Продукція > ZXM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXMP10A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.3A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 330 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP10A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 2.4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 74000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 73000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 2.4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 74363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 3910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.2A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GQTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17GTA | DIODES/ZETEX | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 450mOhm; 2,4A; 3,9W; -55°C ~ 150°C; ZXMP10A17GTA TZXMP10a17g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) TO-261AA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V | на замовлення 7008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) TO-261AA T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V P-Chnl UMOS | на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17K | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 2.4A TO252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17KTC | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP10A17KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM | на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP10A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 2.4A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 50 V | на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A17KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18 | ZETEX | TO-252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Inc./Zetex | MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 137000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 193000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V P-Chnl UMOS | на замовлення 11766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18K | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18K | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18K | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18KQTC | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R 2.5K | на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KQTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18KQTC | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18KT | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1065000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC Код товару: 164134
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP10A18KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 100 Volt 5.2A | на замовлення 9896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 427500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V | на замовлення 27999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10A18KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP10A18KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP10ABF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP2106G | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXMP2120E5TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-25 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74A, SOT-753 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP2120E5TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch 200 Volt 0.122A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP2120E5TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-25 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74A, SOT-753 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP2120FFTA Код товару: 150055
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXMP2120FFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP2120FFTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 137 mA, 28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP2120FFTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 200V 0.137A 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP2120FFTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 137MA SOT23F Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-23F | на замовлення 8059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP2120FFTA | Diodes INC. | P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 137 мА, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 100 @ 25, Rds = 28 Ом @ 150 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP2120FFTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 137MA SOT23F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP2120FFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP2120FFTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 137 mA, 28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP2120FFTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 200V P-CHANNEL | на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP2120G4 | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP2120G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET 200V 200mA P-Channel Enhancement MOSFET | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP2120G4TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP3A13F | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP3A13F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2271 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Inc./Zetex | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 291 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Chnl UMOS | на замовлення 19324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXMP3A13FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

