Продукція > PHB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PHB45N03LTA | PHI | TO263 | на замовлення 7209 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB45NQ10T | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB45NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB45NQ10T,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB45NQ10T,118 | Nexperia | MOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB45NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB45NQ15T | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB45NQ15T,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB45NQ15T,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB45NQ15T,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 150V 45.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB45NQ15T,118 | Nexperia | MOSFETs PHB45NQ15T/SOT404/D2PAK | на замовлення 10392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB47NQ10T | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB47NQ10T,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB47NQ10T,118 | Nexperia | MOSFETs PHB47NQ10T/SOT404/D2PAK | на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB47NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB47NQ10T,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB47NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB47NQ10TG | PHI | 06+ TSOP48 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB4N40E | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB4N50E | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB4P56 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB4UEESN1A | C&K | Pushbutton Switches Short Stroke Pushbutton Switches | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1296 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB4UEETS1A | CK | Switch Push Button N.O./N.C. 4PDT Square Plunger 1A 15VDC Latching Thru-Hole PC Pins Tray | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB4UEETS1A | C&K | Pushbutton Switches 4 chg overs push push, strt | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB4UOASN1A | C&K | Pushbutton Switches Short Stroke Pushbutton Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB4UOATS1A | C&K Components | Pushbutton Switches 4 chg overs momentary, strt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB4UOATS1A | C&K | Pushbutton Switches Short Stroke Pushbutton Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB4UOATS1A | C&K | Pushbutton Switches 4 chg overs momentary, strt | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1296 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB50N03 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB50N03LT | PHILIPS | 2001 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB50N03LT | NXP | 48 A, 25 V, 0.021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB50N03LTA | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB50N06LT | на замовлення 4864 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB50N06T | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB50W-0850-56 | ERP Power, LLC | Description: PROGRAMMABLE CC LED DRIVER Packaging: Box Size / Dimension: 4.07" L x 1.03" W x 0.94" H (103.4mm x 26.2mm x 23.9mm) Voltage - Output: 38 ~ 56V Type: Constant Current Operating Temperature: 90°C Termination Style: Wire Leads Voltage - Input (Max): 277VAC Approval Agency: cULus, FCC Ratings: IP20 Efficiency: 90% Topology: AC DC Converter Current - Output (Max): 850mA Dimming: Analog, ELV, Triac Voltage - Input (Min): 120VAC Part Status: Active Power (Watts): 48 W Number of Outputs: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB50W-0850-56 | ERP | LED Power Supplies 120 & 277 Vac, 90% efficiency, Rectangular Aluminum Case, High Performance Tri-Mode Dimming (Forward, Reverse Phase & 0-10V), 1-100% dimming range, 50 W max, Programmable 425 to 850 mA Iout, 56 V max Vout (Draco5 internal ERP code name) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB50W-0850-56-S | ERP Power, LLC | Description: 120 & 277 VAC, 90% EFFICIENCY, R Features: OCP, OTP, SCP Packaging: Box Size / Dimension: 4.07" L x 1.03" W x 0.94" H (103.4mm x 26.2mm x 23.9mm) Voltage - Output: 50.4V Type: Constant Current Operating Temperature: -10°C ~ 50°C Termination Style: Wire Leads Voltage - Input (Max): 277VAC Approval Agency: cULus, FCC Ratings: IP20, NEMA 410 Efficiency: 90% Topology: AC DC Converter Current - Output (Max): 850mA Dimming: Analog, ELV, Triac Voltage - Input (Min): 120VAC Power (Watts): 48 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4.4 kV Standard Number: 60950-1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB50W-1200-42 | ERP | LED Power Supplies 120 & 277 Vac, 90% efficiency, Rectangular Aluminum Case, High Performance Tri-Mode Dimming (Forward, Reverse Phase & 0-10V), 1-100% dimming range, 50 W max, Programmable 600 to 1200 mA Iout, 42 V max Vout (Draco5 internal ERP code name | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB50W-1200-42 | ERP Power, LLC | Description: PROGRAMMABLE CC LED DRIVER Packaging: Box Size / Dimension: 4.07" L x 1.03" W x 0.94" H (103.4mm x 26.2mm x 23.9mm) Voltage - Output: 28 ~ 42V Type: Constant Current Operating Temperature: 90°C Termination Style: Wire Leads Voltage - Input (Max): 277VAC Approval Agency: cULus, FCC Ratings: IP20 Efficiency: 90% Topology: AC DC Converter Current - Output (Max): 1.2A Dimming: Analog, ELV, Triac Voltage - Input (Min): 120VAC Part Status: Active Power (Watts): 50 W Number of Outputs: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB50W-1200-42 | Energy Recovery Products | PHB50W-1200-42 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB55N03 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB55N03LT | PHI | 00+ | на замовлення 547 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB55N03LTA | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB55N03LTA | NXP Semiconductors | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB55N03LTA /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB55N03LTA,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB55N03LTA,118 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB55N03LTB | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PHB60N06LT | на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB63NQ03LT | PHILIPS | 2001 | на замовлення 559 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB65N06LT | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB65N06T | на замовлення 2305 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB66NQ03 | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB66NQ03LT | NXP | N-кан. MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA 66A, 25V, 0.0136OHM Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT | PHILIPS | 2002 | на замовлення 273 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT Код товару: 124603
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PHB66NQ03LT,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 MOSFET | на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 25V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | на замовлення 8543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 25V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHB66NQ03LT118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PHB66NQ03LT 66A, 25 Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB69N03 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB69N03LT | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB69N03T | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB6N60E | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB7045L | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB73N06T | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 2680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB73N06T | NXP Semiconductors | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB73N06T /T3 | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB73N06T,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2464 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB75N03LTA | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB78NQ03LT | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 488 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB78NQ03LT,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB7N40E | на замовлення 778 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB7N60E | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB80N06LT | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB80N06T | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB82NQ03LT | на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB83N03LT | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB83N03LT/T3 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB87N03LT | PHILIPS | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PHB87N03T | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB87NO3T | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB8N50E | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB8ND50E | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB95N03 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB95N03L | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB95N03LT | PHI | TO-263 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB95N03LT | NXP Semiconductors | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB95NQ04LT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHB95NQ04LT,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB96NQ03LT | PHI | TO263 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB96NQ03LT,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB96NQ03LTA | PHILIPS | 03+ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB96NQ03LTPB | PHILIPS | 07+ 263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHB98N03LT | NXP Semiconductors | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

