Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1985000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1530000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 555000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC856B-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 32689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC856B-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 32689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 1130 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Computer Control | BC856B-TP | на замовлення 1560000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/3B | Infineon | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC856B/DG/B2,215 | NXP Semiconductors | BC856B/SOT23/REELLP//DG/B2 | на замовлення 89600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B2,235 | NXP Semiconductors | BC856B/DG/B2,235 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B2,235 | NXP Semiconductors | BC856B/DG/B2,235 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B2215 | NXP | Description: NXP - BC856B/DG/B2215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B2235 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Part Status: Active Packaging: Bulk Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B2235 | NXP | Description: NXP - BC856B/DG/B2235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B3,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B3,235 | NXP Semiconductors | BC856B/DG/B3,235 | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B3,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B3235 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B3235 | NXP | Description: NXP - BC856B/DG/B3235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B4215 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC856B - SMALL SIGN Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B4R | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 | на замовлення 21900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B4R | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B4R | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B4R | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B4R | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856B/DG/B4VL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANSISTOR GEN PURP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/T1 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856B/Y | на замовлення 7370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BC | на замовлення 15037 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BDW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 380mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 24765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 4216 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 16693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | On Semiconductor | TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP | на замовлення 63289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 24765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 5831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T1G | On Semiconductor | Сдвоен. PNP, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=220...475, 0.25Вт, 100МГц, SOT-363 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3 | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T3 - BC856BDW1T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 30777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP | на замовлення 22399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 720798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 5451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

