Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHF9540STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9610S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9620S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9620S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.91 грн
10+63.00 грн
100+42.01 грн
500+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9620S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9620STL-E3Vishay SiliconixSiHF9620STL-E3 IRF9620STRLPBF D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
10+90.21 грн
100+61.53 грн
500+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.62 грн
10+80.79 грн
100+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z14L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z14S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z14STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.00 грн
10+71.01 грн
100+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.87 грн
10+93.02 грн
100+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB11N50A-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB11N50A-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFB17N50LVishay SiliconixSiHFB17N50L IRFB17N50L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFB18N50K-E3Vishay SiliconixSiHFB18N50K-E3 IRFB18N50KPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFB20N50KVishay SiliconixSiHFB20N50K IRFB20N50K MOSFET N-канал 500V 20A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB20N50K-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB20N50K-E3Vishay SiliconixSiHFB20N50K-E3 IRFB20N50KPBF MOSFET N-канал 500V 20A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB20N50K-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFB9N65A-E3Vishay SiliconixSiHFB9N65A-E3 IRFB9N65APBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC20-E3Vishay SiliconixSiHFBC20-E3 IRFBC20PBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC20S-E3Vishay SiliconixSiHFBC20S-E3 IRFBC20SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30-E3Vishay SiliconixSiHFBC30-E3 IRFBC30PBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30A-E3Vishay SiliconixSiHFBC30A-E3 IRFBC30APBF TO-220AB Транзистори
на замовлення 18 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
6+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBC30AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30AS-E3Vishay SiliconixSiHFBC30AS-E3 IRFBC30ASPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30S-E3Vishay SiliconixSiHFBC30S-E3 IRFBC30SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC40-E3Vishay SiliconixSiHFBC40-E3 600 В 6.2 А (TO-220) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC40A-E3Vishay SiliconixSiHFBC40A-E3 IRFBC40APBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBC40AS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.95 грн
10+101.55 грн
100+69.42 грн
500+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBC40AS-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC40S-E3Vishay SiliconixSiHFBC40S-E3 IRFBC40SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE20-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.57 грн
10+104.59 грн
100+71.65 грн
500+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30STRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBF30S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBF30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.32 грн
10+96.66 грн
100+72.81 грн
500+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBF30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBG30-E3Vishay SiliconixSiHFBG30-E3 IRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFC13M Electronic SpecialtyWire Identification SLEEVE 20MM 240/BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFC9640DWFVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFD014Vishay SiliconixSiHFD014 IRFD014 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120Vishay SiliconixSiHFD120 IRFD120 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120-E3Vishay SiliconixSiHFD120-E3 100 В 1.3 А (HVMDIP) DIP-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120-E3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD121
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD121-E3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD122
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD122-E3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD123Vishay SiliconixSiHFD123 IRFD123 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD123
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD123-E3Vishay SiliconixSiHFD123-E3 IRFD123PBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD123-E3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD420-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFD9014Vishay SiliconixSiHFD9014 IRFD9014 P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD9014-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD9014-E3Vishay SiliconixSiHFD9014-E3 -60 В -1.1 А (HVMDIP) P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD9120-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFD9210-E3Vishay SiliconixSiHFD9210-E3 IRFD9210PBF P-Channel 200 V 0.4 A DIP-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI640GVishay SiliconixSiHFI640G IRFI640G (N-CH U=200B, I=9,8A TO-220) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI640G-E3Vishay SiliconixSiHFI640G-E3 IRFI640GPBF (N-CH U=200V, I=9,8A TO-220-ISO) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI740G-E3Vishay SiliconixSiHFI740G-E3 IRFI740GPBF MOSFET N-Ch 400V 5.4A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI9530G-E3Vishay SiliconixSiHFI9530G-E3 IRFI9530GPBF TO-220, 100V Single P-Channel Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI9Z34G-E3Vishay SiliconixSiHFI9Z34G-E3 IRFI9Z34GPBF MOSFET, P-CH, 60V, 12A, TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB11N50A-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]