Продукція > SBC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SBC847BWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SSP XSTR SC-70 NPN
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.52 грн
143+2.94 грн
197+2.13 грн
228+1.85 грн
500+1.28 грн
1000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
50+6.04 грн
100+3.74 грн
500+2.54 грн
1000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G-M02onsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 143831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - SBC847CDW1T1 - TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SSP XSTR SC-88 NPN
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.45 грн
41+10.40 грн
49+8.72 грн
100+4.87 грн
500+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+9.54 грн
117+6.45 грн
119+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDW1T1GON Semiconductor2-канальний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,38, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TSSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
14+21.59 грн
100+13.68 грн
500+9.64 грн
1000+8.61 грн
2000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
на замовлення 29106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDXV6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CDXV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1onsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
27+15.77 грн
32+13.50 грн
50+9.02 грн
100+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
6000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.54 грн
43+17.61 грн
46+16.48 грн
100+9.64 грн
250+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 34404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.29 грн
500+5.75 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
52+5.81 грн
100+3.58 грн
500+2.43 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT1GOn SemiconductorTRANS NPN 45V 0.1A SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.92 грн
6000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 45V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
52+5.81 грн
100+3.58 грн
500+2.43 грн
1000+2.12 грн
2000+1.87 грн
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT3GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847CWT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC84823VGA-1.1GAxiomtekSingle Board Computers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC84823VGA-1.3GAxiomtekSingle Board Computers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC84833VGA-18AxiomtekSingle Board Computers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC84833VGA-24AxiomtekSingle Board Computers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC848BLT1onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC848BLT1onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC848BLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
66+6.37 грн
118+3.56 грн
500+2.42 грн
1000+2.06 грн
3000+1.63 грн
6000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC848BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
48+6.42 грн
100+3.93 грн
500+2.68 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC848BLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC848
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC848BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC848BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC848BLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC848
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC84K7JTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole SBC8 4K7 5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC84K7JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 4.7K OHM 5% 9W AXIAL
Power (Watts): 9W
Tolerance: ±5%
Features: Flame Proof, Safety
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.354" Square x 1.496" L (9.00mm x 38.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 350°C
Number of Terminations: 2
Part Status: Active
Resistance: 4.7 kOhms
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+127.11 грн
25+104.49 грн
50+85.03 грн
100+74.14 грн
250+62.43 грн
500+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC8530 WITH 4.3" LCDEMBESTDescription: EMBEST - SBC8530 WITH 4.3" LCD - EVALUATION BOARD, SBC, DSP
Prozessorkern: DM3730
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: DM37x
Prozessorhersteller: Texas Instruments
Lieferumfang des Kits: Board, TF Card, Adapter, Ethernet, Serial, HDMI - DVI-D, S-Video & USB Cables, 4.3''LCD Antenna, DVD
Prozessorserie: Cortex-A8
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC8530 WITH 4.3"LCDEMBESTDescription: EMBEST - SBC8530 WITH 4.3"LCD - Einplatinencomputer (SBC), DM3730-MCU ARM Cortex-A8, 4.3"-LCD-Anzeige, zahlreiche Peripherien
Prozessorkern: DM3730
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: DM37x
Prozessorhersteller: Texas Instruments
Lieferumfang des Kits: Einplatinencomputer SBC8530, 4.3"-LCD-Anzeige mit Touchscreen
Prozessorserie: Cortex-A8
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC8530 WITH 7"LCDEMBESTDescription: EMBEST - SBC8530 WITH 7"LCD - Einplatinencomputer (SBC), DM3730-MCU ARM Cortex-A8, 7"-LCD-Anzeige, zahlreiche Peripherien
Prozessorkern: DM3730
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: DM37x
Prozessorhersteller: Texas Instruments
Lieferumfang des Kits: Einplatinencomputer SBC8530, 7"-LCD-Anzeige mit Touchscreen
Prozessorserie: Cortex-A8
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
26+16.27 грн
31+13.84 грн
100+7.78 грн
500+5.59 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V
на замовлення 12998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1GOn SemiconductorTRANS PNP 65V 100MA SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.30 грн
500+5.76 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.10 грн
100+6.91 грн
500+4.76 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
152+2.77 грн
191+2.21 грн
500+1.88 грн
1000+1.75 грн
3000+1.55 грн
6000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V
на замовлення 8994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.00 грн
28+27.25 грн
100+13.45 грн
250+11.01 грн
500+10.30 грн
1000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3GonsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3GonsemiDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.10 грн
9000+4.53 грн
24000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
9000+4.82 грн
24000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3037+4.66 грн
9000+4.13 грн
24000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.08 грн
100+5.00 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.28 грн
41+18.52 грн
100+11.46 грн
250+10.37 грн
500+7.13 грн
1000+5.55 грн
3000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1112+12.73 грн
1667+8.49 грн
2200+6.43 грн
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 1112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GonsemiDigital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
9000+4.82 грн
24000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.29 грн
34+22.69 грн
100+12.73 грн
500+8.18 грн
1000+5.74 грн
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+11.88 грн
1218+11.62 грн
1701+8.32 грн
2184+6.25 грн
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 1191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT3onsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT3ONSEMIDescription: ONSEMI - SBC856BLT3 - SBC856BLT3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT3GonsemiDigital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 56578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.08 грн
100+5.00 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
2000+2.66 грн
5000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT3GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.26 грн
20000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.