIS CORPORATION > Всі товари виробника HARRIS CORPORATION (4202) > Сторінка 65 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD16N05SM9AS2480 Harris Corporation Description: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03 RFD20N03 Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM RFD20N03SM Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A RFD20N03SM9A Harris Corporation FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+84.73 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055RLESM9A Harris Corporation Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055SM9AS2479 RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08L Harris Corporation HRISD017-9-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 951
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08LSM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
RFD4N06L Harris Corporation HRISD017-9-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
RFD7N10LE RFD7N10LE Harris Corporation HRISSE58-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P03LSM96 Harris Corporation Description: RFD8P03LSM96
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9A Harris Corporation HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9AS2463 RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 50V 8A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P06LE RFD8P06LE Harris Corporation HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
RFF70N06/3 RFF70N06/3 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3926.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFG30P05 RFG30P05 Harris Corporation HRISD017-5-187.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+178.69 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10 RFG40N10 Harris Corporation HRISS995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06 RFG45N06 Harris Corporation HRISD017-4-736.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06LE Harris Corporation HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05 RFG50N05 Harris Corporation HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+393.09 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N06LE RFG50N06LE Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG75N05E Harris Corporation HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 20 V
на замовлення 18160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+577.13 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RFH10N50 Harris Corporation HRISD017-4-645.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+301.48 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N12 Harris Corporation HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+242.85 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N15 Harris Corporation HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+282.99 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
RFH45N05 Harris Corporation HRISD017-4-742.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05 RFH75N05 Harris Corporation TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 75A, 50V, 0.008OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+337.04 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05E Harris Corporation HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS30P06 Harris Corporation Description: MOSFET P-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS40N10LE Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+115.07 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS70N06SM Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 70A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N12 RFL1N12 Harris Corporation HRISSD53-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N15L RFL1N15L Harris Corporation HRISD017-6-23.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+127.43 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
RFL4N15 RFL4N15 Harris Corporation HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N15L Harris Corporation HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N45 Harris Corporation HRISD017-4-649.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N50 Harris Corporation HRISD017-4-649.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12N10 Harris Corporation HRISD017-4-659.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12P08 Harris Corporation HRISD017-5-174.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+125.73 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12P10 Harris Corporation HRISD017-5-174.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM15N05L Harris Corporation HRISD017-6-84.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM25N06 RFM25N06 Harris Corporation INSLS12273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM3N45 RFM3N45 Harris Corporation HRISD017-4-613.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
RFM6P10 RFM6P10 Harris Corporation HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+108.59 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N12L RFP10N12L Harris Corporation HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Supplier Device Package: TO-220-3
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
на замовлення 54904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N15101 RFP10N15101 Harris Corporation Description: 10A, 150V, 0.3OHM, N-CHANNEL, MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N15L RFP10N15L Harris Corporation HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 35079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10P12 RFP10P12 Harris Corporation HRISD017-5-170.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10P15 RFP10P15 Harris Corporation HRISD017-5-170.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 75381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+175.00 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N06RLE RFP12N06RLE Harris Corporation HRISD017-6-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 13334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N18 Harris Corporation HRISD017-4-663.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
RFP14N05P2 RFP14N05P2 Harris Corporation Description: 14A, 50V, 0.1OHM, N-CHANNEL, MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP14N06L Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N05L RFP15N05L Harris Corporation FAIRS37150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N05L119 Harris Corporation Description: 15A, 50V, 0.14OHM, N-CHANNEL, MO
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N06 RFP15N06 Harris Corporation HRISD017-4-680.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 27099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N08L RFP15N08L Harris Corporation HRISD017-9-7.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 49688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N12 RFP15N12 Harris Corporation HRISD017-4-686.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 10952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+87.10 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
RFD16N05SM9AS2480
Виробник: Harris Corporation
Description: 16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
566+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03 HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
478+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9A FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+84.73 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
RFD20N03SM9AR4761
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
466+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055RLESM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3055SM9AS2479
RFD3055SM9AS2479
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 60V, 0.15OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08L HRISD017-9-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
951+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 951
В кошику  од. на суму  грн.
RFD3N08LSM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
833+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 833
В кошику  од. на суму  грн.
RFD4N06L HRISD017-9-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
673+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
RFD7N10LE HRISSE58-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD7N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
413+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P03LSM96
Виробник: Harris Corporation
Description: RFD8P03LSM96
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9A HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P05SM9AS2463
RFD8P05SM9AS2463
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 50V 8A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
RFD8P06LE HRISS694-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD8P06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: 8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
626+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
RFF70N06/3
RFF70N06/3
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+3926.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFG30P05 HRISD017-5-187.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG30P05
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+178.69 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10 HRISS995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG40N10
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 20 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
RFG40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06 HRISD017-4-736.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG45N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
RFG45N06LE HRISS078-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N05 HRISD017-4-750.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG50N05
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250nA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+393.09 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RFG50N06LE HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFG50N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFG75N05E HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 20 V
на замовлення 18160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+577.13 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
RFH10N50 HRISD017-4-645.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+301.48 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N12 HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+242.85 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
RFH30N15 HRISD017-4-715.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+282.99 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
RFH45N05 HRISD017-4-742.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05 TOCSS00198-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFH75N05
Виробник: Harris Corporation
Description: 75A, 50V, 0.008OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+337.04 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
RFH75N05E HRISD017-4-773.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS30P06
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
201+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS40N10LE
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
178+115.07 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
RFIS70N06SM
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 70A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N12 HRISSD53-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFL1N12
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
RFL1N15L HRISD017-6-23.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFL1N15L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+127.43 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
RFL4N15 HRISD017-4-621.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFL4N15
Виробник: Harris Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N15L HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N45 HRISD017-4-649.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM10N50 HRISD017-4-649.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12N10 HRISD017-4-659.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12P08 HRISD017-5-174.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+125.73 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12P10 HRISD017-5-174.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM15N05L HRISD017-6-84.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM25N06 INSLS12273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFM25N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM3N45 HRISD017-4-613.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFM3N45
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
RFM6P10 HRISD017-5-157.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFM6P10
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+108.59 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N12L HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP10N12L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Supplier Device Package: TO-220-3
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
на замовлення 54904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N15101
RFP10N15101
Виробник: Harris Corporation
Description: 10A, 150V, 0.3OHM, N-CHANNEL, MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10N15L HRISD017-6-66.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP10N15L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 35079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
342+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10P12 HRISD017-5-170.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP10P12
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
RFP10P15 HRISD017-5-170.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP10P15
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 75381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+175.00 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N06RLE HRISD017-6-70.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP12N06RLE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 13334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
503+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
RFP12N18 HRISD017-4-663.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
283+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
RFP14N05P2
RFP14N05P2
Виробник: Harris Corporation
Description: 14A, 50V, 0.1OHM, N-CHANNEL, MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP14N06L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
568+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N05L FAIRS37150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP15N05L
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
404+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N05L119
Виробник: Harris Corporation
Description: 15A, 50V, 0.14OHM, N-CHANNEL, MO
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N06 HRISD017-4-680.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP15N06
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 27099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
560+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N08L HRISD017-9-7.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP15N08L
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 49688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
485+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
RFP15N12 HRISD017-4-686.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFP15N12
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 10952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+87.10 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]