Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.16 грн
27+28.26 грн
100+26.82 грн
250+24.44 грн
500+23.07 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+28.71 грн
500+28.26 грн
508+27.81 грн
516+26.39 грн
525+24.03 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.81 грн
10+52.42 грн
100+34.48 грн
500+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569G-AB3-RUTCBipolar Transistors sot-89 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569LUTCТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC557
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5570ToshibaNPN 1700V 28A для строчной развертки в TV Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5570
Код товару: 58609
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: 2-21F1A
Гранична частота fT: 2 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 800 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 1700 В
Струм колектора Ic, А: 28 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 22
товару немає в наявності
1+92.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5570ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5570 (Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5570(FA)ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5570(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5573001PT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC558TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5583ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5583 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 32803
Додати до обраних Обраний товар
PanasonicТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TOP-3
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 1500 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 1500 В
Струм колектора Ic, А: 17 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 12
Примітка: R+D
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+109.00 грн
10+102.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5584
Код товару: 47333
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TOP-3
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 600 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 1500 В
Струм колектора Ic, А: 20 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 14
товару немає в наявності
1+50.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585ROHMSOT523
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585 TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585-TLROHMSOT23
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.15 грн
19+16.72 грн
100+10.57 грн
500+7.40 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.34 грн
100+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TLROHMDescription: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585E3TLROHMDescription: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 20345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+31.65 грн
100+19.99 грн
500+14.93 грн
1000+12.90 грн
3000+10.17 грн
6000+8.59 грн
9000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TL
Код товару: 173466
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.32 грн
14+22.67 грн
100+14.45 грн
500+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 20345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.65 грн
706+19.99 грн
946+14.93 грн
1055+12.90 грн
3000+10.17 грн
6000+8.59 грн
9000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLROHMSOT523
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLROHMDescription: ROHM - 2SC5585TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 320
Bauform - Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 270...680
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 320MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5585TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+13.64 грн
1070+13.20 грн
2500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 1035 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5586 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 32868
Додати до обраних Обраний товар
PanasonicТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PF
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 600 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 900 В
Струм колектора Ic, А: 5 А
товару немає в наявності
1+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5587ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-3PH-IS,ACTIVE,DISCON(06-04)/PHASE-OUT(07-07)/OBSOLETE(07-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5587ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5587 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 31738
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
Гранична частота fT: 2 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 750 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 1500 В
Струм колектора Ic, А: 17 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 48
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5588ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-3PH-IS,ACTIVE,DISCON(06-04)/PHASE-OUT(07-07)/OBSOLETE(07-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5588 (Q,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5588 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 48647
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5589EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTOR,TO-
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1595.42 грн
10+1110.30 грн
200+905.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5589 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 43362
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TOP-3I
Гранична частота fT: 2 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 750 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 1500 В
Струм колектора Ic, А: 18 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 18
Примітка: 200W
товару немає в наявності
1+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5589(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(11-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC559TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC559200LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 15V 2.5A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594RENESAS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-ERenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+63.06 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-ERenesasTrans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+86.69 грн
500+78.02 грн
1000+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 408 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-ERENESASSOT-343
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-HRenesasTrans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+86.69 грн
500+78.02 грн
1000+71.95 грн
10000+61.86 грн
Мінімальне замовлення: 408 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5594XP-TL-HRenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 4.5V 24GHZ CMPAK-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+63.06 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5595T146ROHM09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC56NECCAN
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC560TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5600-T1NECSOT423
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5600T1
на замовлення 32304 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5603-T1NECSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5606NEC0603-3
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5606-ACELRF Bipolar Transistors NPN Silicon 21GHz NF 1.2dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5606-ACELDescription: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 115mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Strip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5606-T1NEC0603-3
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5606-T1-ACELDescription: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Supplier Device Package: SOT-523
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 115mW
Gain: 14dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5606-T1-ACELRF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5606-T1-ACELDescription: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Supplier Device Package: SOT-523
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 115mW
Gain: 14dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC56065-Y(T5L.H)TOSHIBASOT323-MAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC56065-Y(T5L.H) SOT323TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5609
Код товару: 81847
Додати до обраних Обраний товар
PanasonicТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SSS 3pin
Гранична частота fT, МГц: 80 МГц
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,1 А
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5609PANASONIC09+
на замовлення 120036 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5609001JNPAN06+ SOT-523
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5609009JNPanasonic09+
на замовлення 50018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC560900L
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC560N
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC561TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5610onsemiDescription: TRANS NPN 50V 7A TO-220ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 18 W
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+211.58 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5610ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5610 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5611onsemiDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5611SANYOTO-126F
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5612ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5612TOSHIBA2002 TO-3PL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5613
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5617NEC
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5617-T3NEC04+
на замовлення 680000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5617-T3-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ 3-MINI
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 140mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-MINIMOLD
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5617-T3/FBNEC03+ 402
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5619MITSUBISSOT23
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC562TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5620-T11-1ISAHAYA03+ SOT-323
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5620-T111-1MITSUBISHISOT-323
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5622
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]