Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA1307
Код товару: 152640
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220F
Гранична частота fT, МГц: 60 МГц
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 5 А
у наявності: 10 шт
  • 2 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1307TOS00+ Z-10LIA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309
Код товару: 152641
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-33
Гранична частота fT, МГц: 80 МГц
Напруга Uке, В: 25 В
Напруга Uкб, В: 30 В
Струм Iк, А: 0,1 А
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309A-(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309A-QPanasonic
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309A-Q(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309A-RPanasonic
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309A-R(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309A-SPanasonic
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309A-S(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309A0APanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: NS-B1
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309ACTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309AQAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309AQCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309AQTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309ARCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309ARTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309ASAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309ASCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309ASTBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1309ATBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA131TO-39
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1311TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312ToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312-BLToshibaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312-BL(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312-GR(TE85L)TOSHIBASOT23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312GRTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1312GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-VTOSHIBA
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-YTOSHIBASOT23
на замовлення 49920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.78 грн
29+10.42 грн
100+6.51 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon PNP Epitaxial Type (Pct Process)
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+5.78 грн
2517+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1313-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313-Y/ACYTOSHIBA09+
на замовлення 8918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1313YT5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1314KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1314-BTOSHIBASOT-89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1314-CTOSHIBASOT89
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315
Код товару: 152642
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
Гранична частота fT, МГц: 80 МГц
Напруга Uке, В: 80 В
Напруга Uкб, В: 80 В
Струм Iк, А: 1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 240
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y(6TOR1,AFToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y(DNSO,AF)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y(T6FJT,AFToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y(T6ND,AF)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y(T6PP,AF)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y(T6TR,A,FToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y,F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y,F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y,HOF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 80V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y,HOF(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y,T6ASNF(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y,T6ASNF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 80V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y,T6F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1315-Y,T6F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317S
Код товару: 152643
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92S
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,2 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 560
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - склад
5+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317S-AConsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317S-ACON Semiconductor2SA1317S-AC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.16 грн
10000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317S-ACON Semiconductor2SA1317S-AC
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.16 грн
10000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317S-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1317S-AC - 2SA1317S-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317S-ACON Semiconductor2SA1317S-AC
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.16 грн
10000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317TonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317T-ACON Semiconductor2SA1317T-AC
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
10000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317T-ACON Semiconductor2SA1317T-AC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317T-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1317T-AC - 2SA1317T-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 163800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317T-AConsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 255700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317T-ACON Semiconductor2SA1317T-AC
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
10000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1317T-ACON Semiconductor2SA1317T-AC
на замовлення 156700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
10000+31.04 грн
100000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1318
Код товару: 152644
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 200 МГц
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,2 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 560
у наявності: 12 шт
  • 8 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4+6.00 грн
10+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1318S-AAON Semiconductor2SA1318S-AA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1318S-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1318S-AA - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP 0.2A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1318S-AAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.2A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1318TON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.2A 500mW 3-Pin NP
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4567+7.72 грн
10000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 4567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1318TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1318T - 2SA1318T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1318TonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3030+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1319NEC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1319
Код товару: 152645
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 120 МГц
Напруга Uке, В: 160 В
Напруга Uкб, В: 180 В
Струм Iк, А: 0,7 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 100
у наявності: 63 шт
  • 42 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+9.00 грн
10+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1319S-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1319S-AA - 2SA1319S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1319S-AAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1817+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 1817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1319S-AAonsemiDescription: TRANS PNP 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1817+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 1817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]