Продукція > NSV

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSVF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF2250WT1G - TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF2250WT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 15V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 350mW
Gain: 12dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 110911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
882+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 882 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 691-700 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 120mW
Gain: 17dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
18+16.79 грн
25+14.98 грн
100+12.14 грн
250+11.23 грн
500+10.68 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC-82FL
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 120mW
Gain: 17dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 3.5V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4009SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4009SG4T1G - RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE AMPLIFIER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.1A; 0.45W; MCPH4
Mounting: SMD
Case: MCPH4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.45W
Collector-emitter voltage: 12V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.03 грн
500+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
16+19.18 грн
25+17.04 грн
100+13.87 грн
250+12.85 грн
500+12.24 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Bauform - HF-Transistor: SC-82FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.79 грн
41+19.77 грн
100+15.03 грн
500+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-82FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4onsemionsemi BIP NPN 100MA 12V FT=10G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.40 грн
38+20.27 грн
100+18.06 грн
250+16.56 грн
500+14.98 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.34 грн
23+35.68 грн
100+24.35 грн
500+18.80 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Gain: 17dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 450mW
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 450mW
Gain: 17dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.35 грн
500+18.80 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.36 грн
500+14.70 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4020SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 400 mW, 150 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.15 грн
38+21.54 грн
100+17.36 грн
500+14.70 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 16GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
14+21.79 грн
25+19.46 грн
100+15.86 грн
250+14.71 грн
500+14.03 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4020SG4T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 150MA 8V FT=16G
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON Semiconductor
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V F
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5488SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 100 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.84 грн
38+21.30 грн
100+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5488SKT3GON SemiconductorDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 30MA FT
на замовлення 13603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.30 грн
27+29.00 грн
100+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30mA
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.58 грн
42+19.21 грн
100+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.97 грн
10+31.34 грн
25+29.22 грн
100+21.95 грн
250+20.38 грн
500+17.25 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.07 грн
52+15.51 грн
100+12.38 грн
500+10.00 грн
1000+8.89 грн
5000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 250mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-623F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
11+27.83 грн
25+25.94 грн
100+19.47 грн
250+18.08 грн
500+15.30 грн
1000+11.63 грн
2500+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 250mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-623F
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.74 грн
500+15.00 грн
1000+10.88 грн
5000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GON Semiconductor
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-CPH
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 6.7GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
10+39.03 грн
25+36.68 грн
100+28.08 грн
250+26.08 грн
500+22.20 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.73 грн
29+27.80 грн
100+22.98 грн
500+18.28 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GON Semiconductor
на замовлення 20950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.92 грн
10+48.50 грн
25+40.33 грн
100+29.13 грн
250+24.85 грн
500+22.21 грн
1000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.98 грн
500+18.28 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT FSB560A-SN00165
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiRF Switch ICs Middle power SPDT RF switch, 8.5GHz, 1.6V Automotive Grade
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Isolation: 20dB
Test Frequency: 8.5GHz
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Insertion Loss: 0.65dB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Circuit: SPDT
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Isolation: 20dB
Test Frequency: 8.5GHz
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Insertion Loss: 0.65dB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Circuit: SPDT
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Test Frequency: 1GHz
P1dB: 6.4dBm
Noise Figure: 4.3dB
Current - Supply: 16mA
Gain: 27dB
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
RF Type: General Purpose
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
10+36.94 грн
25+34.74 грн
100+24.72 грн
250+21.04 грн
500+19.99 грн
1000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
RF Type: General Purpose
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Test Frequency: 1GHz
P1dB: 6.4dBm
Noise Figure: 4.3dB
Current - Supply: 16mA
Gain: 27dB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GONSEMICategory: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 0.1÷3.6GHz; Ch: 1; 2.7÷3.3VDC; MCPH6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 0.1...3.6GHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...3.3V DC
Case: MCPH6
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC, AMPLIFIER, 3 V, 6 MA, 0.1 TO 2.8 GHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC Wideband Amplifier, 5 V, 22.7 mA, 0.1 to 3 GHz, MCPH6 Automotive Grade part
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
13+23.43 грн
25+20.95 грн
100+17.10 грн
250+15.87 грн
500+15.14 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GONN
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Power dissipation: 285mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Case: SC74R
Type of transistor: NPN / PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68...600
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 13/0.13kΩ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+20.00 грн
100+12.66 грн
500+8.90 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDigital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.31 грн
6000+14.27 грн
9000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.36 грн
500+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+32.13 грн
558+25.35 грн
564+25.10 грн
621+21.99 грн
1000+18.35 грн
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.56 грн
23+33.24 грн
25+32.13 грн
100+24.45 грн
250+22.41 грн
500+19.54 грн
1000+17.62 грн
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiJFETs N-Channel JFET, 15 V, 10 to 32 mA, 38 mS
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.11 грн
22+38.17 грн
100+26.36 грн
500+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
12+26.04 грн
100+19.80 грн
500+17.01 грн
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 15V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
на замовлення 31093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON Semiconductor
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 200 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.40 грн
500+17.16 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 15V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]