Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PHB45N03LTAPHITO263
на замовлення 7209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ10T
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ10T,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.77 грн
100+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ10T,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ10T,118NexperiaMOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ10T,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ15T
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ15T,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+125.75 грн
100+86.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ15T,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.33 грн
1600+60.99 грн
2400+58.54 грн
4000+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ15T,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 150V 45.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ15T,118NexperiaMOSFETs PHB45NQ15T/SOT404/D2PAK
на замовлення 10392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.49 грн
500+107.18 грн
1000+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118NexperiaMOSFETs PHB47NQ10T/SOT404/D2PAK
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.27 грн
100+78.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.72 грн
10+165.01 грн
100+119.49 грн
500+107.18 грн
1000+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.66 грн
1600+54.98 грн
2400+52.73 грн
4000+47.12 грн
5600+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10TGPHI06+ TSOP48
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4N40E
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4N50E
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4P56
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4UEESN1AC&KPushbutton Switches Short Stroke Pushbutton Switches
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4UEETS1ACKSwitch Push Button N.O./N.C. 4PDT Square Plunger 1A 15VDC Latching Thru-Hole PC Pins Tray
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.69 грн
25+137.80 грн
50+131.08 грн
100+120.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4UEETS1AC&KPushbutton Switches 4 chg overs push push, strt
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4UOASN1AC&KPushbutton Switches Short Stroke Pushbutton Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4UOATS1AC&K ComponentsPushbutton Switches 4 chg overs momentary, strt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4UOATS1AC&KPushbutton Switches Short Stroke Pushbutton Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB4UOATS1AC&KPushbutton Switches 4 chg overs momentary, strt
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50N03
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50N03LTPHILIPS2001
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50N03LTNXP48 A, 25 V, 0.021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50N03LTA
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50N06LT
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50N06T
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50W-0850-56ERP Power, LLCDescription: PROGRAMMABLE CC LED DRIVER
Packaging: Box
Size / Dimension: 4.07" L x 1.03" W x 0.94" H (103.4mm x 26.2mm x 23.9mm)
Voltage - Output: 38 ~ 56V
Type: Constant Current
Operating Temperature: 90°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Input (Max): 277VAC
Approval Agency: cULus, FCC
Ratings: IP20
Efficiency: 90%
Topology: AC DC Converter
Current - Output (Max): 850mA
Dimming: Analog, ELV, Triac
Voltage - Input (Min): 120VAC
Part Status: Active
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2643.81 грн
5+2326.40 грн
10+2237.71 грн
25+1994.76 грн
50+1918.56 грн
100+1845.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50W-0850-56ERPLED Power Supplies 120 & 277 Vac, 90% efficiency, Rectangular Aluminum Case, High Performance Tri-Mode Dimming (Forward, Reverse Phase & 0-10V), 1-100% dimming range, 50 W max, Programmable 425 to 850 mA Iout, 56 V max Vout (Draco5 internal ERP code name)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50W-0850-56-SERP Power, LLCDescription: 120 & 277 VAC, 90% EFFICIENCY, R
Features: OCP, OTP, SCP
Packaging: Box
Size / Dimension: 4.07" L x 1.03" W x 0.94" H (103.4mm x 26.2mm x 23.9mm)
Voltage - Output: 50.4V
Type: Constant Current
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Input (Max): 277VAC
Approval Agency: cULus, FCC
Ratings: IP20, NEMA 410
Efficiency: 90%
Topology: AC DC Converter
Current - Output (Max): 850mA
Dimming: Analog, ELV, Triac
Voltage - Input (Min): 120VAC
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.4 kV
Standard Number: 60950-1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50W-1200-42ERPLED Power Supplies 120 & 277 Vac, 90% efficiency, Rectangular Aluminum Case, High Performance Tri-Mode Dimming (Forward, Reverse Phase & 0-10V), 1-100% dimming range, 50 W max, Programmable 600 to 1200 mA Iout, 42 V max Vout (Draco5 internal ERP code name
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50W-1200-42ERP Power, LLCDescription: PROGRAMMABLE CC LED DRIVER
Packaging: Box
Size / Dimension: 4.07" L x 1.03" W x 0.94" H (103.4mm x 26.2mm x 23.9mm)
Voltage - Output: 28 ~ 42V
Type: Constant Current
Operating Temperature: 90°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Input (Max): 277VAC
Approval Agency: cULus, FCC
Ratings: IP20
Efficiency: 90%
Topology: AC DC Converter
Current - Output (Max): 1.2A
Dimming: Analog, ELV, Triac
Voltage - Input (Min): 120VAC
Part Status: Active
Power (Watts): 50 W
Number of Outputs: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2669.67 грн
5+2349.04 грн
10+2259.52 грн
25+2014.17 грн
50+1937.24 грн
100+1863.17 грн
300+1722.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PHB50W-1200-42Energy Recovery ProductsPHB50W-1200-42
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB55N03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB55N03LTPHI00+
на замовлення 547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB55N03LTA
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB55N03LTANXP SemiconductorsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB55N03LTA /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB55N03LTA,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB55N03LTA,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB55N03LTBPHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB60N06LT
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB63NQ03LTPHILIPS2001
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB65N06LT
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB65N06T
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LTNXPN-кан. MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LTNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 66A, 25V, 0.0136OHM
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LTPHILIPS2002
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LTNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT
Код товару: 124603
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+54.18 грн
1000+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT,118NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+54.18 грн
1000+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 8543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 25V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+54.18 грн
1000+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PHB66NQ03LT 66A, 25
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB69N03
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB69N03LT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB69N03T
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB6N60E
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB7045L
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB73N06TPHILIPSTO-263
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB73N06TNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB73N06T /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB73N06T,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2464 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB75N03LTA
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB78NQ03LTPHILIPSTO-263
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB78NQ03LT,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB7N40E
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB7N60E
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB80N06LT
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB80N06T
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB82NQ03LT
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB83N03LT
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB83N03LT/T3
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB87N03LTPHILIPS
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB87N03T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB87NO3T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB8N50E
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB8ND50E
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB95N03
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB95N03L
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB95N03LTPHITO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB95N03LTNXP SemiconductorsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB95NQ04LT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB95NQ04LT,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB96NQ03LTPHITO263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB96NQ03LT,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB96NQ03LTAPHILIPS03+
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB96NQ03LTPBPHILIPS07+ 263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB98N03LTNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  Наступна Сторінка >> ]