Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFI740GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 400V 5.4A N-CH MOSFET | на замовлення 2212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 3,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 11370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 11380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI740GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.4 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.4A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 66nC | на замовлення 515 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | IRFI740GPBF Микросхемы Общие, Прочие | на замовлення 102 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI740GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI740GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7440GPBF | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7440GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7440GPBF | International Rectifier | Description: IRFI7440 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4549 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 191 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7440GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7446GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7446GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7446GPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7446GPBF - IRFI7446GP 12V-300V N-CHANNEL POWER MOS tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7446GPBF | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7446GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7446GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7446GPBF Код товару: 172384
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI744G | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI744G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI744G | N-CH 450 V 4.9 A 0.63 A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI744GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7536GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7536GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 86A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7536GPBF | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7536GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7536GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 86A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI7536GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7536GPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7536GPBF - IRFI7536 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI7536GPBF-IR | International Rectifier | Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 76 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI820G | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI820G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI820G | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI820GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI820GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI | на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI820GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI820GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI820GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI820GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI830BTU | Fairchild Semiconductor | IRFI830BTU | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI830BTU | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI830G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI830G | Siliconix | N-MOSFET 500V 3.1A 35W IRFI830G Vishay TIRFI830g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI830G Код товару: 77935
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 3,1 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/38 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFI830G | N-CH 500 V 3.1 A 1.5 Om to-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI830G | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI830GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI830GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI830GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38nC Power dissipation: 35W | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI830GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI830GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI830GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI830GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840 | IOR | 96 TO220 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840BTU | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 13732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840BTU | ON Semiconductor | IRFI840BTU | на замовлення 13732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840BTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFI840BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840G Код товару: 216946
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI840G | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=0.85R, P=40W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220FULLPAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840G | PBF Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI840G | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840G | Siliconix | N-MOSFET 4.6A 500V 40W 0.85Ω IRFI840 TIRFI840 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840G Pbf | (MFET,LC,N-CH,TO-220ISO) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI840GLC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840GLC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840GLC | Siliconix | N-MOSFET 500V 4.5A 40W IRFI840GLC Vishay TIRFI840glc кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GLC | TO220-ISO Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI840GLCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF Код товару: 178489
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GLCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET | на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GPBF Код товару: 116730
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFI840GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 500V 4.6A N-CH MOSFET | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840GPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI840GPBF | Vishay | (MFET,LC,N-CH,TO-220ISO) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840GPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI840GPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFI840GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.6 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI9520G | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI9520G | Vishay | P-MOSFET 100V 5.2A 37W IRFI9520G Vishay TIRFI9520g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI9520GPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 5.2A P-CH MOSFET | на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI9520GPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFI9520GPBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFI9520GPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

