Продукція > TK1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK11850L | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11850LTL | TOKO | на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11850LTL-G | на замовлення 2591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11851L | на замовлення 1234 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11851LTL | TOKO | на замовлення 6789 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11851LTL-G | TOKO | SOT23L-8 | на замовлення 48105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11855FTL | TOKO | на замовлення 6436 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11855FTL-G | TOKO | 08+ | на замовлення 808 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11859FTL-G | на замовлення 1940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11860B-G | TOKO | 2005 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11860BTB | TOKO | на замовлення 13200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11880FTL-G | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11880FTL-G мікросхема Код товару: 98712
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11891FTL | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11891FTL-G | TOKO | 2006PB | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11893AM8 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11900 | TOKO | на замовлення 2610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11900M | на замовлення 195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11900MTL/GO | TOKO | на замовлення 6396 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11927MTL | на замовлення 1295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11930 | TOKO | 99 | на замовлення 7757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11932 | T | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11932-AOF09B06TL | TOKO | на замовлення 6410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11932MTL | TOKO | 02+ SOP6 | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11950 | TOKO | на замовлення 12700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11950MTL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK119A | ABB Installation Products | Conduit Fittings & Accessories 3.5 INCH COUPLING,COMP.,EMT,STL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK119A-RT | ABB Installation Products | Conduit Fittings & Accessories 3 1/2 IN RAINTIGHT COMPRESSION CPL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK119OOMTL | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11A45D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK11A45D(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFETs N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029 | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A45D(STA4,Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 450V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A50D(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFETs N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK11A55D | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK11A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A55D(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFETs N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11A60D(LBS1CN,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(LBS1TY,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(Q,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(S4SH6,Q,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(S4SHN,Q,M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(S4TETV,XM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(S4TETV,XS | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(S5TETV,XM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(STA4,A,Q) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(STA4,Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 11A 600V 45W 1550pF 0.65 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(STA4,X,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D(STA4,X,S) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60D,S5Q(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A60DR(STA4,X,S | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65D | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65D(STA4,X,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65W | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65W,S5X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65W,S5X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK11A65W,S5X | Toshiba | MOSFETs MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65W,S5X(M | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK11A65W,S5X(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK11A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.33 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65WS5X(M | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11A65WS5X(M-X | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11P65W | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11P65W,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11P65W,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK11P65W,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11P65W,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK11P65W,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK11P65W,RQ | Toshiba | MOSFETs Power MOSFET N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11P65W,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK11P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11P65W,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK11P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.1 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11P65WRQ(S | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11S.9 | Teko | Description: BOX ABS BLACK 188,5L x 133,5W mm Features: PCB Supports Packaging: Bulk Color: Black Size / Dimension: 7.421" L x 5.256" W (188.50mm x 133.50mm) Material: Plastic, ABS Thickness: 0.055" (1.40mm) Height: 2.197" (55.80mm) Design: Cover Included Container Type: Box Area (L x W): 39.0in² (252cm²) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK11S10N1L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11S10N1L,LQ | Toshiba | MOSFETs 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11S10N1L,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11S10N1L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11S10N1L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK11S10N1L,LXHQ | Toshiba | MOSFETs PD=65W F=1MHZ AEC-Q101 | на замовлення 3016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK12.5A | на замовлення 191 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK1203.1 | на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK1204.1 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK1205.1 | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| TK1205800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1980 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK1205800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 12P SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 12 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1980 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK12062 | N/A | на замовлення 1717 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| TK121-2.00K-0.05% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK121-2.00K-0.1% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK121-2.00K-1% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK121-20.0K-0.05% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK121-20.0K-0.1% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK121-20.0K-1% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK121-200K-0.05% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK121-200K-0.1% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK121-200K-1% | Caddock | Thick Film Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK12128CSCL | TOKO | на замовлення 30200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

