Продукція > NSV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.30 грн
27+29.00 грн
100+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30mA
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5490SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 8 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
10+31.70 грн
25+29.56 грн
100+22.20 грн
250+20.62 грн
500+17.44 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW Automotive 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5490SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 30MA FT
на замовлення 13603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-623F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70mA
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiRF Bipolar Transistors RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3GonsemiDescription: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-623F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-623/SSFP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
11+28.15 грн
25+26.24 грн
100+19.69 грн
250+18.29 грн
500+15.47 грн
1000+11.76 грн
2500+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+39.48 грн
25+37.11 грн
100+28.40 грн
250+26.38 грн
500+22.46 грн
1000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6001SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+49.06 грн
25+40.79 грн
100+29.47 грн
250+25.13 грн
500+22.47 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF6003SB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT FSB560A-SN00165
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.10 грн
100+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVFSB560ALT1GonsemiDescription: FSB560A-SN00165
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NSVG1001MXTAG - HF-Schalter, AEC-Q100, SPDT, 100MHz bis 8.5GHz, 6V, X2DFNW-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPDT
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: X2DFNW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: X2DFNW
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 2.5dB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 8.5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 6V
Frequenz, max.: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NSVG1001MXTAG - HF-Schalter, AEC-Q100, SPDT, 100MHz bis 8.5GHz, 6V, X2DFNW-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SPDT
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: X2DFNW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: X2DFNW
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 2.5dB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 8.5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 6V
Frequenz, max.: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiRF Switch ICs Middle power SPDT RF switch, 8.5GHz, 1.6V Automotive Grade
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG1001MXTAGonsemiDescription: IC RF SWITCH SPDT 8.5GHZ 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Circuit: SPDT
RF Type: 802.11a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 8.5GHz
Test Frequency: 8.5GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GONSEMICategory: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 0.1÷3.6GHz; Ch: 1; 2.7÷3.3VDC; MCPH6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 0.1...3.6GHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...3.3V DC
Case: MCPH6
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC AMPLIFIER 3 V 6 MA 0.1 TO 2.8 GHZ
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3109SG6T1GonsemiDescription: IC AMP GPS 100MHZ-3.6GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3.6GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Gain: 27dB
Current - Supply: 16mA
Noise Figure: 4.3dB
P1dB: 6.4dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+37.36 грн
25+35.14 грн
100+25.00 грн
250+21.28 грн
500+20.22 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiDescription: IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ SC88FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 35.5dB
Current - Supply: 22.7mA
Noise Figure: 3.9dB
P1dB: 9.8dBm
Test Frequency: 1GHz
Supplier Device Package: SC-88FL/MCPH6
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
11+28.23 грн
25+26.60 грн
100+22.84 грн
250+21.56 грн
500+20.65 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVG3117SG6T1GonsemiRF Amplifier MMIC Wideband Amplifier, 5 V, 22.7 mA, 0.1 to 3 GHz, MCPH6 Automotive Grade part
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.23 грн
100+12.81 грн
500+9.01 грн
1000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GonsemiDigital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Power dissipation: 285mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Case: SC74R
Type of transistor: NPN / PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68...600
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 13/0.13kΩ
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.56 грн
23+33.24 грн
25+32.13 грн
100+24.45 грн
250+22.41 грн
500+19.54 грн
1000+17.62 грн
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiJFETs NCH J-FET
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
12+26.34 грн
100+20.02 грн
500+17.21 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ2394SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 15V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 700 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.49 грн
6000+14.43 грн
9000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ2394SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+32.13 грн
558+25.35 грн
564+25.10 грн
621+21.99 грн
1000+18.35 грн
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SC59; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 10mA
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 15V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
11+27.63 грн
100+20.64 грн
500+16.16 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
на замовлення 31093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.92 грн
6000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3557SA3T1G - JFET-Transistor, 15 V, 32 mA, -1.5 V, SC-59, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3onsemi NCH J-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.01 грн
6000+14.92 грн
9000+14.39 грн
15000+13.27 грн
21000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 531904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+39.25 грн
100+26.20 грн
500+19.48 грн
1000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiJFETs N-Channel JFET, -25 V, 20 to 40 mA, 40 mS
на замовлення 13964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA 5-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.85 грн
6000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: -15V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GonsemiJFETs NCH+NCH J-FET
на замовлення 15113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.3W; MCPH5; common source
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.3W
Case: MCPH5
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common source
Application: automotive industry
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA 5-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.31 грн
50+41.85 грн
100+34.89 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6onsemionsemi JFET -25V 20 TO 40MA DUA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 700 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+51.48 грн
100+36.57 грн
500+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-JFET x2; unipolar; 25V; 20mA; 0.7W; CPH6; Igt: 10mA
Polarisation: unipolar
Semiconductor structure: common source
Case: CPH6
Type of transistor: N-JFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.7W
Drain-source voltage: 25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 700 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GonsemiJFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA141WAT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 SWCH DIO 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WAT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WKT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC59 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+18.57 грн
100+9.34 грн
500+7.78 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SMALL SIGNAL SCHOTTK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD770DW1T1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 70V 100MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+17.96 грн
25+14.91 грн
100+10.65 грн
250+9.00 грн
500+7.98 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD770DW1T1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 100 mA, 7 V, Schottky Diode, Dual Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD770DW1T1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 70V 100MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBT3904DW1T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.32 грн
20000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBT3904DW1T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1403LT1GonsemiDescription: 175V FAST RECT TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1403LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes 175V FAST RECT TO-236AB
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1403LT1GonsemiDescription: 175V FAST RECT TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.60 грн
50+9.03 грн
100+7.39 грн
500+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.