Продукція > BSS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS138BKW/DG/B2XNexperia USA Inc.Description: Nexperia BSS138BKW-B - Small Sig
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 5453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 380mA; 300mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
751+5.33 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 751 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+23.23 грн
978+14.47 грн
1330+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BKWT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 747 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106ROHMDescription: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.68 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.13 грн
720+19.65 грн
978+14.47 грн
1667+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.62 грн
50+17.16 грн
100+14.12 грн
500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
537+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
9000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106ROHMDescription: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.68 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+10.40 грн
1406+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106ROHM SemiconductorMOSFETs SOT323 N-CH 60V 380MA
на замовлення 15038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138BWAHZGT106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.25 грн
1194+11.85 грн
2500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138CT-ND
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWYangjie Electronic TechnologyBSS138DW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 7143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWGOODWORKDescription: 55V 300mA 1.2@10V SOT-363
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7DIODES05+ SOT-363
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7Diodes IncorporatedMOSFET 50V 200mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 52545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 52545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-FDiodesТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 50V 200mW
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DW-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.31A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.10 грн
33+9.18 грн
50+7.47 грн
100+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; 50V; 310mA; 330mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.31A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.31A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.31A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.31A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.31A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.81 грн
25+21.50 грн
50+17.64 грн
100+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
9000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7DiodesMOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7
Код товару: 166647
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; 200mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.81 грн
25+21.50 грн
50+17.64 грн
100+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family
на замовлення 39667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138DWQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138E6327
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138ESL-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138FVTM09+
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138HE3-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138HE3-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 75643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8747+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 8747 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.30 грн
50+8.77 грн
100+7.17 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+14.52 грн
1550+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
72+5.87 грн
100+4.55 грн
500+3.83 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1230+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 1230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3356+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
6000+4.24 грн
9000+3.67 грн
15000+3.49 грн
21000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.73 грн
6000+4.22 грн
9000+3.65 грн
15000+3.48 грн
21000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.79 грн
1104000+4.38 грн
1656000+4.07 грн
2208000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS138IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS138IXUSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2172000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.79 грн
1086000+4.38 грн
1629000+4.07 грн
2172000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138IXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS138IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3145+4.50 грн
6000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3145 шт
В кошику  од. на суму  грн.