Продукція > 2N5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N5276MOTCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5277Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5277MOTCAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5278MOTCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5279MOTCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N527AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N528MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5280
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5281MOTCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5282MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5284Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5mA, 5mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5285Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5286Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT PNP Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5286Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-59
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5287Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5288Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5289Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N528AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N529MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5290Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5290Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Power - Max: 116 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-61
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5291Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Power - Max: 116 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-61
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5291Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5292MOTCAN
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5296 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vcev 4.0A 50Vcer 40Vceo 36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5296 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vcev 4.0A 50Vcer 40Vceo 36W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5298 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5298 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vcev 70Vcer 60Vceo 36W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N529AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N53CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N530MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 30A TO3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.83 грн
10+300.05 грн
20+284.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301MULTICOMPDescription: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
MSL: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 30A TO3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 4MHz
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Pwr Amp
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302onsemiBipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302MOTOROLA
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 30A 5W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+500.98 грн
100+480.98 грн
500+460.99 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302GonsemiBipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 30A TO204
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+332.63 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+500.98 грн
100+480.98 грн
500+460.99 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 30A TO204
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302GE88+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303MOTSOT-23-5
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 20A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5303 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 20 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 20A 5W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Pwr Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 20A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 20A TO3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Supplier Device Package: TO-3
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
Frequency - Transition: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5303 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 20A 7.5A 200W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306onsemiDescription: TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306onsemi / FairchildDarlington Transistors NPN Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306 APM PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 300mA,25V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306 APM TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors 300mA,25V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Darl Amp
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.28 грн
10+51.00 грн
100+33.49 грн
500+24.36 грн
1000+22.09 грн
2500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 12Vebo 300mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306 TRE PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 300mA,25V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors 300mA,25V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5306_Qonsemi / FairchildDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5307onsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5307_D74ZFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308onsemiDarlington Transistors NPN Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308onsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 APM PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 300mA,40V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 APM TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors 300mA,40V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 APP PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 APP TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Darl Amp
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.85 грн
10+84.21 грн
100+56.79 грн
500+42.28 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 40V 0.3A 625mW 3-Pin TO-92
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TRA PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TRE PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 300mA,40V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors 300mA,40V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5308_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]