Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6670A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2674 pF @ 15 V
на замовлення 28785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670SON SemiconductorFDS6670S
на замовлення 18785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.56 грн
10000+94.20 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
на замовлення 8822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6672A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 259608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+131.68 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
на замовлення 121838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
10000+137.52 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
10000+137.52 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
на замовлення 98091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
10000+137.52 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
на замовлення 279334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+125.90 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672AON SemiconductorFDS6672A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+160.29 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6672A_NLFSC09+
на замовлення 11318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673AFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673AZFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673AZonsemi / FairchildMOSFET 30V SO8 PCH POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673AZ-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673AZNLFAIRCHILD
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673AZ_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673AZ_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.08 грн
100+48.19 грн
500+35.60 грн
1000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+57.71 грн
1000+53.22 грн
10000+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.35 грн
10+64.32 грн
25+54.60 грн
100+42.94 грн
250+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.15 грн
5000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6673BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.5 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ
Код товару: 109121
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.05 грн
500+48.69 грн
1000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-F085
на замовлення 16080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-GonsemiDescription: -30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 126525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
758+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6674FSC00+ SOP
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.27 грн
100+27.66 грн
500+20.03 грн
1000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675 - MOSFET, P SO-8 REEL 2500
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675
Код товару: 160949
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675onsemiMOSFETs SO-8 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675Aonsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675ANLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675AZNLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
823+43.00 грн
1000+39.65 грн
10000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 823 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ
Код товару: 57036
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 11 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1855/44
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6675BZ TFDS6675bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+43.48 грн
500+39.88 грн
1000+36.26 грн
2500+33.87 грн
5000+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.23 грн
50+56.49 грн
100+42.19 грн
500+29.66 грн
1000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.21 грн
20+38.56 грн
25+38.18 грн
100+33.44 грн
250+30.65 грн
500+27.58 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.51 грн
5000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.56 грн
371+38.18 грн
408+34.68 грн
412+33.10 грн
500+28.72 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2470 @ 15, Qg, нКл = 62 @ 10 В, Rds = 13 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
823+43.00 грн
1000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 823 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.38 грн
500+31.25 грн
1000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.85 грн
5000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+57.89 грн
100+38.29 грн
500+28.03 грн
1000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 12973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
7+62.40 грн
10+54.34 грн
50+38.49 грн
100+33.55 грн
500+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ-NLFAIRCHILD0843+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ/FSCFSC08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZNLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
1000+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 13765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5103 pF @ 15 V
на замовлення 13765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+138.24 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676onsemi / FairchildMOSFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
1000+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ON SemiconductorFDS6676
на замовлення 7230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
1000+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 14.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+62.89 грн
1000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V NCH POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+62.89 грн
1000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]