Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK12128CSILTOKO09+
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12128CSLTOKO
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK121S01Kyocera DisplayVideo IC Development Tools 12.1" SVGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK121S01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 12.1" SVGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK121S02Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 12.1" SVGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK121X01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 12.1" XGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK122AABB (Thomas and Betts)Cable Accessories Conduit Fitting Steel Zinc
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.48 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK123-1ABB Power Electronics Inc.Description: SG TK1231 1 COUPLING SSCREW EMT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+186357.54 грн
2+172278.03 грн
5+165387.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK124-1ABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories 1 1/4 COUPLING,SSCREW,EMT,STL,EA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK124-1Thomas & BettsDescription: 1 1/4 COUPLING,SSCREW,EMT,STL,EA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK124AThomas & BettsDescription: 1-1/4 INCH COUPLING,SSCREW,EMT,S
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK124AABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories 1-1/4 INCH COUPLING,SSCREW,EMT,STL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK125-1ABB Electrification (Thomas and Betts)Description: 1 1/2 COUPLING,SSCREW,EMT,STL,EA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125-1ABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories 1 1/2 COUPLING,SSCREW,EMT,STL,EA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK125AABB Electrification (Thomas and Betts)Description: 1 1/2 INCH COUPLING,SSCREW,EMT,S
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125AABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories 1 1/2 INCH COUPLING,SSCREW,EMT,STL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK125AABBFittings Coupler 1.5in Steel, for Cable Protection Systems
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1068.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125A60Z1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.10 грн
50+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125A60Z1,S4XToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125E60Z1,S1XToshibaMOSFETs 600 V 0.125 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK125E60Z1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.125 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK125N60Z1,S1FToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.02 грн
7+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125N60Z1,S1FToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK125N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 125mohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125N60Z1,S1FToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125N60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK125N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+83.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125U60Z1,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.84 грн
10+158.64 грн
100+111.24 грн
500+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+179.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQToshibaMOSFETs MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.25 грн
10+288.04 грн
100+212.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.99 грн
54+265.90 грн
200+202.72 грн
500+183.66 грн
1000+149.85 грн
2500+139.82 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 24A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+559.97 грн
47+301.27 грн
50+289.79 грн
100+269.96 грн
250+242.38 грн
500+226.35 грн
1000+220.82 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125Z60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK125Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK126-1ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories 2 COUPLING,SSCREW,EMT,STL,EA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK126AABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories 2 INCH COUPLING,SSCREW,EMT,STL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK129PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,both sides; 9m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 6,3mm 2pin plug
Version: mono
Cable length: 9m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 12A TO220SIS
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A45D,S5Q(JToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(Q)ToshibaMOSFETs Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(QM)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.13 грн
50+99.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,Q,M)
Код товару: 114441
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+261.60 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,X,S)
Код товару: 184919
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1350/25
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
  • 62 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.47 грн
131+108.40 грн
250+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.56 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D,S5Q(JToshibaTRANSISTOR (SILICON)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D5ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50DR(STA4,X,MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S4X(SToshibaMOSFET POWER MOSFET N CH 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S5XToshibaMOSFET PLN MOS 500V 520mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 255673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+52.41 грн
1000+48.32 грн
10000+43.09 грн
100000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5X(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5X(MToshibaTK12A50W,S5X(M
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+406.31 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.90 грн
50+116.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(LS1CNO,AQToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(Q)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.51 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(S4PHIL,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(STA4,A,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch DTMOS II RDS 0.36 Ohm Yfs 7.0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]