Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF45N15V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2onsemi / FairchildMOSFETs N-CH/150V/45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.09 грн
10+193.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+126.11 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+126.11 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF46N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF46N15FAIRCHILDFQPF46N15
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.78 грн
50+166.00 грн
100+153.49 грн
500+137.23 грн
1000+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.33 грн
86+165.74 грн
100+153.26 грн
500+137.02 грн
1000+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 8944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 6087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.34 грн
50+150.50 грн
100+136.77 грн
500+105.79 грн
1000+98.54 грн
2000+97.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.85 грн
3+226.44 грн
10+181.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.54 грн
100+149.64 грн
500+137.95 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06onsemi / FairchildMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+159.54 грн
100+149.64 грн
500+137.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF47P06YDTU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUonsemi / FairchildMOSFET -60V -30A P-Channel
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N20 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 1254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 15902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 1254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20FAIRCHILDFQPF4N20
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 1254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N20LonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220F
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60ON SemiconductorFQPF4N60
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60ON SemiconductorFQPF4N60
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60ON SemiconductorFQPF4N60
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N60CFAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N80ONS/FAIN-Channel, 800 V, 2.2 A, TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N80ON SemiconductorFQPF4N80
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N80Fairchild
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
50+73.15 грн
100+65.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CONS/FAIMOSFET N-CH 900V 4A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90C (TO-220FP, ON)
Код товару: 86951
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, V: 900 V
Струм стоку Idd, A: 2,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 740/17
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+62.00 грн
10+55.50 грн
100+49.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.77 грн
500+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N90CT - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.77 грн
500+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTonsemi / FairchildMOSFETs 900V, 4A, NCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4P25FAIRCHILD02+
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4P40onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4P40onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06Fairchild
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06LonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 16.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF55N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34.2A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF55N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF58N08onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF58N08Tonsemi / FairchildMOSFET N-CH/80V/35A/0.024OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N15Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 730 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N15ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.2A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20LON SemiconductorFQPF5N20L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20LON SemiconductorFQPF5N20L
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N20L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
972+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 3.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N30ON SemiconductorFQPF5N30
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.06 грн
1000+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
10+85.35 грн
100+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50ON SemiconductorFQPF5N50
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50ON SemiconductorFQPF5N50
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFAIRCHILD
на замовлення 59112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50Consemi / FairchildMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50CFTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]