Продукція > RN4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN4911,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR= Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4911FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4911FE,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4911FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4911TE85L(VM) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN495DT146 | ROHM | 01+ | на замовлення 2170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4962FE | на замовлення 88000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4968 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4981 | TOSHIBA | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN4981(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 4.7Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 7895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 7895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR= | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4981,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, 4.7kO, 4.7kO, 4.7kO, 4.7kO, 50V (SOT-363) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR= | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4981FE | TOSHIBA | на замовлення 7600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981FE,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT563) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4981FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4981FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4982 | TOSHIBA | на замовлення 258000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN4982 | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982(T5L | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4982(T5L,F,T) | TOSHIBA | 2007 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 186 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 842 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LXHF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN4982,LXHF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4982,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4982-TL13 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4982FE | TOSHIBA | SOT-563 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982FE(T5LCANO,F) | TOSHIBA | SOT26 | на замовлення 7431 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982FE,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4982FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4982FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4982FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983 | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 22Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983 | TOSHIBA | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983,LF(CB | Toshiba | RN4983,LF(CB | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1042 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4983,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 575 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4983,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983FE | TOSHIBA | на замовлення 19700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN4983FE(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 3820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4983FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983FE,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4983FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4983FE/6C | TOSHIBA | на замовлення 10826 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN4983FS | TOSHIBA | на замовлення 23200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN4983T5RSONY(6C) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4983TE85R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4984 | TOSHIBA | на замовлення 21900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984(T5L.T) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4984(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | на замовлення 2725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN4984FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN4984FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

