Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 154 176 198 220 223  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFI530GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
50+79.68 грн
100+75.89 грн
500+57.29 грн
1000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.58 грн
141+100.47 грн
500+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBF
Код товару: 163016
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+109.93 грн
100+100.79 грн
500+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.86 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NInternational RectifierN-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 31256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+32.72 грн
450+31.41 грн
500+30.27 грн
1000+28.24 грн
2500+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBF
Код товару: 199356
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.00 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFMOSFET N-CH 100V 12A TO220FP (FULL PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.84 грн
186+76.13 грн
500+65.91 грн
1000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.71 грн
208+68.15 грн
500+60.62 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+89.07 грн
500+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 14287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+89.07 грн
500+80.17 грн
1000+73.93 грн
10000+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+89.07 грн
500+80.17 грн
1000+73.93 грн
10000+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GVishayN-MOSFET 100V 17A 48W IRFI540G Vishay TIRFI540g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI540GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.46 грн
100+208.04 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 17A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 77 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.10 грн
10+237.04 грн
100+208.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.35 грн
50+152.74 грн
100+138.85 грн
500+107.45 грн
1000+100.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.29 грн
73+193.39 грн
100+182.33 грн
500+168.25 грн
750+150.35 грн
1000+140.08 грн
1250+136.48 грн
1500+133.35 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI540GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFMOSFET N-CH 100V 17A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.02 грн
100+143.11 грн
500+141.31 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF
Код товару: 2726
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NG
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 31846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.88 грн
50+86.02 грн
100+79.96 грн
500+65.42 грн
1000+57.20 грн
2000+54.37 грн
5000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.46 грн
10+68.62 грн
50+55.23 грн
100+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF
Код товару: 13478
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+84.84 грн
169+83.99 грн
180+78.50 грн
500+64.82 грн
1000+56.85 грн
2000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInternational RectifierTO-220 FULL PACK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.50 грн
50+71.24 грн
100+63.83 грн
500+47.66 грн
1000+43.72 грн
2000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 31846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.68 грн
165+85.81 грн
177+79.77 грн
500+65.26 грн
1000+57.06 грн
2000+54.24 грн
5000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI610GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614BTUFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614BTUFP001ON SemiconductorIRFI614BTUFP001
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614BTUFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI614BTUFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI614GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GVishayN-MOSFET 200V 4.1A 30W IRFI620G Vishay TIRFI620g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.30 грн
50+53.61 грн
100+53.14 грн
500+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI620GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.1 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTU
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTUFP001Fairchild SemiconductorIRFI624BTUFP001
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1683+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 1683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624BTUFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI624GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630IR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630A
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI630BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUON SemiconductorIRFI630BTU
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1244+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 1244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GVishayN-MOSFET 200V 5.9A 35W IRFI630G Vishay TIRFI630g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.57 грн
106+133.69 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+247.72 грн
100+201.23 грн
500+149.38 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.06 грн
129+110.05 грн
138+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.88 грн
50+117.24 грн
100+106.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 154 176 198 220 223  Наступна Сторінка >> ]