Продукція > DTA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA115TU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA115TU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver. | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA115TU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1 ALONE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA115TU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA115T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA115TU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 326 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA115TUA | ROHM | 07+ SOT-323 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA115TUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2174 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA115TUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA115TUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA115TUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA115TUT106 | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTA115UUT106 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTA123E | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA123E - DTA123E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123E | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123E | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123E | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DTA123ECA | Yangjie Technology | Description: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECA | Yangjie Electronic Technology | DTA123ECA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Frequency: 250MHz | на замовлення 2323 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECA | Microdiode Electronics (MDD) | DTA123ECA | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECA-TP | Micro Commercial Co | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR, SOT-23 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors PNP -50Vcc 5Vin 200mW -100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECA-TP | Micro Commercial Co | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR, SOT-23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-23, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 8159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1852 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 74 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Frequency - Transition: 250 MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 82 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 863 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EE | ROHM | SOT523 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 875 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 69 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1786 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA; -50V EMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1454 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 83 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA123EET1 - DTA123EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EET1 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTA123EET1 | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7212 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Current gain: 8...15 Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 15629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 101481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 202443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1389 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EETL | ROHM | Description: ROHM - DTA123EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 920 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75A; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EK | ROHM | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKA | ROHM | 07+ SOT-23 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKA/12 | ROHM | SOT-23 01+ | на замовлення 51000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | Rohm | TRANS PNP 50V 100MA SOT-346 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | Rohm | Транзистор PNP, Ptot,Вт = 0.2, VCEO,В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 250, hFE = 20 @ 20 мА, 5 В, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.3V @ 500 мкА, 10 мА, Тэксп, °С = -55...+150, R1 = 2.2 кОм, R2= 2.2 кОм,... Транзистори Корпус: SOT-346 Очікується: 500 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2210 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1163 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Resistors Included: R1 and R2 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA123EKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA123EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKA\12 | ROHM | SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA123EKT146 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTA123EM | ROHM | 09+ | на замовлення 7518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

