Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFI620GPBFMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTU
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTUFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTUFP001Fairchild SemiconductorIRFI624BTUFP001
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1683+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 1683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630IR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630A
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI630BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1457+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 1457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUON SemiconductorIRFI630BTU
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GVishayN-MOSFET 200V 5.9A 35W IRFI630G Vishay TIRFI630g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.00 грн
88+162.36 грн
104+136.87 грн
500+130.77 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.52 грн
50+162.87 грн
100+137.31 грн
500+131.19 грн
1000+105.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.40 грн
106+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.69 грн
10+130.09 грн
100+92.87 грн
500+86.59 грн
1000+75.41 грн
2000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.83 грн
100+202.13 грн
500+150.05 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
50+117.77 грн
100+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.60 грн
129+110.54 грн
138+103.35 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.82 грн
10+145.82 грн
100+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.27 грн
10+108.43 грн
50+102.54 грн
100+96.66 грн
250+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630NG
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI634GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.6A; Idm: 22A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.89 грн
10+116.44 грн
100+91.47 грн
250+90.78 грн
500+74.02 грн
1000+67.66 грн
2000+67.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.18 грн
50+127.15 грн
100+104.61 грн
500+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFI634GPBF. - N CHANNEL MOSFET, 250V, 5.6A, TO-220FP
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.25 грн
10+193.89 грн
25+184.11 грн
50+158.10 грн
100+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640G
Код товару: 22414
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.30 грн
50+153.99 грн
100+139.98 грн
500+108.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.56 грн
10+108.35 грн
100+105.91 грн
500+96.83 грн
1000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+107.05 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.05 грн
10+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640NPBF
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GVishayN-MOSFET 250V 7.9A 40W IRFI644G Vishay TIRFI644g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.51 грн
10+126.07 грн
100+85.19 грн
500+69.06 грн
1000+64.87 грн
2000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 7,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25 В, Qg, нКл = 68 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4.7A, 10V, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.95 грн
50+130.90 грн
100+118.98 грн
500+99.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.69 грн
137+103.65 грн
139+102.61 грн
140+97.95 грн
500+89.45 грн
1000+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF
Код товару: 101078
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFTO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.80 грн
10+145.82 грн
100+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.90 грн
10+103.85 грн
25+102.82 грн
50+98.14 грн
100+89.96 грн
500+85.19 грн
1000+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Power dissipation: 40W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+190.09 грн
5+110.11 грн
10+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFI644GPBF.. - N CHANNEL MOSFET, 250V, 7.9A, TO-220FP
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI710GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GInternational RectifierN-MOSFET 3A 400V 30W 1.8Ω IRFI720G iso TIRF720 iso
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBF
Код товару: 91804
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.52 грн
80+178.75 грн
94+150.86 грн
109+126.22 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.04 грн
81+176.26 грн
83+172.05 грн
105+130.55 грн
500+98.78 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.6A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.01 грн
75+191.18 грн
78+183.16 грн
104+131.79 грн
500+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.86 грн
10+193.62 грн
25+191.80 грн
50+177.18 грн
100+122.42 грн
500+95.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.20 грн
84+170.74 грн
91+156.15 грн
107+128.69 грн
500+97.80 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 2.6A N-CH MOSFET
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.51 грн
10+146.95 грн
100+92.87 грн
500+75.41 грн
1000+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.90 грн
78+183.01 грн
105+130.96 грн
500+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI720GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2.6 A, 1.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.66 грн
10+144.19 грн
100+101.83 грн
500+70.28 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.96 грн
10+127.54 грн
100+95.88 грн
500+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GVishayN-MOSFET 400V 3.7A 35W IRFI730G Vishay TIRFI730g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.75 грн
50+70.85 грн
100+70.53 грн
500+62.65 грн
1000+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 3.7A N-CH MOSFET
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.70 грн
10+106.00 грн
100+83.09 грн
500+67.24 грн
1000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI730GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.7 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 32
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
euEccn: Unknown
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: Unknown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.7A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI734GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI734GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740BTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GSiliconixN-MOSFET 5.7A 400V 40W 0.55Ω IRFI740G TIRF740 iso
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740G
Код товару: 77936
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/66
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 9 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI740GLCPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 5.7A N-CH MOSFET
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.09 грн
10+240.10 грн
25+166.19 грн
100+151.53 грн
500+150.83 грн
1000+122.20 грн
2000+120.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 11380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.71 грн
10+175.14 грн
100+159.11 грн
1000+152.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI740GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.4 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+940.11 грн
5+821.99 грн
10+681.05 грн
50+567.35 грн
100+483.21 грн
250+451.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]