Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF27N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25TonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.74 грн
10+141.84 грн
50+117.47 грн
100+103.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.44 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.47 грн
10+108.92 грн
100+98.35 грн
500+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
50+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06onsemi / FairchildMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.44 грн
10+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.25 грн
100+141.44 грн
121+117.13 грн
132+103.60 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.37 грн
148+95.58 грн
500+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+103.37 грн
100+95.58 грн
500+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF28N15ON SemiconductorFQPF28N15
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.22 грн
500+103.70 грн
1000+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF28N15ON SemiconductorFQPF28N15
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF28N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF28N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF28N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF28N15TonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 670mA, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 25 V
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N30ON SemiconductorFQPF2N30
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N30ON SemiconductorFQPF2N30
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.22 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N30ON SemiconductorFQPF2N30
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.1A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
972+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50C
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+79.12 грн
500+71.22 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60ConsemiMOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+79.12 грн
500+71.22 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CONS/FAI1.35A, 600V, N-Channel MOSFET,TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+79.12 грн
500+71.22 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 6360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60C
Код товару: 180861
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+79.12 грн
500+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 23W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+79.12 грн
500+71.22 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+72.84 грн
508+69.74 грн
1000+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 29241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+94.48 грн
500+85.03 грн
1000+78.41 грн
10000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N70 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 2 A, 5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+94.48 грн
500+85.03 грн
1000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+72.84 грн
508+69.74 грн
1000+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 42241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70onsemi / FairchildMOSFET 700V N-Channel Q-FET
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 700V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+94.48 грн
500+85.03 грн
1000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70CFAIRCHILD09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+102.20 грн
100+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80ONS/FAI1.5A, 800V, N-Channel MOSFET,TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80onsemiMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 6.3 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80CFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+111.15 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N80YDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTUonsemi / FairchildMOSFET QF 800V 6.3OHM TO220F
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.74 грн
50+94.11 грн
100+84.88 грн
500+64.49 грн
1000+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 52651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+125.71 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90ONS/FAI1.4A, 900V, N-Channel MOSFET,TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90ON SemiconductorFQPF2N90
на замовлення 48731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
500+161.47 грн
1000+148.51 грн
10000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90
Код товару: 30532
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 900 V
Струм стоку Idd, A: 1,4 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 7,2 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 390/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+40.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90onsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90ON SemiconductorFQPF2N90
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
500+161.47 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90FAIRCHILD2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90ON SemiconductorFQPF2N90
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
500+161.47 грн
1000+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N90ON SemiconductorFQPF2N90
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2NA90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2NA90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 850mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2P25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2P25ON SemiconductorFQPF2P25
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2P25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 1.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2P40onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 1.34A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
на замовлення 82723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06FAIRCHILDFQPF30N06
на замовлення 82161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF30N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06FAIRCHILDFQPF30N06
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06ON Semiconductor / FairchildMOSFET TO-220F N-CH 60V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22.5 A, 0.027 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.55 грн
10+95.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06Lonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF30N06L_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/LL/60V/22.5A/0.035OHM@VGS=10V/0.045OHM@VGS=5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N12V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
на замовлення 83103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N12V2FAIRCHILDFQPF32N12V2
на замовлення 82258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+159.11 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N12V2ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF32N12V2 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+134.93 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N12V2FAIRCHILDFQPF32N12V2
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]