Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 99985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1196+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 1196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1150+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NA-1GON SemiconductorMOSFET N-CH 25V 65A IPAK
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1420+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 1420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4860NA-1G - NTD4860N - MOSFET N-CH 25V 65A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NA-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NAT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
на замовлення 42111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
615+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.47 грн
100+23.00 грн
500+16.53 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GonsemiMOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4HON SemiconductorNTD4860NT4H
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4HonsemiDescription: RF MOSFET 25V DPAK
Packaging: Bulk
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
на замовлення 177225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4863NAT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 49 A, 0.0084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4863NT4G - NFET DPAK 25V 49A 0.0093R
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 180925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
на замовлення 180925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
на замовлення 13050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 1366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4865N-35G - NTD4865N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 1366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865NT4HonsemiDescription: RF MOSFET 25V DPAK
Packaging: Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 1366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904N-1GON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904N-35GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+46.25 грн
1000+42.66 грн
10000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052 pF @ 15 V
на замовлення 22250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+47.65 грн
1000+43.94 грн
10000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/79A DPAK
на замовлення 33167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
849+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 849 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+47.65 грн
1000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904NT4GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4904NT4G
Код товару: 91782
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4905N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4905N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4905NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
на замовлення 17450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906N-1G - NTD4906N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 17450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 676661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 635182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 676661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35HonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35HON SemiconductorNTD4906N-35H
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2507+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 2507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906N-35H - NTD4906N-35H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NA-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-Ch 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
на замовлення 40158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.74 грн
41+18.58 грн
100+11.79 грн
500+9.73 грн
1000+7.91 грн
2500+6.06 грн
5000+5.82 грн
10000+5.58 грн
25000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NA-1GonsemiMOSFETs NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906NA-35G - NTD4906NA - MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NA-35GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL
на замовлення 22125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2328+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 2328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NAT4GON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NAT4HON SemiconductorNTD4906NAT4H
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+50.57 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NAT4HonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 54A
Packaging: Bulk
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NAT4HON SemiconductorNTD4906NAT4H
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+50.57 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NAT4HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906NAT4H - NTD4906NAT4H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NT4G
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NT4HSanyo ElectricNTD4906NT4H
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 1810 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NT4HONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4906NT4H - NTD4906NT4H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906NT4HSanyoDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V
на замовлення 19225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909N-35HRochester Electronics, LLCDescription: NTD4909N-35H
на замовлення 14925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
на замовлення 23773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1101+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 1101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909NA-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 41A 8 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909NAT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909NAT4HonsemiDescription: NFET DPAK 30V 41A 8MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4909NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]