Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMP10A18KT
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A18KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 4.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 37170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.01 грн
25+81.52 грн
50+68.04 грн
100+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1065000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.12 грн
5000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 100 Volt 5.2A
на замовлення 9593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTC
Код товару: 164134
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.29 грн
7500+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 427500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A18KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.9 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.43 грн
5000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A18KTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10ABF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2106G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120E5TADiodes IncorporatedMOSFET P-Ch 200 Volt 0.122A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120E5TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-25
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120E5TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-25
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 200V 0.137A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTA
Код товару: 150055
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP2120FFTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 137 mA, 28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTADiodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 137 мА, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 100 @ 25, Rds = 28 Ом @ 150 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 137MA SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+48.91 грн
100+32.16 грн
500+23.42 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTADiodes IncorporatedMOSFETs 200V P-CHANNEL
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP2120FFTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 137 mA, 28 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 137MA SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.96 грн
6000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120G4ZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120G4TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP2120G4TADiodes IncorporatedMOSFET 200V 200mA P-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes Inc./ZetexSOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
12+26.79 грн
100+18.21 грн
500+13.47 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.27 грн
6000+6.69 грн
9000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A13FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 17029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
13+34.47 грн
30+26.00 грн
50+22.56 грн
100+18.45 грн
500+11.91 грн
1000+10.06 грн
1500+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.27 грн
6000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A13FTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16D
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TAZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.48 грн
100+61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.05 грн
1000+45.08 грн
1500+43.00 грн
2500+38.17 грн
3500+36.87 грн
5000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.49 грн
2000+32.33 грн
3000+30.90 грн
5000+27.49 грн
7000+26.60 грн
10000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P Chnl UMOS
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.42 грн
2000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+43.21 грн
250+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.17 грн
2000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1565000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.99 грн
100+48.84 грн
500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.17 грн
2000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.67 грн
2000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16GTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; Idm: -26A; 1.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 1.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.84 грн
100+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A16N8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DZETEX2004
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.28nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17DN8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -16.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -16.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+39.83 грн
250+38.14 грн
500+36.45 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.80 грн
6000+21.24 грн
9000+20.38 грн
15000+18.22 грн
21000+17.68 грн
30000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP3A17E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.2A; Idm: -14.4A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
10+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.