Продукція > ZXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTN25100BFHTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100BFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 18004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Low Saturation Transistor in SOT-23 | на замовлення 12072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100BFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | Diodes Inc./Zetex | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 160MHz 1.25W Surface Mount SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 2 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100BFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFH | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN 100V 2.5A MED SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA Код товару: 202436
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Інші мікросхеми | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 164686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2.5A; 1.81W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2.5A Power dissipation: 1.81W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 175MHz Current gain: 20...900 Manufacturer standard package: 3000pcs. | на замовлення 2264 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Inc./Zetex | TRANS NPN 100V 2.5A SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1263000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 164686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN | на замовлення 8090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA-50 | Diodes Incorporated | Description: SS Low Sat Transistor SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 730 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DFHTA-50 | Diodes Zetex | 100V, SOT23, NPN Medium Power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DG | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 98981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm | на замовлення 509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 97000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN | на замовлення 7917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN | на замовлення 10330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 45077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA-50 | Diodes Zetex | 100V NPN High Gain Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA-50 | Diodes Incorporated | Description: Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN26020DMF | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| ZXTN26020DMFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 1.5A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: DFN1411-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN26020DMFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 1.5A 1000mW 3-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN26020DMFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 1.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: DFN1411-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN26020DMFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V Bipolar 1.5A Ic 380mw | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN26070CV-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 70V 2A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-666 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN26070CV-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 70V 2A 1000mW 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN26070CV-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Low SAT 2A Ic 5A Peak 130mOh | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4000ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans SOT89 T&R 1K | на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4000ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 150mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 46953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4000ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 150mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 200mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans SOT89 T&R 1K | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 200mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004FGWQ-13 | Diodes Incorporated | Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004K | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 3.8W; DPAK,TO252; 2500pcs. Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 3.8W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer standard package: 2500pcs. Application: automotive industry | на замовлення 1716 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4004KQTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Inc./Zetex | TRANS NPN 150V 1A TO252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 150V NPN LED Driver HFE 100 VCE 0.25V | на замовлення 11782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4004KQTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC-52 | Diodes Incorporated | Description: Transistor LED Driver TO252 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4004KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.8W euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 3.8W; DPAK,TO252; 2500pcs. Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 3.8W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer standard package: 2500pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 379 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes | TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Transistor LED Drive TO252 T&R 2.5K | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4004KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4004ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT LED Driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 2 W | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| ZXTN4004ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 150V LED Driver 150mA 0.25V VCE | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4004ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |

