Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.20 грн
50+73.04 грн
100+65.44 грн
500+48.92 грн
1000+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.52 грн
11+69.72 грн
100+62.57 грн
500+54.32 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.04 грн
6+80.33 грн
10+67.78 грн
25+53.05 грн
50+44.94 грн
100+43.43 грн
250+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+73.06 грн
537+65.76 грн
1000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.62 грн
225+62.93 грн
500+56.33 грн
1000+48.91 грн
2000+44.83 грн
5000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.04 грн
2000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.04 грн
2000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 21160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.66 грн
11+70.39 грн
100+62.73 грн
500+54.14 грн
1000+45.13 грн
2000+42.90 грн
5000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4019PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+83.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020
Код товару: 184884
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+78.92 грн
500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.46 грн
5+90.37 грн
10+79.49 грн
50+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+78.92 грн
500+71.03 грн
1000+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+78.92 грн
500+71.03 грн
1000+65.51 грн
10000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF
Код товару: 55927
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 80 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 4 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 25.07.2026
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+72.00 грн
10+64.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
50+83.02 грн
100+74.56 грн
500+56.04 грн
1000+51.56 грн
2000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.50 грн
50+81.67 грн
100+73.77 грн
500+55.38 грн
1000+48.32 грн
2000+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.17 грн
88+160.80 грн
100+155.34 грн
250+145.25 грн
500+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.12 грн
170+83.28 грн
190+74.63 грн
500+55.19 грн
1000+48.02 грн
2000+45.64 грн
5000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.85 грн
50+83.02 грн
100+74.40 грн
500+55.01 грн
1000+47.87 грн
2000+45.50 грн
5000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.50 грн
173+81.67 грн
192+73.77 грн
500+55.38 грн
1000+48.32 грн
2000+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFInternational RectifierMOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
на замовлення 750 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+159.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
50+83.02 грн
100+74.56 грн
500+56.04 грн
1000+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 UMW TIRFB4110 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110JSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 JSMICRO TIRFB4110 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.90 грн
10+127.65 грн
100+87.93 грн
500+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 180A; 214W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-CN CHIPNOBO TIRFB4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 129A; 185W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-ML MOSLEADER TIRFB4110 MOS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4110GPBF - IRFB4110 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+210.50 грн
500+198.74 грн
1000+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+210.50 грн
500+198.74 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+199.92 грн
500+189.34 грн
1000+178.75 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+199.92 грн
500+189.34 грн
1000+178.75 грн
10000+162.16 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF
Код товару: 42666
4 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 180 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+138.00 грн
10+123.20 грн
100+108.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.24 грн
50+109.15 грн
100+104.60 грн
500+83.78 грн
1000+76.86 грн
2000+73.04 грн
5000+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineonN-Channel 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.86 грн
108+131.52 грн
114+123.98 грн
500+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.59 грн
129+109.50 грн
135+104.93 грн
500+84.05 грн
1000+77.10 грн
2000+73.27 грн
5000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.86 грн
50+131.52 грн
100+123.98 грн
500+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.96 грн
50+195.48 грн
100+177.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.96 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.51 грн
2000+125.81 грн
5000+120.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.76 грн
50+137.43 грн
100+124.50 грн
500+95.58 грн
1000+88.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110PBFXKMA1
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
500+141.12 грн
1000+129.36 грн
10000+111.61 грн
100000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.76 грн
50+137.43 грн
100+124.50 грн
500+95.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115InfineonN-MOSFET 104A 150V 380W 0.0093Ω IRFB4115 TIRFB4115
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+210.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nCAB
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.05 грн
101+139.74 грн
102+139.21 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.34 грн
2000+129.45 грн
5000+124.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.78 грн
10+176.75 грн
100+175.81 грн
500+139.90 грн
1000+105.60 грн
3000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
500+141.12 грн
1000+129.36 грн
10000+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.78 грн
80+176.75 грн
100+175.81 грн
500+139.90 грн
1000+105.60 грн
3000+95.06 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInternational RectifierHEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.41 грн
10+139.29 грн
100+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF
Код товару: 37473
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 104 А
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
  • 31 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+93.50 грн
10+84.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.80 грн
10+182.10 грн
100+127.85 грн
500+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+143.93 грн
10+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.34 грн
2000+129.45 грн
5000+124.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+310.71 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 62 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 380, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.80 грн
50+141.06 грн
100+127.85 грн
500+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]