Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFI530GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF Код товару: 163016
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530N | International Rectifier | N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 189 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | на замовлення 31256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF Код товару: 199356
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP (FULL PAK) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 14287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 66 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540G | Vishay | N-MOSFET 100V 17A 48W IRFI540G Vishay TIRFI540g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540G | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI540GPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540G | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI540G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 17A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 77 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI540GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF Код товару: 2726
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI540N | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540N | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540N | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540NG | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 31846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | на замовлення 205 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF Код товару: 13478
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 3877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC | на замовлення 6490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | International Rectifier | TO-220 FULL PACK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 3013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 31846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI610G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI614BTUFP001 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI614BTUFP001 | ON Semiconductor | IRFI614BTUFP001 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI614BTUFP001 | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFI614BTUFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2671 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI614G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI614GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 250V | на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI614GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI614GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI620 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI620G | Vishay | N-MOSFET 200V 4.1A 30W IRFI620G Vishay TIRFI620g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI620G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI620GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.1 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 200V 4.1A N-CH MOSFET | на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI624BTU | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFI624BTUFP001 | Fairchild Semiconductor | IRFI624BTUFP001 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI624BTUFP001 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.05A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI624G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI624G | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI624GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI630 | IR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI630A | на замовлення 93000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFI630BTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFI630BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1457 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI630BTU | ON Semiconductor | IRFI630BTU | на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI630BTU | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V | на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI630G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI630G | Vishay | N-MOSFET 200V 5.9A 35W IRFI630G Vishay TIRFI630g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI630GPBF | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI630GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI630GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI630GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET | на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI630GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI630GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 5.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI630GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

