Продукція > STG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF10M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF10NB60S | на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NB60SD Код товару: 175402
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 23A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 25 W | на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 90300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp | на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 90300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 23A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NB60SD | STM | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF10NC60HD | STMicroelectronics | IGBTs IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF10NC60HD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 9A TO-220FP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 24 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 19600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF10NC60KD - IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 9A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 25W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube | на замовлення 596 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 9A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 25 W | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STM | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH" IGBT | на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 19600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NC60KD Код товару: 54033
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STGF10NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF10NC60SD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 10A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF10NC60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF10NC60SD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF12NB60KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A 30W TO220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF14N60D | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 11A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220FP Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 33 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF14NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 28W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF14NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 28W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF14NC60KD | STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH" IGBT | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF14NC60KD Код товару: 128943
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STGF14NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 28W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF14NC60KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 11A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 34.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 28 W | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF14NC60KD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF14NC60KD - IGBT, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 11A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 30 W | на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 30 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd | на замовлення 722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 31W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF15M65DF2 Код товару: 216133
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STGF15M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 142 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 45 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 31 W | на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF17NC60SD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 17A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 54.5 nC Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 32 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF19NC60HD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 16A TO-220FP Power - Max: 32 W Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 53 nC Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Supplier Device Package: TO-220FP Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF19NC60HD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF19NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF19NC60HD | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-CHANNEL MFT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF19NC60KD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF19NC60KD - IGBT, 16 A, 2 V, 32 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF19NC60KD | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGF19NC60KD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF19NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF19NC60KD Код товару: 81562
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STGF19NC60KD | STMicroelectronics | IGBTs 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT | на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF19NC60KD | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF19NC60KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 16A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 32 W | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF19NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF19NC60WD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 32 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF20H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20H60DF Код товару: 144763
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STGF20H60DF | STMicroelectronics | IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT | на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20H60DF | STM | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF20H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF20H60DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 37 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 37W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 37 W | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 215 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 45 W | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20H65DFB2 | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 45W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube | на замовлення 76 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 32.6 W | на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20M65DF2 | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 32.6W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 32.6W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 337 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 32.6W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 32.6W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF20M65DF2 | STM | IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF20M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 32.6W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20NB60S | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF20NB60S | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 24A 40W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 92ns/1.1µs Switching Energy: 840µJ (on), 7.4mJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 83 nC Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF20NB60S | STMicroelectronics | IGBTs N Ch 13A-600V | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF20V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT BIPO 600V 20A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30H60DF | STMicroelectronics | Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 37, Uce(on), В = 600, Uceb, В = 2,4, Ic, А = 60, Uge(th), В = 15, Тексп, °С = -40...+175, Тип монт = вивідний, td(on), нс = 50, td(off), нс = 160,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30H60DF | STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT | на замовлення 851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 105 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 37 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30H65DFB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 50 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 38 W | на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF30M65DF2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF30NC60S | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 22A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 21.5ns/180ns Switching Energy: 300µJ (on), 1.28mJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 96 nC Current - Collector (Ic) (Max): 22 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT BIPO 600V 30A TO-220 Part Status: Active Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF30V60DF | STMicroelectronics | IGBTs IGBT & Power Bipolar | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STGF35HF60W | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 19A 40W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns Switching Energy: 290µJ (on), 185µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STGF35HF60W | STMicroelectronics | IGBT Transistors 35A 600V Ultrafast IGBT over 100kHz OP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

