Продукція > MICROSEMI CORPORATION > Всі товари виробника MICROSEMI CORPORATION (11164) > Сторінка 153 з 187
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
CPT30145 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| CPT30145A | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 45V TO244AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| CPT30145D | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 45V TO244AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
SMAJ5926B | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 11V 1.5W DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SMBG5926BE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 11V 2W SMBG |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 090-44530-01 | Microsemi Corporation |
Description: OSC ATOMIC CLOCK 10.0000MHZ CMOSDifferential - Input:Output: No/No Voltage - Supply: 4.5V ~ 32V Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: 8-DIP Module Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified Number of Circuits: 1 PLL: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| APTGT400SK120D3G | Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
AFS600-1PQ208I | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-1PQ208 | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-PQ208 | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-2PQ208I | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-2PQ208 | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-PQ208I | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-1PQG208 | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-1PQG208I | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-2PQG208I | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-PQG208I | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-2PQG208 | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AFS600-PQG208 | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
M1AFS600-PQ208I | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
M7AFS600-1PQ208I | Microsemi Corporation | Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
M7AFS600-1PQG208 | Microsemi Corporation | Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
M1AFS600-2PQG208 | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
M7AFS600-2PQG208I | Microsemi Corporation | Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MXPLAD6.5KP170CAe3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC PLAD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
JANTX1N4969CUS | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 30V 5W D5BTolerance: ±2% Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms Supplier Device Package: D-5B Grade: Military Part Status: Active Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 22.8 V Qualification: MIL-PRF-19500/435 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N6251T1 | Microsemi Corporation |
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTX2N6251T1 | Microsemi Corporation |
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANS2N6251T1 | Microsemi Corporation |
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6251T1 | Microsemi Corporation |
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2N6251T1 | Microsemi Corporation |
Description: NPN TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6061A/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6062E3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 73VWM 131VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6066A/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6067/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 121VWM 223VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6065/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 95VWM 176VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6069/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 145VWM 274VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6061AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6063A/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 82VWM 137VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6067A/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 128VWM 213VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6064/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 90VWM 158VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6065A/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 100VWM 168VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6067AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 128VWM 213VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SMCG6062AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 75VWM 125VC DO215AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
1N4700 (DO35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.8 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Power - Max: 500 mW Supplier Device Package: DO-35 Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MXP5KE120A | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204ALPackaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 133V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MAP5KE120A | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204ALPackaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 133V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MP5KE120A | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204ALPackaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 133V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MXP5KE120Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204ALPackaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 133V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MP5KE120Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204ALMounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500 Grade: Military Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 500W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V Voltage - Breakdown (Min): 133V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MAP5KE120Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204ALCurrent - Peak Pulse (10/1000µs): 2A Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500 Grade: Military Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 500W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V Voltage - Breakdown (Min): 133V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N7224 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AAPackaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTX2N7224 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AAPackaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N7224 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AAPackaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N7224U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N7224 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JANTX2N7224U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N7224U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2N7224U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| APTGF25DSK120T3G | Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual Buck Chopper Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 208 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| CPT30145 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER
Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CPT30145A |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 45V TO244AB
Description: DIODE MODULE 45V TO244AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CPT30145D |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 45V TO244AB
Description: DIODE MODULE 45V TO244AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMAJ5926B |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 1.5W DO214AC
Description: DIODE ZENER 11V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMBG5926BE3/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 11V 2W SMBG
Description: DIODE ZENER 11V 2W SMBG
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 090-44530-01 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: OSC ATOMIC CLOCK 10.0000MHZ CMOS
Differential - Input:Output: No/No
Voltage - Supply: 4.5V ~ 32V
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP Module
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
PLL: No
Description: OSC ATOMIC CLOCK 10.0000MHZ CMOS
Differential - Input:Output: No/No
Voltage - Supply: 4.5V ~ 32V
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP Module
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
PLL: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APTGT400SK120D3G |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3
Description: IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-1PQ208I |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-1PQ208 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-PQ208 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-2PQ208I |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-2PQ208 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-PQ208I |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-1PQG208 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-1PQG208I |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-2PQG208I |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-PQG208I |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-2PQG208 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AFS600-PQG208 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M1AFS600-PQ208I |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M7AFS600-1PQ208I |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M7AFS600-1PQG208 |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M1AFS600-2PQG208 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M7AFS600-2PQG208I |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
Description: IC FPGA 95 I/O 208QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MXPLAD6.5KP170CAe3 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC PLAD
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC PLAD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX1N4969CUS |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 5W D5B
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: D-5B
Grade: Military
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 22.8 V
Qualification: MIL-PRF-19500/435
Description: DIODE ZENER 30V 5W D5B
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: D-5B
Grade: Military
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 22.8 V
Qualification: MIL-PRF-19500/435
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N6251T1 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX2N6251T1 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANS2N6251T1 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTXV2N6251T1 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA
Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N6251T1 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Description: NPN TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6061A/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6062E3/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 73VWM 131VC DO215AB
Description: TVS DIODE 73VWM 131VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6066A/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO215AB
Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6067/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 121VWM 223VC DO215AB
Description: TVS DIODE 121VWM 223VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6065/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 95VWM 176VC DO215AB
Description: TVS DIODE 95VWM 176VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6069/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 145VWM 274VC DO215AB
Description: TVS DIODE 145VWM 274VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6061AE3/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6063A/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 82VWM 137VC DO215AB
Description: TVS DIODE 82VWM 137VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6067A/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 128VWM 213VC DO215AB
Description: TVS DIODE 128VWM 213VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6064/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 90VWM 158VC DO215AB
Description: TVS DIODE 90VWM 158VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6065A/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 100VWM 168VC DO215AB
Description: TVS DIODE 100VWM 168VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6067AE3/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 128VWM 213VC DO215AB
Description: TVS DIODE 128VWM 213VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCG6062AE3/TR13 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 75VWM 125VC DO215AB
Description: TVS DIODE 75VWM 125VC DO215AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4700 (DO35) |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-35
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MXP5KE120A |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MAP5KE120A |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MP5KE120A |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MXP5KE120Ae3 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MP5KE120Ae3 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MAP5KE120Ae3 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AL
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7224 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX2N7224 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTXV2N7224 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTXV2N7224U |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N7224 |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JANTX2N7224U |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JAN2N7224U |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7224U |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APTGF25DSK120T3G |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Buck Chopper
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 208 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Buck Chopper
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 208 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.





