Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB4020Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+83.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.46 грн
2000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+108.23 грн
500+97.41 грн
1000+89.83 грн
10000+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
на замовлення 8439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.28 грн
153+92.41 грн
175+80.99 грн
500+63.31 грн
1000+53.07 грн
2000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.17 грн
88+160.80 грн
100+155.34 грн
250+145.25 грн
500+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.46 грн
2000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.80 грн
10+110.24 грн
50+83.79 грн
100+70.62 грн
500+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.65 грн
153+92.68 грн
176+80.36 грн
500+61.91 грн
1000+51.59 грн
2000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.72 грн
50+92.75 грн
100+80.42 грн
500+61.96 грн
1000+51.63 грн
2000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF
Код товару: 55927
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 80 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності: 106 шт
  • 92 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+72.00 грн
10+64.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.28 грн
50+92.41 грн
100+80.99 грн
500+63.31 грн
1000+53.07 грн
2000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+108.23 грн
500+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 100W
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.89 грн
5+91.42 грн
10+80.42 грн
50+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+108.23 грн
500+97.41 грн
1000+89.83 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInternational RectifierMOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
на замовлення 750 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+159.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.80 грн
50+83.99 грн
100+75.43 грн
500+56.69 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 UMW TIRFB4110 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.28 грн
10+129.14 грн
100+88.95 грн
500+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110JSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 JSMICRO TIRFB4110 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 180A; 214W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-CN CHIPNOBO TIRFB4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 129A; 185W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-ML MOSLEADER TIRFB4110 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+211.68 грн
500+199.92 грн
1000+189.34 грн
10000+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+211.68 грн
500+199.92 грн
1000+189.34 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4110GPBF - IRFB4110 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+211.68 грн
500+199.92 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+199.92 грн
500+189.34 грн
1000+178.75 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+199.92 грн
500+189.34 грн
1000+178.75 грн
10000+162.16 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.17 грн
10+131.30 грн
50+129.98 грн
100+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineonN-Channel 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.35 грн
500+142.30 грн
1000+134.06 грн
10000+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF
Код товару: 42666
4 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 692 шт
  • 692 шт - склад
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.68 грн
112+127.07 грн
113+125.79 грн
119+114.61 грн
500+91.06 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.75 грн
10+137.01 грн
50+135.66 грн
100+122.03 грн
500+99.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.17 грн
108+131.30 грн
109+129.98 грн
117+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.58 грн
104+136.91 грн
105+135.56 грн
112+121.94 грн
500+99.55 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.03 грн
10+179.19 грн
50+138.70 грн
100+117.91 грн
500+96.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.75 грн
10+128.47 грн
50+127.17 грн
100+115.87 грн
500+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.77 грн
10+103.27 грн
25+93.96 грн
50+88.04 грн
100+83.80 грн
250+78.73 грн
500+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110PBFXKMA1
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
500+141.12 грн
1000+129.36 грн
10000+111.61 грн
100000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.03 грн
10+179.19 грн
50+138.70 грн
100+117.91 грн
500+96.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115InfineonN-MOSFET 104A 150V 380W 0.0093Ω IRFB4115 TIRFB4115
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+210.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nCAB
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
500+148.18 грн
1000+139.94 грн
10000+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.39 грн
10+159.28 грн
100+157.64 грн
500+139.80 грн
1000+117.45 грн
3000+111.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInternational RectifierHEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+300.93 грн
90+157.99 грн
100+156.36 грн
500+138.67 грн
1000+116.50 грн
3000+110.77 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 380W
Gate charge: 77nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 74A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11mΩ
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+145.60 грн
10+130.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+310.71 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF
Код товару: 37473
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 104 А
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
  • 31 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+93.50 грн
10+84.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 62 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 380, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.04 грн
3000+105.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.04 грн
3000+105.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.36 грн
10+183.76 грн
50+142.36 грн
100+121.09 грн
500+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127International RectifierN-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+184.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+332.76 грн
64+220.98 грн
100+169.31 грн
500+135.44 грн
1000+122.92 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.35 грн
10+218.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF
Код товару: 37966
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 76 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5380/100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+68.00 грн
10+62.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+312.47 грн
48+299.04 грн
50+287.65 грн
100+267.96 грн
250+240.58 грн
500+224.68 грн
1000+219.19 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.48 грн
10+222.78 грн
100+170.69 грн
500+136.53 грн
1000+123.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.02 грн
10+227.19 грн
50+177.48 грн
100+151.55 грн
500+125.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]