Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT2H12NWBTL1Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-263CA-7LSHYAD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 197 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NWBTL1ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.7KV N-CH 3.9A
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NYTBRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NYTBRohmSICFET N-CH 1700V 4A TO-268 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NYTBROHMDescription: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 18
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NYTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-268L T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+423.17 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NYTBROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NYTBRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NYTBROHMDescription: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
MOSFET-Konfiguration: Eins
Transistormontage: Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NZGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.75 грн
30+245.48 грн
120+240.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NZGC11
Код товару: 194772
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NZGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.61 грн
10+309.69 грн
100+297.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NZGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+532.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NZGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2H12NZGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+427.64 грн
35+409.28 грн
50+393.68 грн
100+366.74 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2W08J30020CR7HHCNTaiwanТримач для 2х SIM-карт,... Роз'єми Корпус: ... Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+62.40 грн
100+51.09 грн
1000+44.21 грн
5000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT300-300PanduitTerminals Copper Compression T Splice, Long Barrel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT300-300Panduit CorpDescription: CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3001FAR2
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALGC11Rohm SemiconductorDescription: 650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6498.61 грн
30+6095.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALGC11ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA
Power Dissipation (Max): 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7287.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 118A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9314.34 грн
25+9313.42 грн
50+9278.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 118A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9499.72 грн
5+9051.84 грн
10+8297.52 грн
25+7603.39 грн
50+6892.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3017ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 118
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 427
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 427
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 118A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9314.34 грн
25+9313.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3088.23 грн
30+2468.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5768.66 грн
5+5592.77 грн
10+5247.24 грн
20+4741.76 грн
50+4454.51 грн
100+4369.17 грн
250+4294.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 339W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5075.20 грн
30+4276.53 грн
120+3971.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5768.66 грн
5+5592.77 грн
10+5247.24 грн
20+4741.76 грн
50+4454.51 грн
100+4369.17 грн
250+4294.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5768.66 грн
5+5592.77 грн
10+5247.24 грн
20+4741.76 грн
50+4454.51 грн
100+4369.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4356.20 грн
5+4111.04 грн
10+3649.02 грн
25+3382.32 грн
50+2828.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5416.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Nch 1200V 95A SiC TO-247N
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9948.54 грн
3+9631.63 грн
5+9024.60 грн
10+8145.04 грн
20+7642.59 грн
50+7487.81 грн
100+7351.58 грн
250+7231.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9948.54 грн
3+9631.63 грн
5+9024.60 грн
10+8145.04 грн
20+7642.59 грн
50+7487.81 грн
100+7351.58 грн
250+7231.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3472.30 грн
30+2645.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10466.19 грн
5+10277.61 грн
10+10089.03 грн
25+8801.30 грн
50+7930.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6830.34 грн
5+6693.78 грн
10+6557.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7613.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10531.34 грн
10+10530.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10531.34 грн
10+10530.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1845.10 грн
30+1391.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2246.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2310.10 грн
8+1932.94 грн
10+1826.87 грн
50+1591.14 грн
100+1389.09 грн
200+1303.22 грн
900+1252.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1980.09 грн
5+1765.50 грн
10+1550.10 грн
50+1431.83 грн
100+1320.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2403.19 грн
10+2329.85 грн
20+2186.30 грн
50+1976.33 грн
100+1857.43 грн
250+1822.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247N
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 70
Rds(on)-Messspannung Vgs: 18
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 262
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2566.21 грн
30+2468.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3652.67 грн
5+3541.30 грн
10+3322.52 грн
20+3002.45 грн
50+2820.56 грн
100+2766.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3255.97 грн
30+2216.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3652.67 грн
5+3541.30 грн
10+3322.52 грн
20+3002.45 грн
50+2820.56 грн
100+2766.53 грн
250+2719.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14ROHMDescription: ROHM - SCT3030ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2183.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2064.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15ROHMDescription: ROHM - SCT3030ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1545.22 грн
5+1405.41 грн
10+1264.79 грн
50+1080.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2516.17 грн
10+1660.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.90 грн
10+1171.50 грн
450+1001.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1591.55 грн
5+1446.86 грн
10+1302.18 грн
50+1112.55 грн
100+907.13 грн
250+889.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1505.71 грн
10+1288.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2345.46 грн
8+1897.59 грн
10+1850.44 грн
50+1716.16 грн
100+1494.33 грн
200+1394.14 грн
450+1222.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 30m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1515.51 грн
20+1474.81 грн
50+1388.40 грн
100+1258.55 грн
250+1185.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030AW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W
Kind of package: reel; tape
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 267W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2237.01 грн
10+1762.12 грн
100+1700.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 339W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4362.71 грн
30+4200.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 339W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3296.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 339W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 339W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5798.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 339W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 339W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4147.16 грн
30+3993.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2419.64 грн
30+1830.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11RohmMOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3040KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 55A, 1.2kV, 0.04 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4247.49 грн
10+3644.85 грн
100+3199.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2937.74 грн
30+1951.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1882.72 грн
10+1610.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3040KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1595.61 грн
5+1450.93 грн
10+1306.24 грн
50+1115.57 грн
100+909.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2000.55 грн
25+1646.64 грн
50+1595.82 грн
100+1488.93 грн
250+1287.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3040KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1643.57 грн
5+1494.01 грн
10+1344.45 грн
50+1148.78 грн
100+937.09 грн
250+918.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2321.89 грн
8+1944.73 грн
10+1826.87 грн
50+1727.53 грн
100+1546.95 грн
200+1444.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]