Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF4N80FAIRCHILDFQPF4N80
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N80ONS/FAIN-Channel, 800 V, 2.2 A, TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CONS/FAIMOSFET N-CH 900V 4A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+103.04 грн
500+92.73 грн
1000+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.44 грн
50+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 109000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+103.04 грн
500+92.73 грн
1000+85.52 грн
10000+73.52 грн
100000+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90C (TO-220FP, ON)
Код товару: 86951
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/17
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
  • 45 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+62.00 грн
10+55.50 грн
100+49.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.77 грн
500+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF4N90CT - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.77 грн
500+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4N90CTonsemi / FairchildMOSFETs 900V, 4A, NCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4P25FAIRCHILD02+
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4P40onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF4P40onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06Fairchild
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF50N06LonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF55N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF55N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF58N08onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF58N08Tonsemi / FairchildMOSFET N-CH/80V/35A/0.024OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N15Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 730 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N15ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.2A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N20L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20LON SemiconductorFQPF5N20L
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N20LON SemiconductorFQPF5N20L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 3.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N30FAIRCHILDFQPF5N30
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+56.06 грн
1000+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50FAIRCHILDFQPF5N50
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50onsemiMOSFETs 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50FAIRCHILDFQPF5N50
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50ConsemiMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFAIRCHILD
на замовлення 59112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50CFTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CFTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CTTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 32951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.76 грн
512+69.10 грн
1000+63.72 грн
10000+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 35036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTUonsemiMOSFETs 500V N-Channel QFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60FSC
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.53 грн
500+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CONS/FAIMOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.53 грн
500+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C
Код товару: 131269
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60C - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 20650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.53 грн
500+74.28 грн
1000+68.50 грн
10000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5N60CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60CYDTUFAIRCHILDFQPF5N60CYDTU
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.76 грн
500+79.89 грн
1000+73.68 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N60C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80ON SemiconductorFQPF5N80
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.22 грн
500+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80onsemi / FairchildMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90CFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10ON SemiconductorFQPF5P10
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF5P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.