Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R1K0CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.8A Power dissipation: 26W Case: TO220FP On-state resistance: 860mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Power Dissipation (Max): 26W (Tc) | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 90500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K5CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPA60R1K5 - 600V, N-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | на замовлення 78500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Infineon | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R1K5CEXKSA1 - IPA60R1K5 - 600V, N-CHANNEL POWER MOSFET euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_NEW Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R230P6 | Infineon Technologies | Description: IPA60R230 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R230P6 | Infineon technologies | на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R230P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R230P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16.8 A, 0.207 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.207ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3 | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16.8A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 264 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO220FP-3 CoolMOS CP | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 9596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 21936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R250CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R250CPXKSA1 - IPA60R250 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 21936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280C6 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 660mOhm; 13,8A; 104W; -55°C ~ 150°C; IPA60R280C6XKSA1 IPA60R280C6 TIPA60r280c6 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R280C6XKSA1 - IPA60R280C6 600V COOLMOS N-CHANNEL POWE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 74 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R280CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.237 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280CFDD7 | Infineon Technologies | Description: IPA60R280 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280CFDD7XKSA1 | Infineon Technologies | IPA60R280CFDD7XKSA1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280CFDD7XKSA1 | Infineon Technologies | IPA60R280CFDD7XKSA1 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280E6 | Infineon Technologies | Description: 600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R280E6XKSA1 TIPA60r280e6 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R280E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 306 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P6 | Infineon Technologies | Description: 600V, N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6 | Infineon technologies | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 | на замовлення 736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R280P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 32W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.252ohm | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 11095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P7S | Infineon | на замовлення 34500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R280P7S | Infineon Technologies | Infineon CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V | на замовлення 699750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 699750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |

