Продукція > VS-

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 136 153 170 174  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VS-GT300YH120NVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400LH060NVishayIGBT Modules INT-A-PAK 600V 400A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400LH060NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 492A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 492 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1363 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 711A INT-A-PAK
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1364 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 711 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TD60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 600A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2119 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TH120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 750A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51.2 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2344 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TH60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT400TH60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 530A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50LA65UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT50LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 59 A, 163 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 59A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50LA65UFVishayIGBT Modules SOT227 650V 50A LS CHOPPR
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50LA65UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 163 W
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.24 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 405 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50TP60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 208 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50YF120NTVishay SemiconductorsIGBTs ECONO-4PACK IGBT MODULE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT50YF120NTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 64A 231W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7942.03 грн
12+6553.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT51YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55LA120UXVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT55LA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 68A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55LA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 291 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2304.58 грн
10+1642.70 грн
100+1452.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55LA120UXVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227-LOW SIDE CHOPPER IGBT
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55NA120UXVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227-HI SIDE CHOPPER IGBT
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55NA120UXVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT55NA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 68A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT55NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 291 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2304.58 грн
10+1642.70 грн
100+1452.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT600TH060SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75LA60UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT75LA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 231W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 81A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75LA60UFVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75LP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 150A 543W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75NA60UFVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75NA60UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT75NA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 231W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 81A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75NP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120NTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 431 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8249.67 грн
12+6834.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120UTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9011.40 грн
12+7610.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT75YF120UTVishay SemiconductorsIGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT76YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120UVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 80A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 170A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120UVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2720.70 грн
10+1952.08 грн
100+1678.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA60UVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 123A 454W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 454 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA120UVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 106A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 106A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 350A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 169A 781W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 169 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 781 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3314.28 грн
10+2404.50 грн
100+2117.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA120UVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT +
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 781W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 169A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA60UVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA60UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90DA60U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 146 A, 446 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 146A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 146 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 446 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90SA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90SA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 781W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 169A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90SA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 169A 781W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 169 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 781 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2932.25 грн
10+2112.81 грн
100+1823.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT90SA120UVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60S-M3VishayDiode Switching 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60S-M3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60S-M3VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 4A; 17ns; DPAK; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 75pcs.
Reverse recovery time: 17ns
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.47 грн
375+40.05 грн
525+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Technology: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.28 грн
75+63.60 грн
150+57.94 грн
525+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SHM3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 4 Amp 600 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SL-M3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SLHM3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SPBFVishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching RECOMMENDED ALT 78-VS-HFA04SD60S-M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SR-M3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SRHM3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60SRHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STR-M3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes Hexfreds - D-PAK-e3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STRHM3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 4 Amp 600 Volt
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STRHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STRLP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STRLPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STRRPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04SD60STRRPBFVishayVishay 4A, 600V, RECTIFIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-M3VishayDiode Switching 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-M3Vishay SemiconductorsRectifiers 600V 4A TO-220 HexFred
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.78 грн
50+84.81 грн
100+76.24 грн
500+57.42 грн
1000+52.88 грн
2000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-M3VISHAYDescription: VISHAY - VS-HFA04TB60-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 1.8 V, 42 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 25A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: HEXFRED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-M3VishayDiode Switching 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-M3 HFA04TB60PBFVishayHEXFRED 4A, 600V, 42 ns, TO-220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-N3Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 78-VS-HFA04TB60-M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-N3
Код товару: 102082
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60-N3 HFA04TB60PBFVishayHEXFRED 4A, 600V, 42 ns, TO-220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60PBFVishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 78-VS-HFA04TB60-M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60PBF HFA04TB60PBFVishayDIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60S-M3VishayDiode Switching 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6550+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 6550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60S-M3Vishay SemiconductorsRectifiers 600V 4A TO-263 HexFred
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60S-M3VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 4A; 17ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Reverse recovery time: 17ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.2V
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60S-M3VishayDIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60SL-M3Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 600V 4A IF (TO-263AB) 25A IFSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60SL-M3VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 4A; 42ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 2.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Reverse recovery time: 42ns
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 2.2V
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 800pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-HFA04TB60SL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 600V 4A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 102 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 136 153 170 174  [ Наступна Сторінка >> ]