Продукція > RN2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN2309TOSHIBA
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
41+7.40 грн
100+4.95 грн
500+3.54 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 47K x 22Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
64+4.76 грн
100+3.18 грн
500+2.26 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2309,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+9.51 грн
143+5.71 грн
228+3.57 грн
500+2.38 грн
1500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2309,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2309,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 47kO, 22kO, -50V, -0.1A (SOT-323)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.95 грн
22+15.06 грн
100+6.06 грн
1000+5.09 грн
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
28+10.79 грн
100+7.22 грн
500+5.20 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.95 грн
108+7.54 грн
500+5.20 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.67 грн
69+11.95 грн
108+7.54 грн
500+5.20 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310TOSHIBASOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310 LXHFToshiba SOT323 50V PNP BRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased USM PLN TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF(BToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF(BToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5103+2.77 грн
6000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 5103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF(BToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LF(BToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
6000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2310,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2310,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP , R1=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-323)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.95 грн
22+15.06 грн
100+6.06 грн
1000+5.09 грн
3000+3.48 грн
9000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+14.04 грн
100+8.79 грн
500+6.11 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.25 грн
58+14.14 грн
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2310,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311TOSHIBA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(YA)TOSHIBASOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(YM)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2311,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2311,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXHFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 10kO, -50V, -0.1A (SOT-323)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.69 грн
17+19.79 грн
100+7.11 грн
1000+5.30 грн
3000+4.18 грн
9000+3.62 грн
24000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.25 грн
58+14.14 грн
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2311,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311-(TE85L)
на замовлення 3699 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311TE85L(YM)
на замовлення 8180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311TE85R(YM)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2312(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2312(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2312(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2312(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LFToshibaDigital Transistors BRT -0.1A -50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313LF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2314(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2314(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2314(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 1.0K x 10Kohms
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.40 грн
24+13.78 грн
100+5.02 грн
1000+3.34 грн
3000+2.58 грн
9000+2.16 грн
24000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2314(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2315
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2315(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 11720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2315TE85LFToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.41 грн
20+16.27 грн
100+8.92 грн
1000+3.97 грн
3000+3.41 грн
9000+2.65 грн
24000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2315TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2315TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 4.7kohm 10kohm 0.1A SOT-323 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2316,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2316,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP BRT, Q1BSR=4.7
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+22.64 грн
100+12.81 грн
500+7.96 грн
1000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP BRT, Q1BSR=4.7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 4.7kO, 10kO, -50V, -0.1A (SOT-323)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.69 грн
17+19.79 грн
100+8.78 грн
1000+5.09 грн
3000+4.04 грн
9000+3.41 грн
24000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.05 грн
500+6.87 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.32 грн
45+18.45 грн
100+11.05 грн
500+6.87 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2317(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2317(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2317(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2317A(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2318(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 47K x 10Kohms
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.74 грн
32+10.18 грн
100+5.57 грн
500+4.04 грн
1000+3.62 грн
3000+2.79 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2318(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2318(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2318(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-0.6-02Schaffner EMC Inc.Description: CHOKE COMPENSATED 47MH 0.6A VERT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-0.6-02-47MSchaffner EMC Inc.Description: CMC 47MH 600MA 2LN TH
Packaging: Tube
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Filter Type: Power Line
Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Approval Agency: ENEC, UR, VDE
Height (Max): 1.362" (34.60mm)
Voltage Rating - AC: 300V
Current Rating (Max): 600mA
DC Resistance (DCR) (Max): 1.3Ohm (Typ)
Part Status: Active
Inductance @ Frequency: 47 mH @ 10 kHz
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.04 грн
10+230.51 грн
25+208.38 грн
50+181.08 грн
100+167.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-0.6-02-47MSchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 0.6A 47mH 1300mOhm Vertical Choke
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.56 грн
10+225.15 грн
25+164.43 грн
100+156.07 грн
300+155.37 грн
600+154.67 грн
1200+153.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-1-02Schaffner EMC Inc.Description: CHOKE COMPENSATED 18MH 1A VERT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-1-02-18MTE Connectivity / SchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 1A 18mH 390mOhm Vertical Choke
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.55 грн
10+205.12 грн
30+167.91 грн
60+158.16 грн
105+151.19 грн
510+139.34 грн
2505+135.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-1-02-18MTE Connectivity SchaffnerDescription: CMC 18MH 1A 2LN TH
Packaging: Tube
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Filter Type: Power Line
Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Approval Agency: ENEC, UR, VDE
Height (Max): 1.362" (34.60mm)
Voltage Rating - AC: 300V
Current Rating (Max): 1A
DC Resistance (DCR) (Max): 390mOhm (Typ)
Inductance @ Frequency: 18 mH @ 10 kHz
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
15+194.28 грн
30+183.14 грн
60+162.07 грн
105+154.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-1.6-02Schaffner EMC Inc.Description: CHOKE COMPENSATED 10MH 1.6A VERT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-1.6-02-10MSchaffnerCommon Mode Chokes / Filters 1.6A 10mH 170mOhm Vertical Choke
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-1.6-02-10M
Код товару: 135293
Додати до обраних Обраний товар
Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Фільтри лінійні, мережеві, дроселі на торі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN232-1.6-02-10MSchaffner EMC Inc.Description: CMC 10MH 1.6A 2LN TH
Inductance @ Frequency: 10 mH @ 10 kHz
Part Status: Active
DC Resistance (DCR) (Max): 170mOhm (Typ)
Current Rating (Max): 1.6A
Voltage Rating - AC: 300V
Height (Max): 1.362" (34.60mm)
Approval Agency: ENEC, UR, VDE
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Number of Lines: 2
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm)
Filter Type: Power Line
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.99 грн
10+291.42 грн
25+264.93 грн
50+208.85 грн
100+179.01 грн
250+169.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]