Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Supplier Device Package: VESM Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 150 mW | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT VESM PLN | на замовлення 35104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6026MFVGR,L3F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6026MFVGR,L3F(B | Toshiba | 2SC6026MFVGR,L3F(B | на замовлення 7619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6026MFVGR,L3F(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R | на замовлення 4517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6027-Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC602N | на замовлення 3550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC603 | NEC | на замовлення 21200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC6033 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6033(TE85L,F) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6033(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 2.5A 1000mW 3-Pin TSM T/R | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 241 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6034 | TOSHIBA | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC603600L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC603600L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6036G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6036G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6037J0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6037J0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC604 | NEC | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC6042(TPF2QM) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6042,T2HOSH1Q(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 375V 1A MSTM Packaging: Bulk Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: MSTM Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6042,T2WNLQ(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 375V 1A MSTM Packaging: Bulk Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: MSTM Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6043 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6043 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6043 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6043 - 2SC6043, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6043 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A 3-MP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 420MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | на замовлення 5552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6043-AE | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6043-AE - 2SC6043-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6043-AE | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R | на замовлення 9348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6043-AE | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 8348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6044-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6044-TD-E - 2SC6044 - BIPOLAR NPN TRANSISTO tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6044-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 2A PCP Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 75mA, 1.5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Bulk | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6046 | KESENES | 09+ | на замовлення 87867 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC605 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC6054G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6054G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6054G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6054J0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6054J0L | PANASONIC | SOT23 | на замовлення 855127 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6054J0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 | на замовлення 4456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6054JSL | PANASONIC | SOT-523 06+ | на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC606 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC6061 | TOSHIBA | SOT-23 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6061 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6061(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 1A 625mW 3-Pin TSM T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6061(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 1A TSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6061(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 1A 625mW 3-Pin TSM T/R | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6061(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 120V 1A 625mW 3-Pin TSM T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6061(TE85LF) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 2-3S1C 180V 1A NPN EPITAXIAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC607 | NEC | CAN | на замовлення 987 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6074 | PANASONIC | 0710+ROHS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6076(TE16L1,NV) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pwr Transtr Hi-Speed New PW-Mold | на замовлення 15707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6076(TE16L1,NV) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6076(TE16L1,NV) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6076(TE16L1,NV) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 80V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 3952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC608 | PAN | 99 | на замовлення 5930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6081 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220ML | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 15A TO-220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V Frequency - Transition: 195MHz Supplier Device Package: TO-220ML Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC6082-1E Код товару: 176225
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC6082-1E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V | на замовлення 7170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6082-1E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6082-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 15 A, 23 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 23W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220F Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 195MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6082-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082-1E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 15A TO-220F-3SG Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V Frequency - Transition: 195MHz Supplier Device Package: TO-220F-3SG Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6082-1E | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 15A; 2W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Frequency: 195MHz Type of transistor: NPN Power dissipation: 2W Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082-1EX | onsemi | Description: BIP NPN 15A 50V Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082-EPN-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082-EPN-1E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 15A TO-220F-3SG Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V Frequency - Transition: 195MHz Supplier Device Package: TO-220F-3SG Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6082-EPN-1E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V | на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6084 | Sanyo Electric | 2SC6084 | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6084 | Sanyo | Description: TRANS NPN 800V 5A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 540mA, 2.7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 304 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6089-CA | onsemi | Description: BIP NPN 10A 700V Packaging: Bulk | на замовлення 15390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6089-CA | ON Semiconductor | 2SC6089-CA | на замовлення 11390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6089-CA | ON Semiconductor | 2SC6089-CA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6089-CA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6089-CA - 2SC6089-CA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC609 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC6090 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 34462
Додати до обраних
Обраний товар
| Sanyo | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220F Uceo,V: 700 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 10 A h21: 15 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6091 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6091 - 2SC6091, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 63800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6091 | onsemi | Description: TRANS NPN 700V 8A TO-3PMLH Supplier Device Package: TO-3PMLH Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 4.5A Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 88985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6094 | onsemi | BIP NPN 3A 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6094-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 300 Verlustleistung Pd: 3.5 Übergangsfrequenz ft: 390 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6094-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6094-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6094-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6094-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W | на замовлення 3018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6094-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6095 | onsemi | BIP NPN 2.5A 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6095-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6095-TD-E | ON Semiconductor | на замовлення 970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC6095-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 350MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6095-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2.5A 80V | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6095-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC6095-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6095-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6095-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 350MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6096 | onsemi | BIP NPN 2A 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC6096-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A PCP Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A | на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC6096-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V | на замовлення 2566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

