Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD4855NT4HonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4857N-1G - NTD4857N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1575+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4857NA-1G - NTD4857NA - MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NAT4GON Semiconductor
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4857NAT4G - NTD4857NAT4G - MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 1240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NT4G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858Nonsemi NFET DPAK 25V 73A 0.0062R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858N-1G - NTD4858N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1481+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 1481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 110416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858N-35G - MOSFET, N-CH, 25V, 73A, TO-251
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 118666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GON SemiconductorMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
75+39.51 грн
150+35.71 грн
525+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858NA-1G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-1GAptina ImagingMOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 1916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-35GAptina ImagingMOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
на замовлення 12881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 12881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858NA-35G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858NAT4G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 56969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 56969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NAT4GAptina ImagingMOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
на замовлення 55889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 14A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 175670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 99985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
на замовлення 95359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON0912+ TO-252
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 63445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1150+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 1150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1196+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 1196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NA-1GON SemiconductorMOSFET N-CH 25V 65A IPAK
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1420+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 1420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4860NA-1G - NTD4860N - MOSFET N-CH 25V 65A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 1366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NA-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NAT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GonsemiMOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
на замовлення 42111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
615+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+35.07 грн
100+22.74 грн
500+16.35 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4HON SemiconductorNTD4860NT4H
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4860NT4HonsemiDescription: RF MOSFET 25V DPAK
Packaging: Bulk
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
на замовлення 177225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4863NAT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 49 A, 0.0084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NAT4GON Semiconductor
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GON
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4863NT4G - NFET DPAK 25V 49A 0.0093R
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 180925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
на замовлення 180925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
на замовлення 13050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 1366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4865N-35G - NTD4865N-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2475+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 2475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4865NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 1366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]