Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6673BZ-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-GonsemiDescription: -30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 126525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
758+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6674FSC00+ SOP
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675
Код товару: 160949
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.65 грн
50+32.95 грн
100+27.37 грн
500+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675 - MOSFET, P SO-8 REEL 2500
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675onsemiMOSFETs SO-8 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675Aonsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675ANLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675AZNLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ
Код товару: 57036
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,015 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1855/44
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.62 грн
324+43.82 грн
360+39.41 грн
366+37.41 грн
500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 11430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
823+43.09 грн
1000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 823 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.28 грн
8+57.34 грн
10+47.86 грн
50+33.90 грн
100+30.41 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.48 грн
17+45.62 грн
25+43.82 грн
100+38.00 грн
250+34.64 грн
500+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
823+43.09 грн
1000+39.74 грн
10000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 823 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2470 @ 15, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.39 грн
500+50.10 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ-NLFAIRCHILD0843+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ/FSCFSC08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZNLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
на замовлення 7230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
1000+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 13765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
1000+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676onsemi / FairchildMOSFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+196.09 грн
500+186.64 грн
1000+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5103 pF @ 15 V
на замовлення 13765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+136.97 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+63.03 грн
1000+58.13 грн
10000+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V NCH POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+63.03 грн
1000+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+63.03 грн
1000+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+63.03 грн
1000+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+63.03 грн
1000+58.13 грн
10000+51.82 грн
100000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+63.03 грн
1000+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS-GonsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
на замовлення 24005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
893+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 893 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASNLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS_GON SemiconductorFDS6676AS-G
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+93.64 грн
500+84.28 грн
1000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, NCH SINGLE, SO8, POWER TRENCH SYNCFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676NLFAIRCHILD
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 47465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
10000+69.04 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 15 V
на замовлення 47465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
на замовлення 19386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
10000+69.04 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676S-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676SNLFAIRCHILD
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676S_NLFSC09+
на замовлення 5028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6678AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6678AF40FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679onsemiMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3939 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.43 грн
10+119.02 грн
25+111.47 грн
50+100.20 грн
100+86.05 грн
250+76.13 грн
500+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.18 грн
6+74.79 грн
10+63.65 грн
50+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 14733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3845 @ 15, Qg, нКл = 96 @ 10 В, Rds = 9,3 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 13553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+68.73 грн
50+51.39 грн
100+42.95 грн
500+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZFairchildP-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ
Код товару: 34125
5 Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0093 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 188 шт
  • 179 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.52 грн
50+34.40 грн
100+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 14733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.39 грн
5000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ-GonsemiDescription: FDS6P-CHANNPOWERTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.