Продукція > SP8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SP8K5FU6TB
на замовлення 8124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5FU6TBROHM SemiconductorMOSFET 30V 3.5A N-CHAN DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5FU7TB
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5T
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5TBROHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K63N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K64SOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K64TB1ROHM8
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K66TB1ROHMSOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K67TB1ROHMSOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K70 FU7TBROHMSOP8
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K80ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K80TBROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K80TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 500V 0.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.5pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.28 грн
10+106.86 грн
100+85.08 грн
500+67.56 грн
1000+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K80TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.95 грн
130+108.86 грн
250+104.49 грн
500+97.12 грн
1000+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K80TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 500V 0.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.5pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K80TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 2NCH 500V .5A
на замовлення 6722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K80TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.94 грн
82+173.26 грн
105+135.54 грн
200+121.61 грн
500+97.35 грн
1000+83.15 грн
2000+79.51 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8KSTB
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10ROHM07+ SOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M10FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.06 грн
10+106.88 грн
100+77.95 грн
500+59.17 грн
1000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10FRATBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET (AEC-Q101 Qualified)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.56 грн
10+92.68 грн
100+62.98 грн
500+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M10FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.99 грн
500+62.16 грн
1000+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M2ROHMSOP8
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M2-TBROHMSOP8 0915+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21ROHM07+ SOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 45V Vds 6A 15.4Qg SOP8
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21FU6TB
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.16 грн
65+217.81 грн
100+198.01 грн
200+143.66 грн
500+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 4682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V, 2400pF @10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.90 грн
10+149.54 грн
100+104.34 грн
500+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.81 грн
250+154.32 грн
500+130.35 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M21HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V, 2400pF @10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24ROHM07+ SOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24-TB
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M24FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.69 грн
10+102.06 грн
100+76.50 грн
500+59.92 грн
1000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24FRATBROHMDescription: ROHM - SP8M24FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.50 грн
500+59.92 грн
1000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24FU6TBROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24FU7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 8SOP
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.96 грн
500+53.65 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.38 грн
100+144.26 грн
200+133.89 грн
500+100.01 грн
1000+86.71 грн
2000+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.18 грн
10+99.69 грн
100+68.02 грн
500+51.13 грн
1000+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.51 грн
10+107.68 грн
100+79.96 грн
500+53.65 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.52 грн
132+107.16 грн
250+99.20 грн
500+88.53 грн
1000+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 NPCH 45V 4.5A
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24MB4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 8SOP
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M24TB
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M2FT1TB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M2FU6TBROHM SemiconductorMOSFET 30V, 3.5V; Inverter Switch, Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M2FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3
Код товару: 89014
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3(TB)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3-TB
на замовлення 49950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.12 грн
93+153.25 грн
126+112.54 грн
500+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M31HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.00 грн
10+131.18 грн
100+90.65 грн
500+68.79 грн
1000+66.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M31HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+191.18 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FD5-TB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FD5TB
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FD5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FQ1TB1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FTB
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FU6TB
Код товару: 26073
Додати до обраних Обраний товар
RohmТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 76 шт
  • 58 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+29.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FU6TBRohmMOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FU6TBROHM SemiconductorMOSFETs SWITCHING Nch/Pch 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FU6TB1ROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FU6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3FU7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.70 грн
134+106.06 грн
185+76.63 грн
500+60.21 грн
1000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.60 грн
50+84.38 грн
100+57.30 грн
500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.01 грн
10+91.19 грн
100+61.78 грн
500+46.14 грн
1000+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.01 грн
500+71.64 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.30 грн
500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3TB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3TBROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M3TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]