Продукція > IMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+558.29 грн
31+469.56 грн
100+375.65 грн
500+342.69 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+388.95 грн
100+370.09 грн
500+350.05 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMBG65R075M2HXTMA1
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.86 грн
10+325.16 грн
100+236.16 грн
500+210.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMBG65R075M2HXTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R075M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+337.09 грн
500+319.41 грн
1000+301.73 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.37 грн
148+95.85 грн
150+94.33 грн
153+89.49 грн
250+81.49 грн
500+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.37 грн
10+95.85 грн
25+94.33 грн
100+89.49 грн
250+81.49 грн
500+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HInfineon TechnologiesIMBG65R107M1H
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+842.27 грн
25+803.39 грн
50+771.06 грн
100+717.31 грн
250+643.57 грн
500+600.90 грн
1000+586.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+505.02 грн
40+359.06 грн
100+290.88 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+331.19 грн
500+313.51 грн
1000+297.01 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.02 грн
10+359.06 грн
100+290.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.34 грн
10+328.86 грн
100+239.03 грн
500+213.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.01 грн
10+102.51 грн
25+102.01 грн
100+97.90 грн
250+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+223.94 грн
500+212.15 грн
1000+200.37 грн
10000+181.84 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+465.78 грн
48+300.78 грн
100+238.53 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.78 грн
10+300.78 грн
100+238.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.51 грн
139+102.01 грн
140+97.90 грн
250+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.23 грн
10+260.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HInfineon TechnologiesIMBG65R260M1H
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+567.22 грн
27+542.86 грн
50+522.17 грн
100+486.44 грн
250+436.75 грн
500+407.87 грн
1000+397.89 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+223.42 грн
50+174.48 грн
100+148.96 грн
500+130.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.04 грн
500+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH10D-060
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH25-120MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH50D-060N/A09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH50D-060A
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH60-100MODULE
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH60-120MODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH75D-060S
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI200F-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI200L-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI200S-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300F-060module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300F-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300JN-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300JP-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300L-060module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300L-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300MN-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300NP-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI600NN-060-03FUJI.
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBT2222MICRONAS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBT2907
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBT2907ANational
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBT3903ITT05+ SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBT3906T
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12