Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC2006CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes SiC Ultra Perf Diode 600V 12nC Schottky
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+569.26 грн
10+339.08 грн
100+264.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+703.68 грн
3+578.15 грн
10+518.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 575 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+368.34 грн
10+204.05 грн
100+146.77 грн
600+124.59 грн
1200+112.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+423.14 грн
10+237.05 грн
100+171.56 грн
600+149.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 278 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+806.70 грн
10+647.39 грн
100+469.67 грн
600+418.14 грн
1200+355.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+413.65 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.08 грн
10+609.51 грн
50+496.10 грн
100+457.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+714.28 грн
30+380.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 56 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+753.43 грн
10+636.89 грн
100+461.84 грн
250+442.27 грн
600+407.05 грн
1200+365.95 грн
3000+349.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G12WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 103 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 103nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 561 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+816.60 грн
10+518.37 грн
100+393.35 грн
600+361.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.57 грн
30+378.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 36A
Max. forward impulse current: 470A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 679 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+536.53 грн
10+354.08 грн
100+247.23 грн
500+219.83 грн
1000+177.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 915 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+521.31 грн
10+272.31 грн
100+207.44 грн
1000+175.47 грн
2000+171.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 20A Schottky silicon carbid TO247
на замовлення 793 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+482.50 грн
10+248.31 грн
100+198.31 грн
1200+180.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.83 грн
30+274.86 грн
60+250.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 36A
Max. forward impulse current: 470A
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+415.97 грн
5+362.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650V, 20A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+569.26 грн
10+394.59 грн
100+277.89 грн
600+246.58 грн
1200+218.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247; Ir: 425uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 470A
Leakage current: 425µA
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H065CWY - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 20A, 28.5nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+737.26 грн
100+700.39 грн
500+663.53 грн
1000+604.29 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12CWL - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.74 грн
30+426.49 грн
60+391.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+737.26 грн
100+700.39 грн
500+663.53 грн
1000+604.29 грн
10000+526.61 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 917 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+481.74 грн
10+346.58 грн
600+300.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 420A
Leakage current: 0.4mA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 350 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+616.44 грн
10+510.11 грн
100+442.93 грн
250+439.01 грн
3000+347.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky Si 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.83 грн
30+489.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+639.27 грн
10+357.08 грн
100+288.98 грн
500+279.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.59 грн
50+302.52 грн
100+278.48 грн
500+228.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+568.21 грн
10+553.56 грн
100+525.50 грн
500+493.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 985 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+691.02 грн
10+410.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 129 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.07 грн
10+423.71 грн
100+314.83 грн
500+264.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 802 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+638.51 грн
10+435.10 грн
100+307.90 грн
500+306.59 грн
1000+262.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+720.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+292.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+720.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.61 грн
10+620.01 грн
100+516.70 грн
500+427.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+426.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 20A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 673 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+670.48 грн
10+498.11 грн
100+327.46 грн
1000+326.81 грн
2000+310.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+695.59 грн
10+474.11 грн
100+311.81 грн
1000+290.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.32 грн
10+468.37 грн
50+377.47 грн
100+332.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TR
Код товару: 186140
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 352 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+705.48 грн
10+483.86 грн
100+351.60 грн
500+350.95 грн
1000+298.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+333.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+640.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.32 грн
10+470.98 грн
100+374.01 грн
500+301.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+640.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.54 грн
30+530.13 грн
120+474.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 394 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+676.56 грн
10+571.63 грн
100+414.22 грн
250+397.26 грн
600+365.30 грн
1200+328.77 грн
3000+313.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+104.26 грн
10+79.52 грн
100+48.47 грн
500+39.47 грн
1000+36.53 грн
2500+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.50 грн
10+92.83 грн
100+72.18 грн
500+57.42 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.