Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFI4510GPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4510GPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI4510GPBF - IRFI4510 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4510GPBF Код товару: 158921
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 35 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,7 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2998/54 Монтаж: THT | у наявності: 2 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRFI4510GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 100V, 30A, 1 TO-220 Fullpack | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI460 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4905 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4905 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI510G | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI510G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI510GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 4.5A N-CH MOSFET | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay Siliconix | IRFI510GPBF TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 18A Drain current: 4.5A Gate charge: 8.3nC On-state resistance: 0.54Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 27W Case: TO220FP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube | на замовлення 930 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI510GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI520G | Vishay | N-MOSFET 100V 7.2A 37W IRFI520G Vishay TIRFI520g кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI520G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI520GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI520GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 7.2A N-CH MOSFET | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI520GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI520GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.1A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.1A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI520GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V | на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI520GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI520N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI520N | International Rectifier | N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 270 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI520NPBF | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI520NPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530A | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFI530G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530G | Vishay | N-MOSFET 100V 9.7A 42W IRFI530G Vishay TIRFI530g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.16Ω Gate charge: 33nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF Код товару: 163016
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 9.7A N-CH MOSFET | на замовлення 1979 шт: термін постачання 52-61 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530N | International Rectifier | N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 189 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF Код товару: 199356
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 14287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 66 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | на замовлення 31256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP (FULL PAK) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI530NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540G | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI540GPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540G | Vishay | N-MOSFET 100V 17A 48W IRFI540G Vishay TIRFI540g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540G | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI540GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.077 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 17A N-CH MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF Код товару: 2726
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 77 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540N | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540N | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540N | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NG | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC | на замовлення 10939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF Код товару: 13478
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | International Rectifier | TO-220 FULL PACK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | на замовлення 204 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 3877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 31846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

