Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
Si4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.28 грн
10+41.80 грн
100+27.37 грн
500+19.84 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4214DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.54 грн
5000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8.5A 3.1W 23.5mohm @ 10V
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4216BM
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4220SIQFN??
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4220-A2-GMSilicon09+
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4220-GMSILICONQFN??
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4220A1-GMSilicon09+
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4220A1GMSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4220A2-GM09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4220A2GMSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4220GMSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4226
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4226DY
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4226DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-E3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.83 грн
5000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4228DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8mohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 52294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.73 грн
10+45.44 грн
100+35.30 грн
500+28.08 грн
1000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4228DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4230DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI426SIEMENS01+ SOP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4270CY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4276DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.6W, 2.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4276DY-T1-E3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4276DY-T1-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4276DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4276DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4276DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4280A
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-E3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 2,9, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 375 @ 20, Qg, нКл = 10.5 @ 10 B, Rds = 32.5 мОм @ 8 A , 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET N-CH 40V 5.7A 8-Pin SOIC N SI4286DY-T1-GE3 VISHAY TSI4286dy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4288DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4288DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 19242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 12915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.78 грн
10+78.20 грн
100+52.73 грн
500+39.24 грн
1000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI42S16100-8T
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4300SILICONQFN??
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4300-BMSILICONI
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4300-E-BMSilicon LabsDescription: IC POWER AMP DUAL-BAND 20C-LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4300-E-BMRSILICONEQFN??
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4300-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR SI4300
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4300DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4300DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4300DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4300T-B-BMSilicon LabsDescription: IC POWER AMP TRIPLE-BAND 20C-LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4302DY
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4304DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4304DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 36A 7.8W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4304DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4304DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4308DYSILICON09+ SOP14
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4308DY-T1VISHAY03+
на замовлення 64589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4308DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4308DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4310BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4310BDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4310BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) W/SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4310BDYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4310DYSILICON09+ SOP14
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4310DY-T1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4310DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B10-GMSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 315MHZ/434MHZ 20QFN
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Data Rate (Max): 10kbps
Current - Receiving: 20mA
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Interface: PCB, Surface Mount
Modulation or Protocol: FSK
Frequency: 315MHz, 434MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -104dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B10-GMSilicon LabsSI4311-B10-GM SI4311
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B10-GMRSilicon LabsQFN 20/I°/315/434 MHZ FSK RECEIVER SI4311QFN
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B10-GMRSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 20QFN
Features: Automatic Frequency Centering (AFC)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B12-GMSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 315MHZ/434MHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Current - Receiving: 20mA
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B12-GMSilicon LabsRF Receiver FSK receiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B12-GMRSilicon LabsRF Receiver Sub-GHz receiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B12-GMRSilicon LabsDescription: RF RCVR FSK 315MHZ/434MHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Current - Receiving: 20mA
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B1C-GMSilicon LabsDescription: RF TXRX ISM 20VQFN
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Data Rate (Max): 10kbps
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Interface: PCB, Surface Mount
Modulation or Protocol: FSK
Frequency: 315MHz, 434MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -104dBm
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Features: Automatic Frequency Centering (AFC)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4311-B1C-GMRSilicon LabsDescription: RF TXRX ISM 20VQFN
Features: Automatic Frequency Centering (AFC)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -104dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 10kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]